Локалізація Андерсона

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Перейти до: навігація, пошук

Локалізація Андерсона або сильна локалізація - твердження про те, що в невпорядкованому кристалі при певній величині розкиду енергії станів на певних вузлах ґратки всі електронні стани є локалізованими.

Ідея про таку локалізацію належить Філіпу Андерсону, який розглянув модель тривимірної ґратки потенціальних ям, в кожній із яких можливий один стан для електрона. Електрон, локалізований в одній ямі, може з певною ймовірністю перестрибувати в сусідні ями. Андерсон поставив питання про те, наскільки ймовірно те, що локалізований в якійсь із ям електрон при  t \rightarrow \infty опиниться на нескінченно великій віддалі від початкового положення. Андерсон показав, що ця ймовірність визначається відношенням величини енергетичного безпорядку W до ширини зони B. Якщо W/B > 5, то всі електрони будуть локалізованими й не зможуть нескінченно віддалитися від свого початкового положення.

Термін локалізація Андерсона відноситься не тільки до електронів, а й до хвиль будь-якої природи у невпорядкованому середовищі: електромагнітних, акустичних, спінових тощо.

Джерела[ред.ред. код]

  • Отфрід Маделунг (1985). Физика твердого тела. Локализованные состояния. Москва: Наука. 


Фізика Це незавершена стаття з фізики.
Ви можете допомогти проекту, виправивши або дописавши її.