Джуел Джеймс Еберс

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Перейти до: навігація, пошук

Джуел Джеймс Еберс (англ. Jewell James Ebers, народився в 1921 році, помер в березні 1959) — американський фізик, співавтор найпростішої моделі біполярного транзистора — моделі Еберса—Молла. Еберс народився і виріс в Гранд-Рапідс, штат Мічиган. Навчання в Антіохійському коледжі було перервано Другою світовою війною. Після трьох років перебування в армії США, Еберс в 1946 році закінчив курс в коледжі, а потім вже навчався на електротехнічному факультеті Університету Огайо. У 1947 році Еберс отримав диплом магістра, в 1950 році доктора філософії, а в 1951, після недовготривалої викладацької роботи, перейшов на роботу в Bell Labs — один з двух найбільших приватних науково-дослідних інститутів США. Другим був комплекс лабораторій General Electric в Скенектаді. Еберс показав себе здібним адміністратором і швидко піднявся по службі, досягнув до 1959 року поста директора філіалу Bell Labs в Аллентауні.

Найважливішим вкладом Еберса стало створення в 1954 році[1], разом з Джоном Моллом, першої практичної математичної моделі біполярного транзистора. Модель Еберса—Молла, до складу якої входили ідеальні діоди, ідеальні керовані джерела струму і паразитні ємності, добре підійшла під вимоги і обмеження перших програм машинного моделювання електричних кіл і стала складовою частиною SPICE, Microcap та інших засобів САПР. Модель Еберса—Молла на двух діодах і двух джерелах струму — найпростіша модель біполярного транзистора. Послідовне ускладнення моделі Еберса—Молла «врешті-решт приводить» до досконалої (і яка потребує не меньше 25 параметрів) моделі Гуммеля—Пуна. Другим відзначальним винаходом Еберса стала розробка в 1952 році першого чотиришарового pnpn-приладу, пізніше названого тиристором.

В 1971 році секція електронних приладів Інституту інженерів електротехніки і електроніки заснувала щорічну премію Еберса «за визначальний інженерний внесок в царині електронних приладів»[2]

Примітки[ред.ред. код]

  1. Ebers, J. J. and Moll, J. L. Large-signal behavior of junction transistors // Proceedings of the Institute of Radio Engineers. — 1954. — Vol. 42. — № 12. — P. 1761–72.
  2. Early, J. M. Electron Devices Group Award Established // IEEE Transactions on Electron Devices. — 1971. — Vol. ED-19. — № 9. — P. 613.: «for an outstanding technical contribution to electron devices»

Джерела[ред.ред. код]

  • [1] Эберс, Джуэл Джеймс


Ейнштейн Це незавершена стаття про фізика.
Ви можете допомогти проекту, виправивши або дописавши її.
Альберт Абрагам Майкельсон Це незавершена стаття про науковця США.
Ви можете допомогти проекту, виправивши або дописавши її.