IGBT

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Перейти до: навігація, пошук
IGBT модуль для напруги до 900 В та сили струму до 30 А.

IGBT (англ. Insulated Gate Bipolar Transistor) — силовий електронний пристрій, біполярний транзистор із ізольованим переходом. Застосовується для управління електричними приводами. Існують як окремі IGBT, так і силові збірки (модулі) для управління мережами трифазного електричного струму.

Історія[ред.ред. код]

Структура IGBT-транзистора.

Цей вид транзисторів винайшли на початку 1980-х років, він запатентований International Rectifier в 1983. Перші IGBT не пішли в широкий вжиток через властиві недоліки: тривале переключення і низьку надійність. Друге (1990-і рр) і третє (сучасне) покоління IGBT в цілому звільнились від цих вад. IGBT поєднує позитивні якості двох основних видів транзисторів:

Діапазон використання — від десятків А до 1200 А по струму, від сотен вольт до 10 кВ по напрузі. В діапазоні струмів до десятків А і напруг до 500 В доцільно використовувати звичайні МДН- (MOSFET-) транзистори, а не IGBT, так як при низьких напругах польові транзистори мають меньший опір.

Посилання[ред.ред. код]

Див. також[ред.ред. код]