Джон Баттіскомб Ґанн

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Перейти до навігації Перейти до пошуку
Джон Баттіскомб Ґанн
Gunn's Group c.JPG
Джон Баттіскомб Ґанн (посередині), листопад 1969
Народився 13 травня 1928(1928-05-13)[1]
Каїр, Єгипет
Помер 2 грудня 2008(2008-12-02)[1] (80 років)
Маунт-Кіско, штат Нью-Йорк, США
Країна Flag of the United Kingdom.svg Велика Британія
Діяльність фізик, інженер
Галузь Напівпровідник
Alma mater Триніті-коледж (Кембридж) і Solebury Schoold
Знання мов англійська
Членство Інститут інженерів з електротехніки та електроніки, Американська академія мистецтв і наук і Національна інженерна академія США
Нагороди

IBM Fellowd

IEEE Morris N. Liebmann Memorial Awardd (1969)

член Американського фізичного товариства[d]

член IEEEd

Джон Баттіскомб Ґанн (англ. John Battiscombe Gunn) (13 травня 1928 — 2 грудня 2008) — британський та американський фізик.

З біографії[ред. | ред. код]

Джон Ґанн народився в Єгипті, закінчив Триніті-коледж Кембриджського університету зі ступенем з фізики в 1948 році. Його батько був єгиптолог Баттіскомб Ґанн, його зведений брат музикант — Спайк Г'юз, і тітка — шотландська націоналістка Венді Вуд.

Під час роботи у IBM, у 1963 році Джон Ганн винайшов діод Ґанна на основі ефекту Рідлі—Воткінса—Гілсома. Він був членом Національної академії наук США та Американської академії мистецтв і наук, і отримав премію IEEE Морріса М. Лібмана за 1969 рік, медаль Вальдемара Поульсена вид Королівської данської академії наук і літератури, і премію Джона Скотта.

Вибрані публікації[ред. | ред. код]

  • J. B. Gunn, «Microwave Oscillation of Current in III—V Semiconductors», Solid State Communications, 1 88 (1963). (англ.)

Примітки[ред. | ред. код]