Типи корпусів мікросхем

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Перейти до: навігація, пошук

Означення величин[ред.ред. код]

Поверхневий монтаж[ред.ред. код]

A general surface mount chip, with major dimensions.
 C  Проміжок між IC і платою
 H  Загальна висота
 T  Товщина виводів
 L  Загальна довжина 
 LW Ширина виводу
 LL Довжина виводу
 P  Між центрами виводів (Pitch)
 WB Ширина (без виводів)
 WL Загальна ширина

Монтаж в отвори[ред.ред. код]

A general through hole pin chip, with major dimensions.
 C  Проміжок між корпусом і платою
 H  Загальна висота
 T  Товщина вивода
 L  Загальна довжина 
 LW Ширина виводу
 LL Довжина виводу
 P  Pitch (крок)
 WB Ширина (тільки корпус)
 WL Загальна ширина

Розміри в мм[ред.ред. код]

Дворядні[ред.ред. код]

Image Family Pin Name Package WB WL H C L P LL T LW
Three IC circuit chips.JPG DIP Y Dual Inline Package 8-DIP 6.2-6.48 7.62 7.7 9.2-9.8 2.54 (1/10 inch) 3.05-3.6 1.14-1.73
32-DIP 15.24 2.54 (1/10 inch)
MSOP-sized chip package.jpg MSOP Y Mini Small Outline Package 8-MSOP 3 4.9 1.1 0.15 3 0.65 0.23 0.38
MFrey SOIC20.jpg SO
SOIC
SOP
Y Small Outline Integrated Circuit 8-SOIC 3.9 5.8-6.2 1.72 0.10-0.25 4.8-5.0 1.27 1.05 0.19-0.25 0.39-0.46
14-SOIC 3.9 5.8-6.2 1.72 0.10-0.25 8.55-8.75 1.27 1.05 0.19-0.25 0.39-0.46
16-SOIC 3.9 5.8-6.2 1.72 0.10-0.25 9.9-10 1.27 1.05 0.19-0.25 0.39-0.46
16-SOIC 7.5 10.00-10.65 2.65 0.10-0.30 10.1-10.5 1.27 1.4 0.23-0.32 0.38-0.40
SOT23-6.jpg SOT Y Small Outline Transistor SOT-23-8 1.6 2.8 1.45 2.9 0.65 0.6 0.22-0.38
TSSOP RQFP SO SSOP QFN.jpg SSOP Y Shrink Small-Outline Package 16-SSOP 5.3 7.8 2 6.2 0.65
TDFN  ? Thin Dual Flat No-lead 8-TDFN 3 3 0.7-0.8 3 0.65 N/A 0.19-0.3
TSOP 32 (T1) Blank.svg TSOP I Y Thin Small-Outline Package TSOP28/32 18.4 8 0.5
TSSOP 24L.gif TSOP II Y Thin Small-Outline Package TSOP32 10.2 21 1.27
TSSOP EXP PAD 16L.gif TSSOP Y Thin Shrink Small Outline Package 8-TSSOP 4.4 6.4 1.2 0.15 3 0.65 0.09-0.2 0.19-0.3
MINI SOIC 10L.gif µSOP Y Micro Small Outline Package 10-MSOP 3 3 0.5
LLP 3.0x3.0 10L.gif LLP (DFN) Y Leadless Leadframe Package 10-LLP 3 3 0.5

По чотирьох сторонах[ред.ред. код]

Image Family Pin Name Package WB WL H C L P LL T LW
PLCC 20L.gif PLCC Y Plastic Leaded Chip Carrier 20-PLCC 10 4.4 10 1.27 N/A
CLCC N Ceramic Leadless Chip Carrier 48-CLCC 14.22 14.22 2.21 14.22 1.016 N/A 0.508
Cyrix cx9210 gfdl.jpg LQFP Y Low-profile Quad Flat Package
PIC18F8720.jpg TQFP Y Thin Quad Flat Pack TQFP-44 10.00 12.00 0.35-0.50 0.80 1.00 0.09-0.20 0.30-0.45
LAMINATED CSP 16L.gif LFCSP N Lead Frame Chip Scale Package 0.5
Ic-package-MLP-28L.svg TQFN (MLPQ) N Thin Quad Flat No-lead (micro-leadframe package quad)

Історія різних видів корпусів[ред.ред. код]

Логічний елемент, ІМС Texas Instruments SN5451, в корпусі англ. Flat package (FP) винайденому Y. Tao в 1962 році, за два роки до винаходу DIP
Корпус PGA (Pin grid array)

Найперші інтегральні схеми пакувались в пласкі керамічні корпуси. Такий тип корпусів широко використовується військовими через його надійність і невеликий размір. Комерційні мікросхеми перейшли на DIP (англ. Dual In-line Package), спочатку керамічний, а потім пластиковий. В 1980-х роках кількість контактів НВІС перевищила можливості DIP корпусів, що привело до розробки корпусів PGA (англ. pin grid array) і LCC (англ. leadless chip carrier). В кінці 80-х, з ростом популярності поверхневого монтажу, з'являються корпуси SOIC (англ. Small-Outline Integrated Circuit), які мають на 30-50 % меньшу площу і на 70 % тонкіші, ніж DIP , і корпуси PLCC (англ. Plastic leaded chip carrier). В 90-х починається широке використання пластикових QFP і TSOP (англ. thin small-outline package) для ІС з великою кількістю виводів. Для складних мікропроцесорів, особливо для тих, які вставлялись в сокети, почали випускати PGA-корпуси. Intel і AMD перейшли від корпусів PGA до LGA (англ. land grid array, з'єднувач з матрицею контактних площинок).

Корпуси BGA (англ. Ball grid array) існують з 1970-х років. В 1990-х були розроблені корпуси FCBGA (BGA з перевернутим кристалом), які допускають набагато більшу кількість виводів, чим інші типи корпусів. В FCBGA кристал монтується в перевернутому вигляді і з'єднується з контактами корпуса через стовпчики (кульки) припою.

Монтаж методом перевернутого кристалу дозволяє розташовувати контактні площинки по всій площі кристалу, а не тільки по краях.

Активно розвивається подхід з розміщенням кількох чипів в одному корпусі, так звана «Система-в-корпусі» (англ. System In Package, SiP) або на загальній підкладинці, часто керамічній, так званий MCM (англ. Multi-Chip Module).

Див. також[ред.ред. код]

Посилання[ред.ред. код]