Підкладка (електроніка)

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Перейти до: навігація, пошук
Пластини (2, 4, 6, 8 дюймів), готові до нарізки

Підкладка (англ. wafer) — тонка монокристалічна напівпровідникова пластина, що призначена для створення плівок, гетероструктур, та вирощування монокристалічних шарів за допомогою епітаксії, кристалізації та ін. Використовується як основа для мікроелектронних пристроїв, інтегральних мікросхем. Підкладка проходить багатоетапний процес виготовлення, що включає легування, травління, осадження різних матеріалів, та фотолітографію[1].

В процесі вирощування кристалів вагому роль відіграє відповідність кристалічної решітки підкладки кристалу, що наростає. Зокрема вагомим є структурно-геометрична відповідність, а також відсутність дефектів у підкладці. У випадку сильної невідповідності кристалічних решіток підкладки і кристала, використовують буферний шар для попередження виникнення численних дислокацій.

Див. також[ред.ред. код]


Джерела[ред.ред. код]

  1. Бахрушин В.Е. Получение и физические свойства слаболегированных слоев многослойных композиций. - Запоріжжя: КПУ, 2001. - 247 с.