Молекулярно-променева епітаксія

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Перейти до: навігація, пошук
Схема установки для молекулярно-променевої епітаксії

Молекулярно-променева епітаксія, МПЕ (англ. Molecular-beam epitaxy, MBE) — метод епітаксіального росту кристалів в умовах надвисокого (10−8 Па) вакууму. Був винайдений на початку 1960-х у Bell Labs Дж. Артуром (англ. J. R. Arthur) і Альфредом Чо (англ. Alfred Y. Cho, кит. 卓以和;).[1]

Метод[ред.ред. код]

Основою методу є осадження випаруваної з молекулярного джерела речовини на кристалічну підкладку. Незважаючи на просту ідею, метод вимагає складних технологічних рішень, а саме:

  • підтримання в робочій камері надвисокого (порядку 10−8 Па);
  • високу чистоту матеріалів, що випаровуються (має складати 99,999999%).

Посилання[ред.ред. код]

  1. Molecular beam epitaxy // Prog. Solid State Chem., 10 (1975) С. 157–192. — DOI:10.1016/0079-6786(75)90005-9.

Див. також[ред.ред. код]


Фізика Це незавершена стаття з фізики.
Ви можете допомогти проекту, виправивши або дописавши її.