Фоторезистор

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Перейти до: навігація, пошук
Три фоторезистора різних розмірів (шкала у мм).
Позначення фоторезистора на електричних схемах.

Фоторези́стор — фотоелектричний напівпровідниковий приймач випромінювання, принцип дії якого ґрунтується на ефекті фотопровідності[1] — явищі зменшення опору напівпровідника у разі збудження носіїв заряду світлом. Характеризується однаковою провідністю незалежно від напрямку протікання струму.

Найпопулярнішим напівпровідником для виготовлення фоторезисторів, є сульфід кадмію (CdS).

Конструктивні особливості[ред.ред. код]

Фоторезистори є менш світлочутливими за фотодіоди чи фототранзистори, оскільки два останніх є справжніми напівпровідниковими приладами, у той час як фоторезистор є пасивним компонентом і не має p-n-переходу. Фотоопір (електричний опір) будь якого фоторезистора може змінюватися у широких межах у залежності від температури навколишнього середовища, що робить їх непридатними для застосувань, що вимагають точного вимірювання або чутливості до світла.

Для фоторезисторів також характерна деяка затримка між дією світла і наступною зміною опору, значення якої, як правило, складає близько 10 мс. Час затримки за переходу від освітлених до темних середовищ, є навіть ще більшим, і часто досягає 1 секунди. Ця властивість робить фоторезистори непридатними до вимірювання об'єктів, які швидко блимають, але іноді вони використовується задля згладжування реакції стиснення аудіосигналу.[2]

Застосування[ред.ред. код]

Фоторезистори застосовуються у фотореле, які автоматично вмикають вуличне освітлення в сутінках, на турнікетах метро тощо.

Див. також[ред.ред. код]

Примітки[ред.ред. код]

  1. ДСТУ 2449-94 Прилади напівпровідникові. Терміни та визначення.
  2. Photo resistor. resistorguide.com (en). Процитовано 17 вересня 2015. 

Посилання[ред.ред. код]

Фізика Це незавершена стаття з фізики.
Ви можете допомогти проекту, виправивши або дописавши її.