IGZO

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Перейти до: навігація, пошук

Оксид індію, галію та цинку (англ. Indium gallium zinc oxide, сокр. IGZO) - напівпровідниковий матеріал, який може бути використаний як канал для прозорих тонкоплівкових транзисторів. Ці матеріали можуть бути заміною аморфного кремнію для активного шару РК-екранів. Рухливість електронів цього матеріалу в сорок разів вища, ніж у аморфного кремнію, що дозволяє зменшити розмір пікселя (для отримання розширення набагато вищого ніж формат HDTV) або час відгуку екрана.

Посилання[ред.ред. код]