Герберт Кремер

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Перейти до: навігація, пошук
Герберт Кремер
нім. Herbert Krömer
Replace this image male.svg
Народився 25 серпня 1928(1928-08-25) (86 років)
Веймар, Німеччина
Громадянство Німеччина, США США
Нагороди Nobel prize medal.svg Нобелівська премія з фізики (2000)
Nobel prize medal.svg

Герберт Кремер (нім. Herbert Krömer; нар. 25 серпня 1928, Веймар, Німеччина) — німецький фізик, лауреат Нобелівської премії з фізики. Половина премії за 2000 р. , спільно з Жоресом Алфьоровим, «за розробку напівпровідникових гетероструктур, використовуваних у високочастотній і опто-електроніці». Друга половина премії була присуджена Джеку Кілбі «за внесок у винахід інтегральних схем».

Біографія[ред.ред. код]

Після закінчення курсів підготовки до університету (Abitur), Герберт Кремер приступає до вивчення фізики в Йенському університеті, де крім іншого відвідував лекції Фрідріха Гунда. Під час блокади Берліна Кремер перебував на практиці в Берліні і скористався можливістю для втечі на захід. Після цього він продовжив навчання в Геттінгенському університеті. У 1952 р. він захистив дисертацію в галузі теоретичної фізики по темі ефекту гарячих електрон ів в транзистор ах. Після цього Кремер працював в якості «прикладного теоретика», як він сам себе називав, в технічному центрі радіомовлення німецької федеральної пошти. У 1954 р. він переїхав в США і працював там в різних дослідницьких установах в Прінстоні і Пало Альто. З 1968 по 1976 Кремер викладає в університеті Колорадо як професор, а потім перейшов в Каліфорнійський університет в Санта-Барбарі.

Досягнення[ред.ред. код]

Герберт Кремер ніколи не працював у «модних» галузях фізики. Він вважав за краще області, значення яких ставало ясно тільки через багато років. Наприклад, він опублікував у 1950-х роках роботи про основи біполярного транзистора на основі гетероструктур, який міг працювати в гігагерц овом діапазоні частот. У 1963 р. він розробив принципи лазерів на подвійних гетероструктурах — основі напівпровідникових лазерів. Обидві ці роботи на багато років випередили свій час, і знайшли застосування тільки в 1980-х роках, з розвитком епітаксії.

Під час перебування в Санта Барбарі він змістив свої інтереси в експериментальну область. Наприклад, в 1970-і роки Кремер брав участь у розробці молекулярної епітаксії, причому він вивчав нові комбінації матеріалів, такі як GaP і GaAs на кремнієвій підкладці. Після 1985 р. інтереси Кремера змістилися до комбінацій InAs, GaSb і AlSb.

У 2000 році йому була присуджена Нобелівська премія з фізики, спільно з Жоресом Алфьоровим і Джеком Кілбі.

Нагороди[ред.ред. код]

  • Нагорода імені Дж. Дж. Еберс, від IEEE, 1973
  • Медаль імені Генріха Велкер від міжнародного симпозіуму з GaAs і схожих сполук, 1982
  • Заслужений лектор від суспільства електронних пристроїв IEEE, 1983
  • Нагорода Джека Мортона від IEEE, 1986
  • Дослідницька премія імені Александера фон Гумбольдта, 1994
  • Нобелівська премія з фізики, 2000

Див. також[ред.ред. код]

  • 24751 Кремер — астероїд, названий на честь науковця.

Посилання[ред.ред. код]