Рассел Ол
| Рассел Ол | |
|---|---|
| Russell Ohl | |
| Народився |
30 січня 1898 Аллентаун, Пенсільванія, США |
| Помер |
20 березня 1987 (89 років) Віста, Каліфорнія, США |
| Країна |
 США |
| Діяльність | винахідник, фізик |
| Галузь | напівпровідники |
| Заклад |
Bell Labs Університет штату Пенсильванія |
| Відомий завдяки: | відкриття p-n-переходу |
Рассел Ш'юмейкер Ол (англ. Russell Shoemaker Ohl; 30 січня 1898 — 20 березня 1987)) — американський інженер, відомий своїми дослідженнями напівпровідників ще до відкриття транзистора. У 1946 році він отримав патент США на конструкцію сучасного сонячного елементу (U.S. Patent 2 402 662)[1].
У 1939 році Ол відкрив явище p-n-переходу[2]. В той час мало хто знав про домішки в кристалах напівпровідників, але Расселу вдалося виявити, що через наявність цих домішок деякі ділянки напівпровідника мали більший опір, і як наслідок, гірше проводили електричний струм. Бар'єр між ділянками різної «чистоти» змушував напівпровідниковий діод працювати. Усі сучасні діоди (світлодіоди, лазерні і т. д.) є нащадками робіт Ола.
Примітки[ред. | ред. код]
- ↑ Riordan M. & Hoddeson L. The origins of the pn junction (PDF) (англ) . IEEE Spectrum, June 1997, pp. 46-51. Архів оригіналу (PDF) за 28 червня 2012. Процитовано 6 жовтня 2010.
- ↑ Silicon P-N Junction (англ) . 1999, ScienCentral Inc. and American Institute of Physics. Архів оригіналу за 3 жовтня 2017. Процитовано 19 жовтня 2015.
Посилання[ред. | ред. код]
- IEEE History Center: Oral History of Russell Ohl [Архівовано 2 лютого 2014 у Wayback Machine.] (англ.)
- PBC Biography of Russell Ohl [Архівовано 9 вересня 2017 у Wayback Machine.] (англ.)
|
|
Це незавершена стаття про науковця. Ви можете допомогти проєкту, виправивши або дописавши її. |