Відмінності між версіями «Мікросхема»

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Перейти до навігації Перейти до пошуку
[неперевірена версія][перевірена версія]
(→‎Джерела: Вилучено "джерела", що не стосуються теми.)
(Не показані 40 проміжних версій 27 користувачів)
Рядок 1: Рядок 1:
[[Файл:Microchips.jpg|right|thumb|200px|Мікросхема ([[Постійний запам'ятовувач|ППЗП]]) з прозорим віконцем, через яке видно кристал напівпровідника]]
+
[[Файл:Microchips.jpg|right|thumb|200px|Мікросхема ([[EPROM]]) з прозорим віконцем, через яке видно кристал напівпровідника]]
[[{{ns:file}}:Intel Pentium Processor (backside) with heat sink.jpg|thumb|Інтегральна схема(І мікросхема)]]
+
[[{{ns:file}}:Intel Pentium Processor (backside) with heat sink.jpg|thumb|Мікропроцесор Intel Pentium з тепловідводом]]
'''Мікросхе́ма''', '''інтегральна мікросхема''' ({{lang-en|integrated circuit}}) — електронна схема, що реалізована у вигляді [[напівпровідник|напівпровідникового]] кристалу (чипу) та виконує певну функцію. Винайдена у [[1958]] році американськими винахідниками [[Джек Кілбі|Джеком Кілбі]] та [[Роберт Нойс|Робертом Нойсом]].
+
'''Мікросхе́ма''', '''інтегральна мікросхема''' ({{lang-en|integrated circuit}}) — електронна схема, що реалізована у вигляді [[напівпровідник]]ового кристалу (чипу) та виконує певну функцію. Винайдена у [[1958]] році американськими винахідниками [[Джек Кілбі|Джеком Кілбі]] та [[Роберт Нойс|Робертом Нойсом]].
   
Чип  — напівпровідникова структура, на поверхні якої сформовані контактні площинки.
+
Чип ({{lang-en|chip}}, буквально&nbsp;— «маленький плоский шматочок», «плоска скалка»)&nbsp;— напівпровідникова структура, на поверхні якої сформовані контактні площинки<ref>{{cite web
  +
|publisher = Українське агентство зі стандартизації
<ref>[http://www.ukrndnc.org.ua/index.php?option=com_terminus&Itemid=194&task=view&id=28476]
 
  +
|title = Національний банк стандартизованих науково-технічних термінів
КОНТАКТНА ПЛОЩИНКА ІНТЕГРОВАНОЇ МІКРОСХЕМИ &nbsp;— металізована ділянка на підшарку, кристалі або корпусі інтегрованої мікросхеми, яка служить для приєднання виводів компонентів та кристалів, перемичок, а також для контролю електричних параметрів та режимів мікросхеми.</ref>
 
 
|url = http://ukrndnc.org.ua/index.php?option=com_terminus&Itemid=194&task=view&id=39246
Часто під інтегральною схемою (ІС) розуміють власне кристал або плівку з електронною схемою, а під мікросхемою (МС) — ІС в корпусі.
 
 
|quote = КОНТАКТНА ПЛОЩИНКА ІНТЕГРОВАНОЇ МІКРОСХЕМИ &nbsp;— металізована ділянка на підшарку, кристалі або корпусі інтегрованої мікросхеми, яка служить для приєднання виводів компонентів та кристалів, перемичок, а також для контролю електричних параметрів та режимів мікросхеми.}}</ref>.
 
Часто під інтегральною схемою (ІС) розуміють власне кристал або плівку з електронною схемою, а під мікросхемою (МС)&nbsp;— ІС в корпусі.
   
У [[1961]] році фірма [[Fairchild Semiconductor]] Corporation випустила [[інтегральна мікросхема|інтегральні схеми]] у вільний продаж, і їх відразу стали використовувати у виробництві [[калькулятор|калькуляторів]] і [[комп'ютер|комп'ютерів]] замість окремих [[транзистор|транзисторів]], що дозволило значно зменшити їхній розмір, та збільшити продуктивність.
+
У [[1961]] році фірма [[Fairchild Semiconductor]] Corporation випустила інтегральні схеми у вільний продаж, і їх відразу стали використовувати у виробництві [[калькулятор]]ів і [[комп'ютер]]ів замість окремих [[транзистор]]ів, що дозволило значно зменшити їхній розмір, та збільшити продуктивність.
   
Перша радянська напівпровідникова мікросхема була створена у [[1961]] році, в Таганрозькому радіотехнічному інституті, в лабораторії Л.&nbsp;Н.&nbsp;Колесова..
+
Перша радянська напівпровідникова мікросхема була створена у [[1961]] році, в Таганрозькому радіотехнічному інституті, в лабораторії Л.&nbsp;Н.&nbsp;Колесова.
   
== Історія <ref> Історія Київського НДІ "Мікроприладів" в книзі ''Стратегия выбора''. К.: «Корнійчук», 2012.-528 с. ISBN 978-966-7599-76-8</ref> ==
+
== Історія<ref>Історія Київського НДІ «Мікроприладів» в книзі ''Стратегия выбора''.&nbsp;— К.: «Корнійчук», 2012.&nbsp;— 528 с. ISBN 978-966-7599-76-8</ref> ==
  +
{{Main|Винайдення інтегральної схеми}}
Винахід [[мікросхема|мікросхем]] розпочався з вивчення властивостей тонких [[оксид|оксидних]] плівок, що проявляються в ефекті поганої електропровідності при невеликій [[Електрична напруга|електричній напрузі]]. Проблема полягала в тому, що в місці зіткнення двох [[метал|металів]] не відбувалося електричного контакту або він мав полярні властивості. Глибокі вивчення цього феномену привели до винаходу [[діод|діодів]], а пізніше до транзисторів і інтегральних мікросхем.
+
Винахід [[мікросхема|мікросхем]] розпочався з вивчення властивостей тонких [[оксид]]них плівок, що проявляються в ефекті поганої електропровідності при невеликій [[Електрична напруга|електричній напрузі]]. Проблема полягала в тому, що в місці зіткнення двох [[метал]]ів не відбувалося електричного контакту або він мав полярні властивості. Глибокі вивчення цього феномену привели до винаходу [[діод]]ів, а пізніше до транзисторів і інтегральних мікросхем.
   
У [[1958]] році двоє учених, що жили в абсолютно різних місцях, винайшли практично ідентичну модель інтегральної схеми. Один з них, Джек Кілбі, працював на [[Texas Instruments]], інший, Роберт Нойс, був одним із засновників невеликої компанії по виробництву напівпровідників [[Fairchild Semiconductor]]. Обох об'єднало питання: «Як в мінімум місця вмістити максимум компонентів?». [[Транзистор]]и, [[резистор|резистори]], [[конденсатор|конденсатори]] та інші деталі у той час розміщувалися на платах окремо, і вчені вирішили спробувати їх об'єднати на одному монолітному кристалі з напівпровідникового матеріалу. Тільки Кілбі скористався [[Германій|германієм]], а Нойс віддав перевагу [[Кремній|кремнію]]. У 1959 році вони окремо один від одного отримали патенти на свої винаходи&nbsp;— почалося протистояння двох компаній, яке закінчилося мирним договором і створенням спільної ліцензії на виробництво чипів. Після того, як в 1961 році Fairchild Semiconductor Corporation пустила інтегральні схеми у вільний продаж, їх відразу стали використовувати у виробництві калькуляторів і комп'ютерів замість окремих транзисторів, що дозволило значно зменшити розмір і збільшити продуктивність.
+
У [[1958]] році двоє учених, що жили в абсолютно різних місцях, винайшли практично ідентичну модель інтегральної схеми. Один з них, Джек Кілбі, працював на [[Texas Instruments]], інший, Роберт Нойс, був одним із засновників невеликої компанії по виробництву напівпровідників [[Fairchild Semiconductor]]. Обох об'єднало питання: «Як в мінімум місця вмістити максимум компонентів?». [[Транзистор]]и, [[резистор]]и, [[конденсатор]]и та інші деталі у той час розміщувалися на платах окремо, і вчені вирішили спробувати їх об'єднати на одному монолітному кристалі з напівпровідникового матеріалу. Тільки Кілбі скористався [[Германій|германієм]], а Нойс віддав перевагу [[Кремній|кремнію]]. У 1959 році вони окремо один від одного отримали патенти на свої винаходи&nbsp;— почалося протистояння двох компаній, яке закінчилося мирним договором і створенням спільної ліцензії на виробництво чипів. Після того, як в 1961 році Fairchild Semiconductor Corporation пустила інтегральні схеми у вільний продаж, їх відразу стали використовувати у виробництві калькуляторів і комп'ютерів замість окремих транзисторів, що дозволило значно зменшити розмір і збільшити продуктивність.
   
Перша в СРСР напівпровідникова інтегральна мікросхема була розроблена (створена) на основі [[планарна технологія|планарної технології]], розробленої на початку 1960 року в НДІ-35 (потім перейменований в НДІ «Пульсар») колективом, який надалі був переведений в НИИМЭ (Мікрон). Створення першої радянської кремнієвої інтегральної схеми було сконцентроване на розробці і виробництві з метою використання у військовій техніці серії інтегральних кремнієвих схем МС-100 (37 елементів&nbsp;— еквівалент складності схемотехніки тригера, аналога американських ІС серії SN51 фірми [[Texas Instruments|Texas Instruments]]). Зразки-прототипи і виробничі зразки кремнієвих інтегральних схем для відтворення були отримані із США. Роботи проводилися НДІ-35 (директор Трутко) і Фрязінським заводом (директор Колмогоров) за оборонним замовленням для використання в автономному висотомірі системи наведення [[Балістична ракета|балістичної ракети]]. Розробка містила шість типових інтегральних кремнієвих планарных схем серії МС-100 і з організацією дослідного виробництва зайняла в НДІ-35 три роки (з 1962 по 1965 рік). Ще два роки пішло на освоєння заводського виробництва з військовим прийманням у [[Фрязіно]] (1967 рік).
+
Перша в СРСР напівпровідникова інтегральна мікросхема була розроблена (створена) на основі [[планарна технологія|планарної технології]], розробленої на початку 1960 року в НДІ-35 (потім перейменований в НДІ «Пульсар») колективом, який надалі був переведений в НИИМЭ (Мікрон). Створення першої радянської кремнієвої інтегральної схеми було сконцентроване на розробці і виробництві з метою використання у військовій техніці серії інтегральних кремнієвих схем МС-100 (37 елементів&nbsp;— еквівалент складності схемотехніки тригера, аналога американських ІС серії SN51 фірми [[Texas Instruments]]). Зразки-прототипи і виробничі зразки кремнієвих інтегральних схем для відтворення були отримані із США. Роботи проводилися НДІ-35 (директор Трутко) і Фрязінським заводом (директор Колмогоров) за оборонним замовленням для використання в автономному висотомірі системи наведення [[Балістична ракета|балістичної ракети]]. Розробка містила шість типових інтегральних кремнієвих планарних схем серії МС-100 і з організацією дослідного виробництва зайняла в НДІ-35 три роки (з 1962 по 1965 рік). Ще два роки пішло на освоєння заводського виробництва з військовим прийманням у [[Фрязіно]] (1967 рік).
   
 
== Рівні проектування ==
 
== Рівні проектування ==
Рядок 24: Рядок 27:
 
* Електричний&nbsp;— принципова електрична схема (транзистори, конденсатори, резистори тощо).
 
* Електричний&nbsp;— принципова електрична схема (транзистори, конденсатори, резистори тощо).
 
* Фізичний&nbsp;— методи реалізації одного транзистора (чи невеликої групи) у вигляді легованих зон на кристалі.
 
* Фізичний&nbsp;— методи реалізації одного транзистора (чи невеликої групи) у вигляді легованих зон на кристалі.
* Топологічний&nbsp;— топологічні фотошаблони для виробництва.
+
* Топологічний&nbsp;— схеми трасування друкованих плат та топологічні фотошаблони для виробництва.
* Програмний рівень&nbsp;— дозволяє програмістові програмувати (для мікроконтроллерів і мікропроцесорів) модель, що розробляється, використовуючи віртуальну схему.
+
* Програмний рівень&nbsp;— дозволяє програмістові програмувати (для мікроконтролерів і мікропроцесорів) модель, що розробляється, використовуючи віртуальну схему.
   
Нині велика частина інтегральних схем проектується за допомогою спеціалізованих [[Система автоматизованого проектування і розрахунку|САПР]], які дозволяють автоматизувати і значно прискорити виробничі процеси, наприклад, отримання топологічних фотошаблонів.
+
Нині велика частина інтегральних схем проектується за допомогою спеціалізованих [[Система автоматизованого проектування і розрахунку|САПР]], які дозволяють автоматизувати і значно прискорити виробничі процеси. [[Програми проектування електронних систем]], наприклад, дозволяють створювати креслення принципових схем, обирати найкраще розміщення електронних компонентів (для досягнення найменшої довжини струмопровідних доріжок, балансування сигнальних ліній тощо), генерувати файли фотошаблонів та інструкцій для виготовлення схем на станках з [[ЧПК]].
   
 
== Технології виготовлення ==
 
== Технології виготовлення ==
  +
 
=== Елементна база ===
 
=== Елементна база ===
 
Основним елементом аналогових мікросхем є [[транзистор]]и (біполярні або польові). Різниця в технології виготовлення транзисторів істотно впливає на характеристики мікросхем. Тому нерідко в описі мікросхеми вказують технологію виготовлення, щоб підкреслити тим самим загальну характеристику властивостей і можливостей мікросхеми. У сучасних технологіях об'єднують технології біполярних і польових транзисторів, щоб добитися поліпшення характеристик мікросхем.
 
Основним елементом аналогових мікросхем є [[транзистор]]и (біполярні або польові). Різниця в технології виготовлення транзисторів істотно впливає на характеристики мікросхем. Тому нерідко в описі мікросхеми вказують технологію виготовлення, щоб підкреслити тим самим загальну характеристику властивостей і можливостей мікросхеми. У сучасних технологіях об'єднують технології біполярних і польових транзисторів, щоб добитися поліпшення характеристик мікросхем.
   
 
За технологією виготовлення транзисторів мікросхеми поділяються:
 
За технологією виготовлення транзисторів мікросхеми поділяються:
* Мікросхеми на уніполярних (польових) транзисторах&nbsp;— найекономічніші (по споживанню струму)
+
* мікросхеми на уніполярних (польових) транзисторах&nbsp;— найекономічніші (по споживанню струму);
* Мікросхеми на біполярних транзисторах.
+
* мікросхеми на біполярних транзисторах.
   
 
=== Технологічний процес ===
 
=== Технологічний процес ===
 
При виготовленні мікросхем використовується метод [[фотолітографія|фотолітографії]] (проекційної, контактної та ін.), при цьому схему формують на [[Підкладка (електроніка)|підкладці]] (зазвичай з кремнію), отриманій шляхом різання алмазними дисками монокристалів кремнію на тонкі пластини. Зважаючи на крихту лінійних розмірів елементів мікросхем, від використання видимого світла, і навіть ближнього ультрафіолету, при засвіченні давно відмовилися.
 
При виготовленні мікросхем використовується метод [[фотолітографія|фотолітографії]] (проекційної, контактної та ін.), при цьому схему формують на [[Підкладка (електроніка)|підкладці]] (зазвичай з кремнію), отриманій шляхом різання алмазними дисками монокристалів кремнію на тонкі пластини. Зважаючи на крихту лінійних розмірів елементів мікросхем, від використання видимого світла, і навіть ближнього ультрафіолету, при засвіченні давно відмовилися.
   
В якості характеристики технологічного процесу виробництва мікросхем вказують мінімальні контрольовані розміри топології фотоповторювача (контактні вікна в оксиді кремнію, ширина затворів в транзисторах і&nbsp;т.&nbsp;д.) і, як наслідок, розміри транзисторів (і інших елементів) на кристалі. Цей параметр, проте, знаходиться у взаємозалежності з рядом інших виробничих можливостей : чистотою отримуваного кремнію, характеристиками інжекторів, методами фотолітографії, методами витравлення і напилення.
+
Як характеристики технологічного процесу виробництва мікросхем вказують мінімальні контрольовані розміри топології фотоповторювача (контактні вікна в оксиді кремнію, ширина затворів в транзисторах і&nbsp;т.&nbsp;д.) і, як наслідок, розміри транзисторів (і інших елементів) на кристалі. Цей параметр, проте, знаходиться у взаємозалежності з рядом інших виробничих можливостей: чистотою отримуваного кремнію, характеристиками інжекторів, методами фотолітографії, методами витравлення і напилення.
   
 
В 1970-х роках мінімальний контрольований розмір становив 2-8 мкм, в 1980-х був зменшений до 0,5-2 мкм. Деякі експериментальні зразки устаткування фотолітографії рентгенівського діапазону забезпечували мінімальний розмір 0,18 мкм.
 
В 1970-х роках мінімальний контрольований розмір становив 2-8 мкм, в 1980-х був зменшений до 0,5-2 мкм. Деякі експериментальні зразки устаткування фотолітографії рентгенівського діапазону забезпечували мінімальний розмір 0,18 мкм.
Рядок 46: Рядок 50:
 
В 1990-х роках, через новий виток «війни платформ», експериментальні методи стали впроваджуватися у виробництво і швидко удосконалюватися. На початку 1990-х процесори (наприклад, ранні Pentium і Pentium Pro) виготовляли за технологією 0,5-0,6 мкм (500—600 нм). Потім їх рівень піднявся до 250—350 нм. Наступні процесори (Pentium 2, K6&nbsp;— 2, Athlon) вже робили за технологією 180 нм.
 
В 1990-х роках, через новий виток «війни платформ», експериментальні методи стали впроваджуватися у виробництво і швидко удосконалюватися. На початку 1990-х процесори (наприклад, ранні Pentium і Pentium Pro) виготовляли за технологією 0,5-0,6 мкм (500—600 нм). Потім їх рівень піднявся до 250—350 нм. Наступні процесори (Pentium 2, K6&nbsp;— 2, Athlon) вже робили за технологією 180 нм.
   
У кінці 1990-х фірма [[Texas Instruments]] створила нову ультрафіолетову технологію з мінімальним контрольованим розміром близько 80 нм. Але досягти її в масовому виробництві не вдавалося аж до недавнього часу. За станом на 2009 рік технології вдалося забезпечити рівень виробництва аж до 90 нм.
+
Наприкінці 1990-х фірма [[Texas Instruments]] створила нову ультрафіолетову технологію з мінімальним контрольованим розміром близько 80 нм. Але досягти її в масовому виробництві не вдавалося аж до недавнього часу. За станом на 2009 рік технології вдалося забезпечити рівень виробництва аж до 90 нм.
   
Нові процесори (спершу це був Core 2 Duo) роблять по новій УФ-технологии 45 нм. Є і інші мікросхеми, що давно досягли і перевищили цей рівень (зокрема, відеопроцесори і флеш-память фірми [[Samsung]]&nbsp;— 40 нм). Проте подальший розвиток технології викликає все більше труднощів. Обіцянки фірми [[Intel]] по переходу на рівень 30 нм вже до 2006 року так і не збулися.
+
Нові процесори (спершу це був Core 2 Duo) роблять по новій УФ-технології 45 нм. Є і інші мікросхеми, що давно досягли і перевищили цей рівень (зокрема, відеопроцесори і флеш-пам'ять фірми [[Samsung]]&nbsp;— 40 нм). Проте подальший розвиток технології викликає все більше труднощів. Обіцянки фірми [[Intel]] по переходу на рівень 30 нм вже до 2006 року так і не збулися.
   
 
За станом на 2009 рік альянс провідних розробників і виробників мікросхем працює над технологічним процесом 32 нм.
 
За станом на 2009 рік альянс провідних розробників і виробників мікросхем працює над технологічним процесом 32 нм.
   
В 2010-му в роздрібному продажі вже з'явилися процесори, розроблені по 32-х нм технологічному процесу.
+
У 2010-му в роздрібному продажі вже з'явилися процесори, розроблені по 32-х нм технологічному процесу.
   
  +
=== Ступінь інтеграції ===
Очікується, що наступним, напевно, буде технологічний процес 22 нм.
 
  +
Залежно від ступеня інтеграції застосовують наступні назви інтегральних схем:
  +
  +
{|class="wikitable sortable"
  +
! Скорочення !! Розшифровка !! Рік !! Кількість [[транзистор]]ів<ref>
  +
http://www.iutbayonne.univ-pau.fr/~dalmau/documents/cours/archi/MICROPancien.pdf</ref> !! Кількість [[Логічний вентиль|вентилів]]<ref>{{cite book|language=fr|url=https://books.google.fr/books?id=ZbcsAQAAIAAJ&q=ssi+msi+12+99+portes+lsi&dq=ssi+msi+12+99+portes+lsi&hl=fr&sa=X&ei=oWR0VeqMGcW0UeiHgNAD&ved=0CC8Q6AEwAA|title=Bulletin de la Societe fribourgeoise des sciences naturelles, Volumes 62 à 63|year=1973}}</ref>
  +
|-
  +
| МІС ({{lang-en|SSI}}) || мала інтегральна схема ({{lang-en|small-scale integration}}) || 1964 || від 1 до 10 || 1 до 12
  +
|-
  +
| СІС ({{lang-en|MSI}}) || середня інтегральна схема ({{lang-en|medium-scale integration}}) || 1968 || від 10 до 500 || від 13 до 99
  +
|-
  +
| ВІС ({{lang-en|LSI}}) || велика інтегральна схема ({{lang-en|large-scale integration}}) || 1971 || від 500 до {{formatnum:20000}} || від 100 до {{formatnum:9999}}
  +
|-
  +
| НВІС ({{lang-en|VLSI}}) || надвелика інтегральна схема ({{lang-en|very large-scale integration}}) || 1980 || від {{formatnum:20000}} до {{formatnum:1000000}} || від {{formatnum:10000}} до {{formatnum:99999}}
  +
|-
  +
| {{lang-en|ULSI}} || {{lang-en|ultra-large-scale integration}} || 1984 || від {{formatnum:1000000}} і більше || від {{formatnum:100000}} і більше
  +
|}
   
 
=== Контроль якості ===
 
=== Контроль якості ===
Рядок 60: Рядок 80:
   
 
== Серії мікросхем ==
 
== Серії мікросхем ==
Аналогові і цифрові мікросхеми випускаються серіями. Серія&nbsp;— це група мікросхем, що мають єдине конструктивно-технологічне виконання і призначені для спільного застосування. Мікросхеми однієї серії, як правило, мають однакову напругу джерел живлення, погоджені по вхідних і вихідних опорах, рівнях сигналів.
+
Аналогові і цифрові мікросхеми випускаються серіями. Серія&nbsp;— це група мікросхем, що мають єдине конструктивно-технологічне виконання і призначені для спільного застосування. Мікросхеми однієї серії, як правило, мають однакову напругу джерел живлення, погоджені по вхідних і вихідних опорах, рівнях сигналів. Наприклад, [[Мікросхеми_серії_74xx|серія 74HC]]&nbsp;— серія цифрових CMOS мікросхем загального призначення з ТТЛ-сумісними входами та виходами, а [[Мікросхеми_серії_54xx|серія 54HC]]&nbsp;— її варіант з розширеним температурним діапазоном військового призначення (також називають підсерією).
   
 
== Корпуси мікросхем ==
 
== Корпуси мікросхем ==
 
{{main|Корпус мікросхеми}}
 
{{main|Корпус мікросхеми}}
Мікросхеми випускаються в двох конструктивних варіантах&nbsp;— корпусному і безкорпусному.
+
Мікросхеми випускаються в двох конструктивних варіантах&nbsp;— корпусному і [[Chip-On-Board|безкорпусному]].
   
Безкорпусна мікросхема&nbsp;— це напівпровідниковий кристал, призначений для монтажу в гібридну мікросхему або мікрозборку (можливий безпосередній монтаж на друковану плату). [[Корпус мікросхеми]]&nbsp;— це частина конструкції мікросхеми, призначена для захисту від зовнішніх дій і для з'єднання із зовнішніми електричними колами за допомогою виводів. Корпуси стандартизовані для спрощення технологічного процесу виготовлення виробів з різних мікросхем. Число стандартних корпусів обчислюється сотнями. У сучасних імпортних корпусах для поверхневого монтажу застосовують і метричні розміри: 0,8 мм; 0,65 мм і інші.
+
Безкорпусна мікросхема&nbsp;— це напівпровідниковий кристал, призначений для монтажу в гібридну мікросхему або мікрозборку (можливий безпосередній монтаж на друковану плату). [[Корпус мікросхеми]]&nbsp;— це частина конструкції мікросхеми, призначена для захисту від зовнішніх дій і для з'єднання із зовнішніми електричними колами за допомогою виводів. Корпуси стандартизовані для спрощення технологічного процесу виготовлення виробів з різних мікросхем. Число стандартних корпусів обчислюється сотнями. У сучасних імпортних корпусах для поверхневого монтажу застосовують і метричні розміри: 0,8&nbsp;мм; 0,65&nbsp;мм і інші.
   
 
== Призначення ==
 
== Призначення ==
Рядок 72: Рядок 92:
   
 
=== Аналогові схеми ===
 
=== Аналогові схеми ===
* [[Операційний підсилювач|Операційні підсилювачі]].
+
* [[Операційний підсилювач|Операційні підсилювачі]]
* [[Компаратор]]и.
+
* [[Компаратор]]и
* [[Електронний генератор|Генератори сигналів]].
+
* [[Електронний генератор|Генератори сигналів]]
* [[Електронний фільтр|Фільтри]] (у тому числі на п'єзоефекті).
+
* [[Електронний фільтр|Фільтри]] (у тому числі на п'єзоефекті)
* [[Змішувач (електроніка)|Аналогові помножувачі]].
+
* [[Змішувач (електроніка)|Аналогові помножувачі]]
 
* Аналогові [[атенюатор]]и і регульовані підсилювачі
 
* Аналогові [[атенюатор]]и і регульовані підсилювачі
* Стабілізатори джерел живлення : [[Мікросхема стабілізатора напруги|стабілізатори напруги]] і струму.
+
* Стабілізатори джерел живлення: стабілізатори [[Стабілізатор напруги#Інтегральний стабілізатор напруги|напруги]] і [[Стабілізатор струму|струму]]
* Мікросхеми [[Імпульсний стабілізатор напруги|управління імпульсних блоків живлення]],
+
* Мікросхеми управління [[Імпульсний стабілізатор напруги|імпульсних блоків живлення]]
* [[Вимірювальний перетворювач|Перетворювачі сигналів]].
+
* [[Вимірювальний перетворювач|Перетворювачі сигналів]]
* Схеми [[синхронізація|синхронізації]].
+
* Схеми [[синхронізація|синхронізації]]
 
* Різні [[Давач|датчики]] (температури та ін.)
 
* Різні [[Давач|датчики]] (температури та ін.)
   
Рядок 88: Рядок 108:
 
* [[Тригер]]и
 
* [[Тригер]]и
 
* [[Лічильник імпульсів|Лічильники]]
 
* [[Лічильник імпульсів|Лічильники]]
* [[Регістр]]и
+
* [[Регістр (цифрова техніка)|Регістри]]
 
* [[Буфер (інформатика)|Буферні]] перетворювачі
 
* [[Буфер (інформатика)|Буферні]] перетворювачі
* [[Шифратор(електроніка)|Шифратори]]
+
* [[Шифратор]]и
 
* [[Дешифратор]]и
 
* [[Дешифратор]]и
 
* [[Цифровий компаратор]]
 
* [[Цифровий компаратор]]
Рядок 96: Рядок 116:
 
* [[Демультиплексор]]и
 
* [[Демультиплексор]]и
 
* [[Суматор]]и
 
* [[Суматор]]и
  +
* [[Напівсуматор]]и
* півсуматори
 
 
* [[Мультиплексор|Ключі]]
 
* [[Мультиплексор|Ключі]]
* Арифметико-логічні пристрої (англ. ALU)
+
* [[Арифметико-логічний пристрій|Арифметико-логічні пристрої]]
 
* [[Мікроконтролер]]и
 
* [[Мікроконтролер]]и
 
* [[Мікропроцесор|(Мікро) процесори]] (у тому числі ЦП для комп'ютерів)
 
* [[Мікропроцесор|(Мікро) процесори]] (у тому числі ЦП для комп'ютерів)
Рядок 106: Рядок 126:
   
 
Цифрові інтегральні мікросхеми мають ряд переваг в порівнянні з аналоговими:
 
Цифрові інтегральні мікросхеми мають ряд переваг в порівнянні з аналоговими:
 
 
* Зменшене [[енергоспоживання]] пов'язане із застосуванням в цифровій електроніці імпульсних електричних сигналів. При отриманні і перетворенні таких сигналів активні елементи електронних пристроїв (транзисторів) працюють в «ключовому» режимі, тобто транзистор або «відкритий»&nbsp;— що відповідає сигналу високого рівня (1), або «закритий»&nbsp;— (0), в першому випадку на транзисторі немає падіння напруги, в другому&nbsp;— через нього не йде струм. У обох випадках енергоспоживання близьке до 0, на відміну від аналогових пристроїв, в яких велику частину часу транзистори знаходяться в проміжному (резистивному) стані.
 
* Зменшене [[енергоспоживання]] пов'язане із застосуванням в цифровій електроніці імпульсних електричних сигналів. При отриманні і перетворенні таких сигналів активні елементи електронних пристроїв (транзисторів) працюють в «ключовому» режимі, тобто транзистор або «відкритий»&nbsp;— що відповідає сигналу високого рівня (1), або «закритий»&nbsp;— (0), в першому випадку на транзисторі немає падіння напруги, в другому&nbsp;— через нього не йде струм. У обох випадках енергоспоживання близьке до 0, на відміну від аналогових пристроїв, в яких велику частину часу транзистори знаходяться в проміжному (резистивному) стані.
 
* Висока [[завади|завадостійкість]] цифрових пристроїв пов'язана з великою відмінністю сигналів високого (наприклад, 2,5-5 В) і низького (0-0,5 В) рівня. Помилка можлива при таких перешкодах, коли високий рівень сприймається як низький і навпаки, що маловірогідно. Крім того, в цифрових пристроях можливе застосування спеціальних кодів, що дозволяють виправляти помилки.
 
* Висока [[завади|завадостійкість]] цифрових пристроїв пов'язана з великою відмінністю сигналів високого (наприклад, 2,5-5 В) і низького (0-0,5 В) рівня. Помилка можлива при таких перешкодах, коли високий рівень сприймається як низький і навпаки, що маловірогідно. Крім того, в цифрових пристроях можливе застосування спеціальних кодів, що дозволяють виправляти помилки.
Рядок 112: Рядок 131:
   
 
=== Аналогово-цифрові схеми ===
 
=== Аналогово-цифрові схеми ===
 
* Цифро-аналогові ([[ЦАП]]) і аналогово-цифрові перетворювачі ([[АЦП]])
 
 
* [[Цифровий обчислювальний синтезатор|Цифрові обчислювальні синтезатори]] (ЦОС)
* цифро-аналогові ([[ЦАП]]) і аналогово-цифрові перетворювачі ([[АЦП]]).
 
 
* [[Трансивер]]и (наприклад, перетворювач інтерфейсу Ethernet)
* [[Цифровий обчислювальний синтезатор|Цифрові обчислювальні синтезатори]] (ЦОС).
 
 
* [[Модулятор]]и і [[демодулятор]]и
* [[Трансивер]]и (наприклад, перетворювач інтерфейсу Ethernet).
 
* [[Модулятор]]и і [[демодулятор]]и.
 
 
* [[модем|Радіомодеми]]
 
* [[модем|Радіомодеми]]
 
* [[Дешифратор |Декодери]] телетексту, УКХ-радіо-тексту
 
* [[Дешифратор |Декодери]] телетексту, УКХ-радіо-тексту
Рядок 124: Рядок 142:
 
* Сенсор [[Комп'ютерна миша|оптичної миші]]
 
* Сенсор [[Комп'ютерна миша|оптичної миші]]
 
* Перетворювачі напруги живлення і інші пристрої на перемикальних конденсаторах
 
* Перетворювачі напруги живлення і інші пристрої на перемикальних конденсаторах
* Цифрові атенюатори.
+
* Цифрові атенюатори
* Схеми [[ФАПЧ|фазового автопідстроювання частоти (ФАПЧ)]] з послідовним інтерфейсом.
+
* Схеми [[ФАПЧ|фазового автопідстроювання частоти (ФАПЧ)]] з послідовним інтерфейсом
* [[Мультиплексор|Комутатори]].
+
* [[Мультиплексор|Комутатори]]
 
* [[Електронний генератор|Генератори]] і відновники частоти тактової синхронізації
 
* [[Електронний генератор|Генератори]] і відновники частоти тактової синхронізації
* [[Базовий матричний кристал|Базові матричні кристали]] (БМК) : містить як аналогові, так і цифрові первинні елементи.
+
* [[Базовий матричний кристал|Базові матричні кристали]] (БМК): містить як аналогові, так і цифрові первинні елементи
   
 
== Див. також ==
 
== Див. також ==
[[Твердотільна електроніка]]
+
* [[Твердотільна електроніка]]
  +
* [[Інтегральна мікросхема]]
  +
* [[Технологічний процес в електронній промисловості]]
  +
* [[Типи корпусів мікросхем]]
  +
* [[ASSP (електроніка)]]
   
 
== Примітки ==
 
== Примітки ==
Рядок 137: Рядок 159:
   
 
== Джерела ==
 
== Джерела ==
 
* [http://www.3dnews.ru/news/ibm_i_amd_brosili_vizov_intel_v_tehprotsesse_22_nm/ IBM и AMD бросили вызов Intel в 22-нм техпроцессе]
* [http://ark.intel.com/Product.aspx?id=47932&processor=i7-980X&spec-codes=SLBUZ]
 
  +
* [https://web.archive.org/web/20101016052946/http://www.ixbt.com/news/all/index.shtml?13%2F79%2F16 По следам IDF 2010: Intel запланировала перевод процессоров Atom на техпроцесс 22 и 15 нм]
* [http://news.ferra.ru/hard/2010/03/16/96913/]
 
 
* [http://www.oszone.net/13142/Globalfoundries_technology_process Globalfoundries осваивает техпроцесс по нормам 22 и 20 нм]
* [http://www.3dnews.ru/news/ibm_i_amd_brosili_vizov_intel_v_tehprotsesse_22_nm/]
 
 
* [http://www.innovbusiness.ru/content/document_r_57E556B1-72DB-47A4-AAD1-8697EA702760.html ПРАВО НА ТОПОЛОГИИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ]
* [http://www.ixbt.com/news/all/index.shtml?13/79/16]
 
  +
* [https://archive.is/20121225021138/elanina.narod.ru/lanina/index.files/student/tehnology/text/page1.htm Общие сведения о микросхемах и технологии их изготовления.]
* [http://www.oszone.net/13142/Globalfoundries_technology_process]
 
  +
* [http://www.innovbusiness.ru/content/document_r_57E556B1-72DB-47A4-AAD1-8697EA702760.html]
 
  +
== Література ==
* [http://elanina.narod.ru/lanina/index.files/student/tehnology/text/page1.htm]
 
  +
* Електроніка і мікросхемотехніка&nbsp;: Навч. посіб. для підгот. фахівців із спец. «Енергетика с.-г. вир-ва» в аграр. вищ. навч. закл. ІІІ&nbsp;— IV рівнів акредитації / В.&nbsp;Т.&nbsp;Дмитрів, В.&nbsp;М.&nbsp;Шиманський&nbsp;; Львівський держ. аграр. ун-т.&nbsp;— Л.&nbsp;: Афіша, 2004.&nbsp;— 176 c.&nbsp;— Бібліогр.: с. 171—172.
 
  +
 
{{tech-stub}}
 
{{tech-stub}}
 
{{Electronics-stub}}
 
{{Electronics-stub}}
   
 
{{Електронні компоненти}}
 
{{Електронні компоненти}}
  +
{{Інформатика}}
  +
 
[[Категорія:Електронні компоненти]]
 
[[Категорія:Електронні компоненти]]
  +
[[Категорія:Інтегральні схеми]]
 
[[Категорія:Мікроелектроніка]]
 
[[Категорія:Мікроелектроніка]]
 
[[Категорія:Мікропроцесорна техніка]]
 
[[Категорія:Мікропроцесорна техніка]]
  +
[[Категорія:Корпуси мікросхем]]

Версія за 17:07, 11 травня 2020

Мікросхема (EPROM) з прозорим віконцем, через яке видно кристал напівпровідника
Мікропроцесор Intel Pentium з тепловідводом

Мікросхе́ма, інтегральна мікросхема (англ. integrated circuit) — електронна схема, що реалізована у вигляді напівпровідникового кристалу (чипу) та виконує певну функцію. Винайдена у 1958 році американськими винахідниками Джеком Кілбі та Робертом Нойсом.

Чип (англ. chip, буквально — «маленький плоский шматочок», «плоска скалка») — напівпровідникова структура, на поверхні якої сформовані контактні площинки[1]. Часто під інтегральною схемою (ІС) розуміють власне кристал або плівку з електронною схемою, а під мікросхемою (МС) — ІС в корпусі.

У 1961 році фірма Fairchild Semiconductor Corporation випустила інтегральні схеми у вільний продаж, і їх відразу стали використовувати у виробництві калькуляторів і комп'ютерів замість окремих транзисторів, що дозволило значно зменшити їхній розмір, та збільшити продуктивність.

Перша радянська напівпровідникова мікросхема була створена у 1961 році, в Таганрозькому радіотехнічному інституті, в лабораторії Л. Н. Колесова.

Історія[2]

Винахід мікросхем розпочався з вивчення властивостей тонких оксидних плівок, що проявляються в ефекті поганої електропровідності при невеликій електричній напрузі. Проблема полягала в тому, що в місці зіткнення двох металів не відбувалося електричного контакту або він мав полярні властивості. Глибокі вивчення цього феномену привели до винаходу діодів, а пізніше до транзисторів і інтегральних мікросхем.

У 1958 році двоє учених, що жили в абсолютно різних місцях, винайшли практично ідентичну модель інтегральної схеми. Один з них, Джек Кілбі, працював на Texas Instruments, інший, Роберт Нойс, був одним із засновників невеликої компанії по виробництву напівпровідників Fairchild Semiconductor. Обох об'єднало питання: «Як в мінімум місця вмістити максимум компонентів?». Транзистори, резистори, конденсатори та інші деталі у той час розміщувалися на платах окремо, і вчені вирішили спробувати їх об'єднати на одному монолітному кристалі з напівпровідникового матеріалу. Тільки Кілбі скористався германієм, а Нойс віддав перевагу кремнію. У 1959 році вони окремо один від одного отримали патенти на свої винаходи — почалося протистояння двох компаній, яке закінчилося мирним договором і створенням спільної ліцензії на виробництво чипів. Після того, як в 1961 році Fairchild Semiconductor Corporation пустила інтегральні схеми у вільний продаж, їх відразу стали використовувати у виробництві калькуляторів і комп'ютерів замість окремих транзисторів, що дозволило значно зменшити розмір і збільшити продуктивність.

Перша в СРСР напівпровідникова інтегральна мікросхема була розроблена (створена) на основі планарної технології, розробленої на початку 1960 року в НДІ-35 (потім перейменований в НДІ «Пульсар») колективом, який надалі був переведений в НИИМЭ (Мікрон). Створення першої радянської кремнієвої інтегральної схеми було сконцентроване на розробці і виробництві з метою використання у військовій техніці серії інтегральних кремнієвих схем МС-100 (37 елементів — еквівалент складності схемотехніки тригера, аналога американських ІС серії SN51 фірми Texas Instruments). Зразки-прототипи і виробничі зразки кремнієвих інтегральних схем для відтворення були отримані із США. Роботи проводилися НДІ-35 (директор Трутко) і Фрязінським заводом (директор Колмогоров) за оборонним замовленням для використання в автономному висотомірі системи наведення балістичної ракети. Розробка містила шість типових інтегральних кремнієвих планарних схем серії МС-100 і з організацією дослідного виробництва зайняла в НДІ-35 три роки (з 1962 по 1965 рік). Ще два роки пішло на освоєння заводського виробництва з військовим прийманням у Фрязіно (1967 рік).

Рівні проектування

  • Логічний — логічна схема (логічні інвертори, елементи АБО-НЕ, І-НЕ тощо).
  • Схемо- і системотехнічний рівень — схемо- і системотехнічна схеми (тригери, компаратори, шифратори, дешифратори, АЛП тощо).
  • Електричний — принципова електрична схема (транзистори, конденсатори, резистори тощо).
  • Фізичний — методи реалізації одного транзистора (чи невеликої групи) у вигляді легованих зон на кристалі.
  • Топологічний — схеми трасування друкованих плат та топологічні фотошаблони для виробництва.
  • Програмний рівень — дозволяє програмістові програмувати (для мікроконтролерів і мікропроцесорів) модель, що розробляється, використовуючи віртуальну схему.

Нині велика частина інтегральних схем проектується за допомогою спеціалізованих САПР, які дозволяють автоматизувати і значно прискорити виробничі процеси. Програми проектування електронних систем, наприклад, дозволяють створювати креслення принципових схем, обирати найкраще розміщення електронних компонентів (для досягнення найменшої довжини струмопровідних доріжок, балансування сигнальних ліній тощо), генерувати файли фотошаблонів та інструкцій для виготовлення схем на станках з ЧПК.

Технології виготовлення

Елементна база

Основним елементом аналогових мікросхем є транзистори (біполярні або польові). Різниця в технології виготовлення транзисторів істотно впливає на характеристики мікросхем. Тому нерідко в описі мікросхеми вказують технологію виготовлення, щоб підкреслити тим самим загальну характеристику властивостей і можливостей мікросхеми. У сучасних технологіях об'єднують технології біполярних і польових транзисторів, щоб добитися поліпшення характеристик мікросхем.

За технологією виготовлення транзисторів мікросхеми поділяються:

  • мікросхеми на уніполярних (польових) транзисторах — найекономічніші (по споживанню струму);
  • мікросхеми на біполярних транзисторах.

Технологічний процес

При виготовленні мікросхем використовується метод фотолітографії (проекційної, контактної та ін.), при цьому схему формують на підкладці (зазвичай з кремнію), отриманій шляхом різання алмазними дисками монокристалів кремнію на тонкі пластини. Зважаючи на крихту лінійних розмірів елементів мікросхем, від використання видимого світла, і навіть ближнього ультрафіолету, при засвіченні давно відмовилися.

Як характеристики технологічного процесу виробництва мікросхем вказують мінімальні контрольовані розміри топології фотоповторювача (контактні вікна в оксиді кремнію, ширина затворів в транзисторах і т. д.) і, як наслідок, розміри транзисторів (і інших елементів) на кристалі. Цей параметр, проте, знаходиться у взаємозалежності з рядом інших виробничих можливостей: чистотою отримуваного кремнію, характеристиками інжекторів, методами фотолітографії, методами витравлення і напилення.

В 1970-х роках мінімальний контрольований розмір становив 2-8 мкм, в 1980-х був зменшений до 0,5-2 мкм. Деякі експериментальні зразки устаткування фотолітографії рентгенівського діапазону забезпечували мінімальний розмір 0,18 мкм.

В 1990-х роках, через новий виток «війни платформ», експериментальні методи стали впроваджуватися у виробництво і швидко удосконалюватися. На початку 1990-х процесори (наприклад, ранні Pentium і Pentium Pro) виготовляли за технологією 0,5-0,6 мкм (500—600 нм). Потім їх рівень піднявся до 250—350 нм. Наступні процесори (Pentium 2, K6 — 2, Athlon) вже робили за технологією 180 нм.

Наприкінці 1990-х фірма Texas Instruments створила нову ультрафіолетову технологію з мінімальним контрольованим розміром близько 80 нм. Але досягти її в масовому виробництві не вдавалося аж до недавнього часу. За станом на 2009 рік технології вдалося забезпечити рівень виробництва аж до 90 нм.

Нові процесори (спершу це був Core 2 Duo) роблять по новій УФ-технології 45 нм. Є і інші мікросхеми, що давно досягли і перевищили цей рівень (зокрема, відеопроцесори і флеш-пам'ять фірми Samsung — 40 нм). Проте подальший розвиток технології викликає все більше труднощів. Обіцянки фірми Intel по переходу на рівень 30 нм вже до 2006 року так і не збулися.

За станом на 2009 рік альянс провідних розробників і виробників мікросхем працює над технологічним процесом 32 нм.

У 2010-му в роздрібному продажі вже з'явилися процесори, розроблені по 32-х нм технологічному процесу.

Ступінь інтеграції

Залежно від ступеня інтеграції застосовують наступні назви інтегральних схем:

Скорочення Розшифровка Рік Кількість транзисторів[3] Кількість вентилів[4]
МІС (англ. SSI) мала інтегральна схема (англ. small-scale integration) 1964 від 1 до 10 1 до 12
СІС (англ. MSI) середня інтегральна схема (англ. medium-scale integration) 1968 від 10 до 500 від 13 до 99
ВІС (англ. LSI) велика інтегральна схема (англ. large-scale integration) 1971 від 500 до 20 000 від 100 до 9999
НВІС (англ. VLSI) надвелика інтегральна схема (англ. very large-scale integration) 1980 від 20 000 до 1 000 000 від 10 000 до 99 999
англ. ULSI англ. ultra-large-scale integration 1984 від 1 000 000 і більше від 100 000 і більше

Контроль якості

Для контролю якості інтегральних мікросхем широко застосовують так звані тестові структури.

Серії мікросхем

Аналогові і цифрові мікросхеми випускаються серіями. Серія — це група мікросхем, що мають єдине конструктивно-технологічне виконання і призначені для спільного застосування. Мікросхеми однієї серії, як правило, мають однакову напругу джерел живлення, погоджені по вхідних і вихідних опорах, рівнях сигналів. Наприклад, серія 74HC — серія цифрових CMOS мікросхем загального призначення з ТТЛ-сумісними входами та виходами, а серія 54HC — її варіант з розширеним температурним діапазоном військового призначення (також називають підсерією).

Корпуси мікросхем

Докладніше: Корпус мікросхеми

Мікросхеми випускаються в двох конструктивних варіантах — корпусному і безкорпусному.

Безкорпусна мікросхема — це напівпровідниковий кристал, призначений для монтажу в гібридну мікросхему або мікрозборку (можливий безпосередній монтаж на друковану плату). Корпус мікросхеми — це частина конструкції мікросхеми, призначена для захисту від зовнішніх дій і для з'єднання із зовнішніми електричними колами за допомогою виводів. Корпуси стандартизовані для спрощення технологічного процесу виготовлення виробів з різних мікросхем. Число стандартних корпусів обчислюється сотнями. У сучасних імпортних корпусах для поверхневого монтажу застосовують і метричні розміри: 0,8 мм; 0,65 мм і інші.

Призначення

Інтегральна мікросхема може мати закінчений, скільки завгодно складний, функціонал — аж до цілого мікрокомп'ютера (однокристальний мікрокомп'ютер).

Аналогові схеми

Цифрові мікросхеми

Цифрові інтегральні мікросхеми мають ряд переваг в порівнянні з аналоговими:

  • Зменшене енергоспоживання пов'язане із застосуванням в цифровій електроніці імпульсних електричних сигналів. При отриманні і перетворенні таких сигналів активні елементи електронних пристроїв (транзисторів) працюють в «ключовому» режимі, тобто транзистор або «відкритий» — що відповідає сигналу високого рівня (1), або «закритий» — (0), в першому випадку на транзисторі немає падіння напруги, в другому — через нього не йде струм. У обох випадках енергоспоживання близьке до 0, на відміну від аналогових пристроїв, в яких велику частину часу транзистори знаходяться в проміжному (резистивному) стані.
  • Висока завадостійкість цифрових пристроїв пов'язана з великою відмінністю сигналів високого (наприклад, 2,5-5 В) і низького (0-0,5 В) рівня. Помилка можлива при таких перешкодах, коли високий рівень сприймається як низький і навпаки, що маловірогідно. Крім того, в цифрових пристроях можливе застосування спеціальних кодів, що дозволяють виправляти помилки.
  • Велика відмінність сигналів високого і низького рівня і досить широкий інтервал їх допустимих змін робить цифрову техніку нечутливою до неминучого в інтегральній технології розкиду параметрів елементів, позбавляє від необхідності підбору і налаштування цифрових пристроїв.

Аналогово-цифрові схеми

Див. також

Примітки

  1. Національний банк стандартизованих науково-технічних термінів. Українське агентство зі стандартизації. «КОНТАКТНА ПЛОЩИНКА ІНТЕГРОВАНОЇ МІКРОСХЕМИ  — металізована ділянка на підшарку, кристалі або корпусі інтегрованої мікросхеми, яка служить для приєднання виводів компонентів та кристалів, перемичок, а також для контролю електричних параметрів та режимів мікросхеми.» 
  2. Історія Київського НДІ «Мікроприладів» в книзі Стратегия выбора. — К.: «Корнійчук», 2012. — 528 с. ISBN 978-966-7599-76-8
  3. http://www.iutbayonne.univ-pau.fr/~dalmau/documents/cours/archi/MICROPancien.pdf
  4. Bulletin de la Societe fribourgeoise des sciences naturelles, Volumes 62 à 63 (fr). 1973. 

Джерела

Література

  • Електроніка і мікросхемотехніка : Навч. посіб. для підгот. фахівців із спец. «Енергетика с.-г. вир-ва» в аграр. вищ. навч. закл. ІІІ — IV рівнів акредитації / В. Т. Дмитрів, В. М. Шиманський ; Львівський держ. аграр. ун-т. — Л. : Афіша, 2004. — 176 c. — Бібліогр.: с. 171—172.