Волтер Гаузер Браттейн

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Перейти до навігації Перейти до пошуку
Нобелівська премія з фізики (1956) Волтер Браттейн
Brattain.jpg
Народився 10 лютого 1902(1902-02-10)[1][2][…]
Сямень, Fujian Province (Qing dynasty)d, Династія Цін
Помер 13 жовтня 1987(1987-10-13)[1][2][…] (85 років)
Сіетл, США
·хвороба Альцгеймера
Країна США США
Діяльність фізик, винахідник
Alma mater Whitman College[en]
Орегонський університет
Міннесотський університет
Галузь фізика
Заклад Whitman Colleged
Науковий керівник John Torrence Tate, Sr.d
Членство Національна академія наук США, Американська академія мистецтв і наук, AAAS[4] і Американське фізичне товариство[4]
Відомий завдяки: винахід транзистора
Брати, сестри Robert Brattaind
У шлюбі з Keren Gilmore Brattaind і Emma Jane Millerd
Нагороди

CMNS: Волтер Гаузер Браттейн у Вікісховищі

Волтер Гаузер Браттейн (англ. Walter Houser Brattain; 10 лютого 1902, Сямень, Китай — 13 жовтня 1987, Сіетл) — американський фізик, лауреат Нобелівської премії з фізики в 1956 році «за дослідження напівпровідників і відкриття транзисторного ефекту» (разом з Вільямом Бредфордом Шоклі і Джоном Бардіном).

Біографія[ред. | ред. код]

Волтер Браттейн народився в родині Росса Р. Браттейна й Оттіль Гаузер у місті Сямень (Амой) у Китаї. Виріс у штаті Вашингтон, США. Ступінь бакалавра здобув у 1924 році в Уїтменському коледжі, ступінь магістра в 1926 році в Орегонському університеті. Після захисту дисертації в 1929 році в Університеті Міннесоти влаштовується на роботу в лабораторії Белла.

У 1935 році Браттейн одружився з Керен Гілмор, яка була хіміком за спеціальністю. У них народився син Вільям Гілмор Браттейн. 10 квітня 1957 року Керен померла.

У 1958 році вдруге одружився з Еммі Міллер. В 1970-х роках він переїхав до Сіетла і жив там до смерті.

Помер від хвороби Альцгеймера 13 жовтня 1987 року у Сіетлі. Похований на міському кладовищі Померой у Вашингтоні.[5]

Наукова діяльність[ред. | ред. код]

Браттейн займався переважно властивостями поверхонь твердих тіл. Після перших своїх досліджень вольфраму він зайнявся поверхневими ефектами в напівпровідниках, таких як кремній і германій, і зробив суттєвий внесок у їхнє розуміння. Разом із Джоном Бардіном розробив транзистор на точковому p-n переході.

В 1952 році доктор Браттейн отримав ступінь почесного доктора наук у Портлендському університеті.

В 1956 році визнаний гідним, разом з Джоном Бардіном і Вільямом Шоклі, Нобелівської премії з фізики «за дослідження напівпровідників і відкриття транзисторного ефекту».

Доктор Браттейн — член Національної академії наук та Інституту Франкліна, член Американського фізичного товариства[6].

Нагороди[ред. | ред. код]

Література[ред. | ред. код]

Примітки[ред. | ред. код]

  1. а б Encyclopædia Britannica
  2. а б SNAC — 2010.
  3. а б Енциклопедія Брокгауз / Hrsg.: Bibliographisches Institut & F. A. Brockhaus, Wissen Media Verlag
  4. а б NNDB — 2002.
  5. Walter Houser Brattain (1902-1987) - Find a Grave.... www.findagrave.com (англ.). Архів оригіналу за 10 лютого 2022. Процитовано 10 лютого 2022. 
  6. The Nobel Prize in Physics 1956. NobelPrize.org (амер.). Архів оригіналу за 1 лютого 2018. Процитовано 10 лютого 2022. 

Посилання[ред. | ред. код]