Спінтроніка

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Перейти до: навігація, пошук

Спінтро́ніка (англ. Spintronics, фр. Spintronique) — галузь електроніки, що використовує квантові властивості спіну електронів, що характеризуються двома квантовими станами (спін-угору, спін-униз). Зміна орієнтації спінів відбувається за впливу високої густини струму, що проходить через надтонкі феромагнітні структури (сендвічі). Орієнтація спінів залишається незмінною, якщо джерело поляризованого струму вимикається, тому спінтронні пристрої дуже широко використовуються у пристроях запам'ятовування інформації, але існують й інші застосування, такі як, генератори змінної напруги, контрольовані по струму, транзистори на ефекті поля тощо.

Історія[ред.ред. код]

Область дослідження виникла з експериментів по явищу спін-залежного електронного транспорту в приладах з твердих тіл, які виконувались в 1980-х роках, включаючи вивчення інжекції спін-поляризованих електронів з феромагнетик|феромагнітного металу в звичайний метал, виконаних Джонсоном (англ. Johnson ) і Сілсбі (англ. Silsbee) в 1985 році[1], і відкриття гігантської магніторезистивності незалежно Альбертом Фертом та його колегами[2] і Пітером Грюнбергом (нім. Peter Grünberg) та його колегами в 1988 році[3]. Витоки спінтроніки можна прослідкувати навіть раніше аж до експериментів по феромагнітному/суперпровідному тунелюванню в роботах Мезервея (англ. Meservey ) і Тедроу (англ. Tedrow)[4] і в перших експериментах по злиттю магнітних тунелів в роботах Джуліере (англ. Julliere ) в 1970-х.[5]. Використання напівпровідників в спінтроніці може бути відслідковано до теоретичної пропозиції спінового польового транзистору Датта (англ. Datta ) і Дасом (англ. Das ) в 1990 році[6].

Базові поняття[ред.ред. код]

Найпростіший елемент, який пояснює принцип роботи, це два надтонкі феромагнетики різної товщини, наприклад з кобальту, розділені парамагнітним матеріалом, наприклад, з міді. Перший пласт феромагнетика служить поляризатором струму і орієнтація його магнітного моменту залишається незмінною упросторі та у часі. Інший пласт має змінну орієнтацію вектору магнітного моменту. Якщо матеріал, що розділює феромагнітні пласти, є напівпровідником, то такий спінтронний пристрій прийнято називати спіновим клапаном, якщо ж вони розділені діелектриком, то такі електронні елементи є тунельними з'єднаннями.

В таких гетероструктурах джерелом спін-поляризованих електронів (спін-інжектором) є провідний феромагнетик (провідник або напівпровідник), що має в намагніченому стані спонтанну спінову впорядкованість носіїв заряду; в феромагнітних напівпровідниках досягаються рівні спінової поляризації значно більші (до 100%), ніж в металах (до 10%). В зовнішньому магнітному полі можливе зеєманівське розщеплення зони провідності в напівпровіднику з формуванням двох зеєманівських енергетичних підрівнів. При інжекции спін-поляризованих електронів в такий напівпровідник можливі керовані переходи як на верхній, так і на нижній рівні, що дає можливість створення інверсії заселення та, відповідно, генерації когерентного електромагнітного випромінювання з управлінням частоти магнітним полем. Інші ефекти виникають в джозефсонівських переходах з ізолюючим феромагнетиком: в цьому випадку можливе управління тунелюванням за допомогою зовнішнього магнітного поля.

Див. також[ред.ред. код]

Примітки[ред.ред. код]

Література[ред.ред. код]

  • Prinz G.A. Spin-polarized transport. Physics Today, 1995. Vol.48..№ 4. P.353.
  • Рязанов В. В. Джозефсоновский π -контакт сверхпроводник-ферромагнетик-сверхпроводник как элемент квантового бита. УФН, 1999. Т.169. № 8. С.920.

Посилання[ред.ред. код]

Фізика Це незавершена стаття з фізики.
Ви можете допомогти проекту, виправивши або дописавши її.