Антисегнетоелектрики
Антисегнетоеле́ктрики або антифероелектрики — речовини, в яких полярна фаза (див. сегнетоелектрики) виникає лише в тому випадку, коли прикладене до них електричне поле перевищує певне значення.
Фізична природа[ред. | ред. код]
Температура переходу речовини до сегнетоелектричного стану називається температурою Нееля за аналогією із антиферомагнетиками.
Фізична природа антисегнетоелектричного ефекту схожа на фізичну природу сегнетоелектризму, за винятком того, що в антисегнетолектриках існують дві поляризовані підґратки, дипольні моменти яких направлені у різні сторони. Як наслідок в малих полях речовина за своїми поляризаційними властивостями схожа на звичайний діелектрик. Проте сильні електричні поля можуть переполяризувати ту із підґраток, яка орієнтована проти поля, тож обидві підґратки стають поляризованими однаково, й речовина має властивості сегнетоелектрика.
Приклади[ред. | ред. код]
Антисегнетоелектриками є деякі смектичні рідкі кристали.
 | Цей розділ потребує доповнення. |
Застосування[ред. | ред. код]
Здатність кристалічної ґратки сегнетоелектриків перебудовуватися в електричному полі робить їх перспективними матеріалами для елементів довготривалої пам'яті.
Див. також[ред. | ред. код]
|
Це незавершена стаття з фізики. Ви можете допомогти проєкту, виправивши або дописавши її. |