Молекулярно-променева епітаксія
Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Молекулярно-променева епітаксія, МПЕ (англ. Molecular-beam epitaxy, MBE) — метод епітаксіального росту кристалів в умовах надвисокого (10−8 Па) вакууму. Був винайдений на початку 1960-х у Bell Labs Дж. Артуром (англ. J. R. Arthur) і Альфредом Чо (англ. Alfred Y. Cho, кит. 卓以和;).[1]
Метод [ред.]
Основою методу є осадження випаруваної з молекулярного джерела речовини на кристалічну підкладку. Незважаючи на просту ідею, метод вимагає складних технологічних рішень, а саме:
- підтримання в робочій камері надвисокого (порядку 10−8 Па);
- високу чистоту матеріалів, що випаровуються (має складати 99,999999%).
Посилання [ред.]
- ↑ Molecular beam epitaxy // Prog. Solid State Chem.. — Т. 10. — (1975) С. 157–192. DOI:10.1016/0079-6786(75)90005-9.
Див. також [ред.]
 |
Це незавершена стаття з фізики. Ви можете допомогти проекту, виправивши або дописавши її. |
