Діод Ганна

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Перейти до: навігація, пошук
Наближена крива до діоду Гання, що показує ділянку з від'ємним опором
Зонна структура GaAs з додатковою долиною

Діод Ганна (також відомий, як transferred electron device (TED)) — тип напівпровідникових діодів, що використовується для генерації та перетворення коливань у діапазоні НВЧ. На відміну від інших типів діодів, принцип дії діода Ганна заснований не на властивостях p-n переходів, а на власних об'ємних властивостях напівпровідника.

Названий на честь винахідника Джона Ганна.

Ефект Ганна виникає тому, що в структурі зони провідності деяких напівпровідників, наприклад, GaAs, існують додаткові долини з локальними мінімумами енергії в залежності від хвильового вектора. В початковому стані електрони провідності зосереджені в основному в головній долині в центрі зони Брілюена, де вони мають малу ефективну масу й високу швидкість. Прискорюючись в електричному полі, вони потрапляють в додаткові долини, де їхня ефективна маса більша, а швидкість менша. Завдяки цьому явищу збільшення прикладеної напруги може призвести до зменшення струму (сповільнення електронів).

Застосування[ред.ред. код]

  • Ефект від'ємного опору можна використовувати для посилення сигналу
  • Часто використовують в якості джерела високої частоти і великої потужності сигналу

Див. також[ред.ред. код]

Джерела[ред.ред. код]

  • Н. А. Агеев, Г. Г. Шишкин. Электронные приборы. Издательство МАИ, 1996.
  • С. М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (в 2 книгах). М., Мир, 1984, т.2, с.226-269.
  • А. И. Лебедев. Физика полупроводниковых приборов. М., Физматлит, 2008.

Посилання[ред.ред. код]