HEMT

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Перейти до: навігація, пошук

Транзистор з високою рухливістю електронів (HEMT - англ. High Electron Mobility Transistor) - польовий транзистор, в якому для створення каналу замість легованої області, на відміну від звичайних МДН- транзисторів , використовується контакт двох напівпровідникових матеріалів з різною шириною забороненої зони (Гетероперехід). Інші назви цих транзисторів : польові транзистори з керуючим переходом метал - напівпровідник і гетеропереходом , польові транзистори з модульованим легуванням , селективно - леговані гетероструктурні транзистори. У зарубіжній літературі їх позначають: HFET, HEMFET, MODFET, TEGFET, SDHT.

Див. також[ред.ред. код]