Вторинна електронна емісія

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Перейти до: навігація, пошук
Довжина вільного пробігу низькоенергетичних електронів. Вторинна електронна емісія зазвичай має енергію менше 50 еВ. Норма енергетичних втрат розсіювання дуже низька, оскільки більшість електронів вивільняють накоплену пікову енергію нижче 5 еВ (Seiler, 1983).

Вторинна електронна емісія - явище вибивання електронів із твердого тіла пучками швидких заряджених частинок.

Вторинна електронна емісія кількістно характеризується коефіцієнтом вторинної електронної емісії σ.

 \sigma = \frac{N}{N_0} ,

де N - потік вибитих електронів, N0 - потік заряджених частинок, що падають на поверхню твердого тіла, який називають первинним.

Вторинна електронна емісія здійснюється із поверхневого шару твердого тіла, товщина якого не перевищує 10−6 см. Кількість вибитих електронів залежить від енергії й типу частинок у первинному пучку. Вона спочатку росте із збільшенням швидкості первинних частинок, потім досягає максимуму, й урешті падає для дуже швидких частинок, які проникають в тіло на велику глибину, звідки електронам важко досягти поверхні.

У максимумі коефіцієт вторинної електронної емісії вищий за одиницю, тобто кожна швидка частинка вибиває більше, ніж один вторинний електрон. Найкращими матеріалами для вторинної електронної емісії є напівпровідники й діелектрики.

Вторинна електронна емісія використовується в електронних мікроскопах і в фотолектронних помножувачах.

Джерела[ред.ред. код]

  • Білий М.У. (1973). Атомна фізика. Київ: Вища школа. 


Фізика Це незавершена стаття з фізики.
Ви можете допомогти проекту, виправивши або дописавши її.