Легування (електроніка)

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Перейти до навігації Перейти до пошуку
N-допування фосфором кремнію

Легува́ння, допува́ння (англ. doping) — процес додавання контрольованих домішок до напівпровідника. Процес базується на властивості напівпровідників, що робить їх найкориснішими для розробки електронних пристроїв: їхню електропровідність можна легко змінити шляхом введення домішок в їх кристалічну решітку. Певна кількість домішок, або дифузантів, доданих до бездомішкового (чистого) напівпровідника, змінює його провідність.

Див. також[ред. | ред. код]

Джерела[ред. | ред. код]

  • Глосарій термінів з хімії // Й. Опейда, О. Швайка. Ін-т фізико-органічної хімії та вуглехімії ім. Л. М. Литвиненка НАН України, Донецький національний університет. — Донецьк : Вебер, 2008. — 758 с. — ISBN 978-966-335-206-0