Дно зони провідності

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Версія від 06:53, 3 серпня 2018, створена Uawikibot1 (обговорення | внесок) (вікіфікація)
(різн.) ← Попередня версія | Поточна версія (різн.) | Новіша версія → (різн.)
Перейти до навігації Перейти до пошуку

Дном зони провідності називається найнижчий за енергією стан у зоні провідності напівпровідника. Також енергія цього стану.

В залежності від напівпровідника дно зони провідності може знаходитися в різних точках зони Брілюена: Γ, X, L і т. д. Точки в центрі та на краях зони Брілюена обов'язково є мінімумами чи максимумами закону дисперсії. Проте існують напівпровідники, наприклад кремній, для яких дно зони провідності не збігається із жодною особливою точкою зони Брілюена.

Якщо дно зони провідності не припадає на Γ точку, то воно є виродженим.

Для органічних напівпровідників використовується термін найнижча незаселена молекулярна орбіталь (англійська абревіатура LUMO).

Див. також[ред. | ред. код]

Верх валентної зони