Джуел Джеймс Еберс

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Перейти до: навігація, пошук

Джуел Джеймс Еберс (англ. Jewell James Ebers, народився в 1921 році, помер в березні 1959) — американський фізик, співавтор найпростішої моделі біполярного транзисторамоделі Еберса—Молла. Еберс народився і виріс в Гранд-Рапідс, штат Мічиган. Навчання в Антіохійському коледжі було перервано Другою світовою війною. Після трьох років перебування в армії США, Еберс в 1946 році закінчив курс в коледжі, а потім вже навчався на електротехнічному факультеті Університету Огайо. У 1947 році Еберс отримав диплом магістра, в 1950 році доктора філософії, а в 1951, після недовготривалої викладацької роботи, перейшов на роботу в Bell Labs — один з двух найбільших приватних науково-дослідних інститутів США. Другим був комплекс лабораторій General Electric в Скенектаді. Еберс показав себе здібним адміністратором і швидко піднявся по службі, досягнув до 1959 року поста директора філіалу Bell Labs в Аллентауні.

Найважливішим вкладом Еберса стало створення в 1954 році [1], разом з Джоном Моллом, першої практичної математичної моделі біполярного транзистора. Модель Еберса—Молла, до складу якої входили ідеальні діоди, ідеальні керовані джерела струму і паразитні ємності, добре підійшла під вимоги і обмеження перших програм машинного моделювання електричних кіл і стала складовою частиною SPICE, Microcap та інших засобів САПР. Модель Еберса—Молла на двух діодах і двух джерелах струму — найпростіша модель біполярного транзистора. Послідовне ускладнення моделі Еберса—Молла «врешті-решт приводить» до досконалої (і яка потребує не меньше 25 параметрів) моделі Гуммеля—Пуна. Другим відзначальним винаходом Еберса стала розробка в 1952 році першого чотиришарового pnpn-приладу, пізніше названого тиристором.

В 1971 році секція електронних приладів Інституту інженерів електротехніки і електроніки заснувала щорічну премію Еберса «за визначальний інженерний внесок в царині електронних приладів»[2]

Примітки[ред.ред. код]

  1. Ebers, J. J. and Moll, J. L. Large-signal behavior of junction transistors // Proceedings of the Institute of Radio Engineers. — 1954. — Vol. 42. — № 12. — P. 1761–72.
  2. Early, J. M. Electron Devices Group Award Established // IEEE Transactions on Electron Devices. — 1971. — Vol. ED-19. — № 9. — P. 613.: «for an outstanding technical contribution to electron devices»

Джерела[ред.ред. код]

  • [1] Эберс, Джуэл Джеймс