IGBT

Електронний символ IGBT.

IGBT модуль для напруги до 900 В та сили струму до 30 А.

IGBT (англ. Insulated Gate Bipolar Transistor) — силовий електронний пристрій, біполярний транзистор із ізольованим переходом. Застосовується для управління електричними приводами. Існують як окремі IGBT, так і силові збірки (модулі) для управління мережами трифазного електричного струму.

Історія

Структура IGBT-транзистора.

Цей вид транзисторів винайшли на початку 1980-х років, він запатентований International Rectifier в 1983. Перші IGBT не пішли в широкий вжиток через властиві недоліки: тривале переключення і низьку надійність. Друге (1990-і рр) і третє (сучасне) покоління IGBT в цілому звільнились від цих вад. IGBT поєднує позитивні якості двох основних видів транзисторів:

• високий вхідний опір, низький рівень потужності керування — від транзисторів з ізольованим затвором;
• низьке значення залишкової напруги при насиченні — від біполярних транзисторів.

Діапазон використання — від десятків А до 1200 А по струму, від сотен вольт до 10 кВ по напрузі. В діапазоні струмів до десятків А і напруг до 500 В доцільно використовувати звичайні МДН- (MOSFET-) транзистори, а не IGBT, так як при низьких напругах польові транзистори мають меньший опір.

Посилання

• Силові біполярні транзистори з ізольованим затвором — IGBT / К. Д. Рогачёв. (рос.)
• IGBT чи MOSFET? Оптимальний вибір / Е. Дуплякин. // Электронные компоненты, 2000, №1. (рос.)
• Встановлення IGBT-модулю на трамвай Tatra KT4 №107 науковими співробітниками Талліннського технічного універу. (ест.)
• Технічні дані IGBT-модулю для трамваю Tatra KT4. (ест.)

Див. також

• Тяговий перетворювач
• Біполярний транзистор
• Електротранспорт
• Роз'єднувач
• Частотно-регульований привід