Вакансія (кристалографія)

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Перейти до: навігація, пошук
Електронна мікроскопія вакансій сірки в моношарі дисульфіду молібдену. Обведена точка праворуч показує дивакансію, тобто атоми сірки відсутні як вище, так і нижче шару молібдену. Інші кола показують поодинокі вакансії, тобто атоми сірки відсутні тільки вище або нижче шару молібдену. Шкала : 1 нм.[1]

Вакансія (рос. вакансия, англ. vacancy, lattice vacancy; нім. Kristallbaufehler, Vakanz) — дефект кристалу, що полягає у відсутності атома або йона у вузлі кристалічної ґратки.

Вакансія поряд із міжвузловим атомом належать до точкових дефектів кристалічної ґратки.

Певна доля вакансій у твердому тілі утворюється внаслідок теплового руху. Проте основним джерелом вакансій і міжвузлових атомів є опромінення високоенергетичними частками: йонами, нейтронами чи гамма-квантами.

В напівпровідниках вакансії можуть зв'язувати електрони, утворюючи заряджені комплекси.

При інтерсивному нейтронному опроміненні, наприклад у ядерному реакторі, вакансії можуть об'єднуватися в різноманітні комплекси із атомами домішок і утворювати вакансійні пори, які призводять до розпухання конструктивних матеріалів ядерних реакторів.

Див. також[ред.ред. код]

Література[ред.ред. код]

Примітки[ред.ред. код]

  1. Hong, J.; Hu, Z.; Probert, M.; Li, K.; Lv, D.; Yang, X.; Gu, L.; Mao, N.; Feng, Q.; Xie, L.; Zhang, J.; Wu, D.; Zhang, Z.; Jin, C.; Ji, W.; Zhang, X.; Yuan, J.; Zhang, Z. (2015). Exploring atomic defects in molybdenum disulphide monolayers. Nature Communications 6. с. 6293. Bibcode:2015NatCo...6E6293H. PMC 4346634. PMID 25695374. doi:10.1038/ncomms7293.