Мікротехнологія

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Перейти до навігації Перейти до пошуку
Внутрішні структури інтегральної схеми (3D модель): чотири шари мідної металізації, полікремній (рожевий), колодязі (сірий), підкладка (зелений)

Мікротехноло́гія (англ. microtechnology) — способи реалізації процесів виготовлення структур, характерні розміри яких вимірюються мікронами або менші. Історично процеси мікротехнології використовувались у мікроелектроніці для виробництва інтегральних схем (див. Технологія виробництва напівпровідників). Починаючи з 1990-их років область застосування цієї групи методів поширилась за рахунок появи та масового виробництва мікроелектромеханічених систем (МЕМС), аналітичних мікросистем, твердих дисків, рідкокристалічних дисплеїв, сонячних панелей тощо. Завдяки спільним рисам оригінальних технологічних методів, що набули поширення, та їх універсальності ці технології сформувались до кінця XX ст. у науково-технічний напрям, що отримав назву «мікротехнологія».

Мініатюризація різноманітних пристроїв вимагає при їх виготовленні залучення досягнень різних галузей науки і техніки: фізики, хімії, матеріалознавства, інформатики, вакуумної техніки, гальванотехніки[1]. До основних фізико-хімічних процесів, що знайшли застосування у мікротехнології належать:

Спрощена покрокова схема процесу виготовлення КМОН-інвертора за мікроелектронною технологією. Примітка: в реальних пристроях контакти затвора, стоку й витоку зазвичай не лежать в одній площині, масштаб спотворено для наочності
Технологічні операції процесу травлення

Застосування[ред. | ред. код]

Мікротехнологія застосовується для виробництва:

Процеси мікротехнології[ред. | ред. код]

Мікротехнологія містить у собі різні процеси, виконання яких відбувається у певній послідовності. Деякі технологічні прийоми мають досить давню історію, наприклад літографія чи травлення. Полірування була запозичена з виробництва оптичного скла. Гальванотехніка і вакуумна техніка беруть свій початок у роботах XIX століття.

Виготовлення мікропристроїв відбувається у вигляді чергування операцій нанесення тонких шарів і видалення окремих зон. Отже, пристрій являє собою «стос» двомірних структур з різних матеріалів. Також використовуються різні операції модифікації поверхні: відпал, легування, окиснення, відновлення тощо. Основний принцип виробництва — одночасне виготовлення відразу великої кількості пристроїв, як правило, розміщених на одній підкладці і, які розділяються лише на фінальній стадії виробництва.

Підкладки[ред. | ред. код]

Мікроелектронні пристрої і схеми формуються зазвичай на відносно товстій підкладці. В електроніці застосовують підкладки з кремнію і арсеніду галію. Для МЕМС, оптичних пристроїв, дисплеїв часто застосовуються кварц і скло. Підкладка дозволяє спростити поводження з мікроелектронним пристроєм протягом циклу виробництва. Зазвичай на одній підкладці розміщуються сотні і тисячі пристроїв, що одночасно виготовляються.

Осадження[ред. | ред. код]

Пристрої, виготовлені за мікроелектронною технологією зазвичай складаються з одного або декількох тонких функціональних шарів. Типи цих шарів залежать від призначення пристрою. Мікроелектронні пристрої мають в своєму складі шари провідні, ізолювальні або напівпровідникові. Оптичні пристрої можуть містити відбиваючі, прозорі, світлопровідні або світлорозсіювальні шари. Вони можуть також виконувати хімічну або механічну функцію, наприклад для МЕМС додатків або «лабораторій на чипі». Шари отримують методами осадження тонких плівок, що можуть реалізовуватись як:

Фотолітографія[ред. | ред. код]

Докладніше: Фотолітографія

Як правило, потрібно сформувати на підкладці різні структури або наскрізні отвори в шарі. Ці структури мають мікронні або нанометрові розміри і способи їх формування визначають можливості технології. Для їх формування за допомогою фотолітографії створюють маску, що захищає від дії хімічного реагента-розчинника ті ділянки, які повинні бути залишені[5].

Травлення[ред. | ред. код]

Травлення — це процес видалення частини шару або підкладки. Підкладка піддається впливу травильного агента (кислота, хімічно активна плазма, іонний пучок), який фізично або хімічно руйнує поверхню, видаляючи матеріал.

Розрізняють:

Мікрообробка локальною дією мікроінструменту[ред. | ред. код]

Для мікрообробки методом локального впливу на заготовку можуть використовуватись мікроінструменти різної фізичної природи.

В еліонних технологіях це сфокусовані промені:

Сфокусовані промені можуть застосовуватись для вирішення широкого кола задач: локального експонування фоторезисту у мікролітографії, для локальної абляції матеріалу з поверхні заготовки, а також для глибинної локальної мікрообробки — свердління мікроотворів. В останньому випадку лазерна обробка дозволяє отримувати отвори діаметром до 10 мкм при глибині до 1 мм, електронно-променева — діаметром до 0,05…1,5 мм при глибині 0,25…6,4 мм.

У мікроелектроерозійній (англ. Micro Electro Discharge Machining, MEDM) або мікроелектрохімічній обробці (англ. Micro Electro Chemical Machining, MECM) використовується профільований або дротовий мікроінструмент.

При прошиванні мікроотворів електроерозійним способом можна отримувати отвори діаметром 5…10 мкм глибиною до 2 мм[6]. . Активно удосконалюються також мікроінструменти (cutting tools) для традиційного різання матеріалів — фрезерування, свердління, точіння. Мікрофрези діаметром до 20…60 мкм, мікросвердла діаметром до 15…30 мкм, мікрорірізці шириною близько 10 мкм використовуються для мікрооброблення об'ємних деталей в прецизійному машинобудуванні[6].

Інші процеси[ред. | ред. код]

До інших мікротехнологій належать:

Чистота у мікротехнології[ред. | ред. код]

Виробництво у галузі мікротехнологій відбувається у чистих приміщеннях, в яких повітря очищається від завислих часток пилу, та провадиться строгий контроль температури й вологості. Також вживаються заходи для зниження вібрацій і електромагнітних завад. Дим, пил, мікроорганізми і клітини живих організмів мають мікронні розміри і їх потрапляння на підкладку може зробити прилад, що виготовляється, непрацездатним.

Чисті приміщення забезпечують пасивну чистоту, але не дивлячись не це, забруднення поверхні підкладок може відбуватися різними шляхами: частинками пластика з міжопераційної тари, сліди матеріалів від попередніх етапів обробки. Тому проводять також і активне очищення підкладок різними методами. Органічні забруднення і частинки пилу видаляють в перекисно-аміачному або перекисно-кислотному розчинах (наприклад, розчин «піранья» H2SO4+H2O2), процес RCA-2[7] у перекисно-кислотному розчині видаляє металічні забруднення.

Травленням у розчині плавикової кислоти видаляють базовий оксид з поверхні кремнію. Також широко використовуються «сухі» методи очищення, які включають обробку в плазмі аргону або кисню для видалення небажаних шарів з поверхні, а також водневий відпал при високих температурах для видалення базового оксиду перед епітаксією. Окиснення, як і взагалі всі високотемпературні процеси є дуже чутливими до забруднення, і етапи очищення в обов'язковому порядку повинні їм передувати.

Див. також[ред. | ред. код]

Примітки[ред. | ред. код]

  1. Mahalik, 2006.
  2. Цветков Ю. Микротехнология — универсальная основа производства современной микроэлектроники [Архівовано 7 листопада 2012 у Wayback Machine.] // Технологии в электронной промышленности, № 4, 2005.
  3. Катыс Г. П., Катыс П. Г. Микродатчики, реализованные на основе МЭМС и МОЭМС [Архівовано 28 квітня 2017 у Wayback Machine.]
  4. Готра, 1991, с. 262-295.
  5. Готра, 1991, с. 336-418.
  6. а б Раздел 22. Микрообработка и нанообработка, микротехнология и нанотехнология и микроинструменты, нанопокрытия инструментов и деталей [Архівовано 3 травня 2017 у Wayback Machine.] // на сайті «Станки, современные технологии и инструмент для металлообработки» (рос.)
  7. RCA-2 Silicon Wafer Cleaning. Архів оригіналу за 7 вересня 2015. Процитовано 24 січня 2017. 

Джерела[ред. | ред. код]

Посилання[ред. | ред. код]