Диністор

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Перейти до навігації Перейти до пошуку
Позначення диністора на електричних принципових схемах[1]:50

Дині́стор або діодний тиристор — тиристор, що має два виводи, та проводить струм лише в одному напрямку.

Принцип дії[ред. | ред. код]

Диністор в закритому режимі

Зовнішня n-область і вивід від неї називається катодом. Внутрішні p- і n-області називаються базами диністора. Крайні p-n переходи називаються емітерними, а середній p-n перехід називається колекторним. Якщо на анод подати «-», а на катод «+», емітерні переходи будуть закриті, колекторний відкритий. Основні носії зарядів з анода і катода не зможуть перейти в базу, тому через диністор буде протікати тільки маленький зворотний струм, викликаний неосновними носіями заряду.

Якщо на анод подати «+», а на катод «-», емітерні переходи відкриваються, а колекторний закривається. Основні носії зарядів переходять з анода в базу 1, а з катода — в базу 2, де вони стають неосновними і в базах відбувається інтенсивна рекомбінація зарядів, в результаті якої кількість вільних носіїв зарядів зменшується. Ці носії заряду підходять до колекторного переходу, поле якого буде їх пришвидчувати, потім проходять базу і переходять через відкритий емітерний перехід, оскільки в базах вони знову стають основними. Пройшовши емітерні переходи, електрони переходять в анод, а дірки — в катод, де вони вдруге стають неосновними і вдруге відбувається інтенсивна рекомбінація. В результаті кількість зарядів, що пройшли через диністор, буде дуже мала і прямий струм також буде дуже малий. При збільшенні напруги прямий струм незначно зростає, оскільки збільшується швидкість руху носіїв, а інтенсивність рекомбінації зменшується. При збільшенні напруги до певної величини відбувається електричний пробій колекторного переходу. Опір диністора різко зменшується, струм через нього дуже зростає і падіння напруги на ньому значно зменшується. Вважається, що диністор перейшов з вимкненого стану в увімкнений.

Після увімкнення диністора струм повинен бути обмежений зовнішнім опором навантаження, інакше диністор вийде з ладу. В увімкненому стані падіння напруги приблизно дорівнює сумі напруг на одному pn-переході і на насиченому транзисторі.

Диністори застосовуються як безконтакті, керовані напругою, вимикачі.[уточнити]

Розвиток технології[ред. | ред. код]

У 1988 році було представлено перші диністори на основі карбіду кремнію з часом перемикання близько 10-8 секунд.[2]

Див. також[ред. | ред. код]

Джерела[ред. | ред. код]

  1. Болюх В. Ф., Данько В. Г. Основи електроніки та мікропроцесорної техніки. — Харків : Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут», 2011. — С. 49—53. — ISBN 978-966-188-173-9.
  2. Dmitriev, V.A.; Levinshtein, M.E.; Vainshtein, S.N.; Chelnokov, V.E. (August 1988). First SiC dynistor. Electronic letters (en) 24 (16). doi:10.1049/el:19880702. 
Помилка цитування: Тег <ref> з назвою "москатов", визначений у <references>, не використовується в попередньому тексті.