Фосфід галію
Зовнішній вигляд
Фосфід галію | |
---|---|
![]() | |
Назва за IUPAC | gallanylidynephosphane |
Ідентифікатори | |
Номер CAS | 12063-98-8 |
PubChem | 82901 |
Номер EINECS |
235-057-2 ![]() |
RTECS | LW9675000 |
SMILES | [Ga]#P |
InChI | 1/Ga.P/rGaP/c1-2 |
Властивості | |
Молекулярна формула | GaP |
Молярна маса | 100,697 г/моль |
Зовнішній вигляд | блідо-оранжеве тверде тіло |
Запах | без запаху |
Густина | 4,138 г/см3 |
Тпл | 1477 |
Розчинність (вода) | нерозчинний |
Показник заломлення (nD) | 3,02 (2.48 µм), 3,19 (840 нм), 3,45 (550 нм), 4,30 (262 нм) |
Структура | |
Кристалічна структура | цинкової обманки |
T2d-F-43m | |
Координаційна геометрія |
тетраедрична |
Небезпеки | |
Індекс ЄС | не числиться |
NFPA 704 | |
Пов'язані речовини | |
Інші аніони | нітрид галію арсенід галію антимонід галію |
Інші катіони | фосфід алюмінію фосфід індію |
Якщо не зазначено інше, дані наведено для речовин у стандартному стані (за 25 °C, 100 кПа) | |
Інструкція з використання шаблону | |
Примітки картки |
Фосфід галію (GaP) — непрямозонний напівпровідник із шириною забороненої зони 2,26 еВ, на вигляд блідо-помаранчева речовина, нерозчинна у воді, що використовується здебільшого для виробництва червоних, оранжевих та зелених світлодіодів.
Фосфід галію має кристалічну структуру типу цинкової обманки. Для отримання провідності n-типу зазвичай використовується легування сіркою та телуром, а для отримання провідності p-типу — цинком.
![]() |
Це незавершена стаття з фізики. Ви можете допомогти проєкту, виправивши або дописавши її. |