Арсенід галію

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Перейти до: навігація, пошук
Арсенід галію
Gallium-arsenide-unit-cell-3D-balls.png
Зразок Арсеніду галію
Gallium arsenide crystal.jpg
Ідентифікатори
Номер CAS 1303-00-0
PubChem 14770
Номер EINECS 215-114-8
Назва MeSH gallium+arsenide
RTECS LW8800000
SMILES
Властивості
Молекулярна формула GaAs
Молярна маса 144.645 г/моль
Молекулярна маса 143.847177329 г/моль
Зовнішній вигляд Дуже темно-червоні, скловидні кристали
Запах часникового кольору при зволоженні
Густина 5.3176 г/см3
Тпл 1238
Розчинність (вода) нерозчинний
Розчинність розчинний в хлоридній кислоті, етанолі, метанолі, ацетоні
Показник заломлення (nD) 3.8[1]
Структура
Кристалічна структура цинкова обманка
Координаційна
геометрія
чотирьохгранний
Геометрія лінійний
Небезпеки
MSDS External MSDS
ГГС піктограми Шаблон:GHS skull and crossbones Шаблон:GHS environment
ГГС формулювання небезпек Шаблон:H-фраза, Шаблон:H-фраза, Шаблон:H-фраза
ГГС запобіжних заходів 261, 273, 301+310, 311, 501
Класифікація ЄС Токсично T Небезпечно для навколишнього середовища N
R-фрази Шаблон:R23/25, R50/53
S-фрази (S1/2) , Шаблон:S20/21, Шаблон:S28, S45, S60, S61
NFPA 704
NFPA 704.svg
1
3
2
W
Якщо не зазначено інше, дані приведені для речовин у стандартному стані (за 25 °C, 100 кПа)
Інструкція з використання шаблону
Примітки картки

Арсені́д га́лію (GaAs) — кристалічна речовина із кристалічною ґраткою типу цинкова обманка.

Прямозонний напівпровідник із шириною забороненої зони 1,424 еВ. Широко використовується для створення напівпровідникових пристроїв, багатошарових структур, квантових точок, дротин й ям.

Належить до класу інтерметалічних сполук елементів ІІІ і V груп періодичної системи елементів, скорочено — сполуки AIIIBV (англ. III-V Compounds).

Кристалічна ґратка[ред.ред. код]

Gallium-arsenide-unit-cell-3D-balls.png

Арсенід галію має кубічну гранецентровану ґратку типу ґратки цинкової обманки.

Методи отримання[ред.ред. код]

Арсенід галію отримують, сплавляючи чисті арсен (As) і галій (Ga) у кварцевій колбі при температурі близько 1240° C при тиску пари близько 1000 ГПа. Кристали ростуть із зародків, що утворюються самовільно.

Для отримання монокристалів використовують також методи направленої кристалізації (горизонтальний метод Бріджмена), витягування з розплаву (метод Чохральського) і зонної плавки.

Тип провідності й рухливість носіїв заряду в кристалах залежить від концентрації домішок, що залишаються при виготовлені. Найважливішими з них є кремній та мідь, які переходять в арсенід галію з кварцу (кремній) і тигелів чи ампул (мідь). Кремній є донором [Джерело?], тому здебільшого отримані кристали мають n-тип провідності.

Література[ред.ред. код]

  • Отфрид Маделунг, «Физика полупроводниковых соединений элементов ІІІ и V групп» (перевод с англ.), М. «Мир» — 1967, 478 с.
  • Курносов А. И. (1980). Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. Москва: Высшая школа. (рос.)

Примітки[ред.ред. код]

  1. Refractive index of GaAs. Ioffe database


Аміак Це незавершена стаття про неорганічну сполуку.
Ви можете допомогти проекту, виправивши або дописавши її.