Симон Зі

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Перейти до: навігація, пошук
Симон Мін Зі
Народився листопад 1932 року
Тайвань, Китай
Місце проживання США, Тайвань
Громадянство Республіка Китай
Галузь наукових інтересів Фізика напівпровідникових приладів
Заклад Тайванський національний університет
Стенфордський університет
Вчене звання Доктор філософії
Науковий ступінь Професор
Відомий завдяки: МДН- транзистори

Доктор Симон Мін Зі (англ. Simon Min Sze; кит. 施敏; *1932) є представник інженерної радіотехнічної науки США. Після закінчення Тайванського національного університету в 1957, він отримав звання магістра в Вашингтонському університеті в 1960 а потім доктарантуру в Стендфордському університеті в 1963. Він працював в Bell Labs до 1990, після чого він повернувся до Тайваню і приєднався до факультету NCTU. Він відомий своїми роботами в фізиці напівпровідників та в прикладних технологіях, включаючи винахід разом з Давоном Кангом транзистора з плавним затвором[1], сьогодні широко використовуваний в комірках пам'яті. Він написав і видав багато книг, включаючи Physics of Semiconductor Devices, одна із найбільш цитованих монографій в галузі напівпровідникових приладів. Зі отримав нагороду the J. J. Ebers Award в 1991 за свій вклад в напівпровідникове приладобудування[2]

Література[ред.ред. код]

Посилання[ред.ред. код]

Виноски[ред.ред. код]

  1. D. Kahng and S. M. Sze, A floating-gate and its application to memory devices, The Bell System Technical Journal, 46, #4 (1967), pp. 1288—1295.
  2. "за фундаментальний та піонерський вклад в широко використовувані науково- технічні тексти та книги в галузі електронного приладобудування". Electron Devices Society J.J. Ebers Award, web page at the IEEE, accessed 11-I-2007.