Арсенід галію
| Арсенід галію | |
|---|---|
| Загальна інформація | |
| Хімічна назва | Арсенід галію |
| Молекулярна формула | GaAs |
| Молярна маса | 69,7231 ± 0,0001 г/моль |
| Зовнішній вигляд | Сірі кубічні кристали. |
| Властивості | |
| Густина й агрегатний стан | 5,3176 г/см³, тверде тіло. |
| Розчинність у воді | < 0,1 г/100 мл (20 °C) |
| Температура плавлення | 1238 °C (1511 K) |
| Показник заломлення | 3,2 |
| Діелектрична проникність | 11,1 |
| Електронні властивості | |
| Тип напівпровідника | прямозоннний |
| Ширина забороненої зони при 300 K | 1,424 еВ |
| ефективна маса електрона | 0,067 me |
| ефективна маса легких дірок | 0,082 me |
| ефективна маса важких дірок | 0,45 me |
| Рухливість електронів при 300 K | 9200 см²/(В·с) |
| Рухливість дірок при 300 K | 400 см²/(В·с) |
| Структура | |
| Кристалічна ґратка | цинкової обманки |
| Небезпека | |
| Основна | Канцерогенний |
| Температура загорання | не займається |
| Споріднені сполуки | |
| Споріднені сполуки | Арсенід алюмінію |
Арсені́д га́лію (GaAs) — кристалічна речовина із кристалічною ґраткою типу алмазу.
Прямозонний напівпровідник із шириною забороненої зони 1,424 еВ. Широко використовується для створення напівпровідникових пристроїв, багатошарових структур, квантових точок, дротин й ям.
Належить до класу інтерметалічних сполук елементів ІІІ і V груп періодичної системи елементів, скорочено — сполуки AIIIBV (англ. III-V Compounds).
Кристалічна ґратка [ред.]
Арсенід галію має кубічну гранецентровану ґратку типу ґратки цинкової обманки.
Методи отримання [ред.]
Арсенід галію отримують, сплавляючи чисті арсен (As) і галій (Ga) у кварцевій колбі при температурі близько 1240° C при тиску пари близько 1000 ГПа. Кристали ростуть із зародків, що утворюються самодовільно.
Для отримання монокристалів використовують також методи направленої кристалізації (горизонтальний метод Бріджмена), витягування з розплаву (метод Чохральського) і зонної плавки.
Тип провідності й рухливість носіїв заряду в кристалах залежить від концентрації домішок, що залишаються при виготовлені. Найважливішими з них є кремній та мідь, які переходять в арсенід галію з кварцу (кремній) і тигелів чи ампул (мідь). Кремній є донором, тому здебільшого отримані кристали мають n-тип провідності.
Література [ред.]
- Отфрид Маделунг, «Физика полупроводниковых соединений элементов ІІІ и V групп» (перевод с англ.), М. «Мир» — 1967, 478 с.
- Курносов А. И. (1980). Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. Москва: Высшая школа.
