Карбід кремнію
Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Зміни шаблонів/файлів цієї версії очікують на перевірку.
Стабільна версія була перевірена 27 березня 2013.
Карбід кремнію (карборунд) - бінарна неорганічна хімічна сполука кремнію з вуглецем. Хімічна формула SiC. У природі зустрічається у вигляді надзвичайно рідкісного мінералу - муассаніту. Порошок карбіду кремнію був отриманий в 1893. Використовується як абразив, напівпровідник, штучні дорогоцінні камені.
Існує приблизно 250 кристалічних форм карбіду кремнію[1].
Поліморфізм SiC характеризується великою кількістю схожих кристалічних структур, званих політипами. Вони є варіаціями однієї й тієї ж хімічної сполуки, які ідентичні у двох вимірах, але відрізняються у третьому.
Таким чином, їх можна розглядати як шари, складені стовпчиком у певній послідовності [2].
Зміст |
Структура [ред.]
- Структури основних політипів SiC
-
(β)3C-SiC
-
4H-SiC
-
(α)6H-SiC
Див. також [ред.]
Джерела [ред.]
- Електронна книга про SiC(англ.)
- Коротка історія вивчення SiC(англ.)
Примітки [ред.]
- ↑ Cheung, Rebecca. ISBN 1860946240 http://books.google.com/books?id=hJySnYNE3B0C&hl=en. Проігноровано невідомий параметр
|год=(довідка); Проігноровано невідомий параметр|издательство=(довідка); Проігноровано невідомий параметр|заглавие=(довідка); Проігноровано невідомий параметр|страницы=(довідка); Пропущений або порожній|title=(довідка) - ↑ Morkoç, H.; Strite, S.; Gao, G. B.; Lin, M. E.; Sverdlov, B.; Burns, M. Large-band-gap SiC, III-V nitride, and II-VI ZnSe-based semiconductor device technologies. — Journal of Applied Physics, 1994. — С. 1363. — doi:10.1063/1.358463
