Активний елемент (електроніка)
Активний елемент або активний компонент електронної техніки (англ. Active Component) — це різноманітні електронні прилади, що розрізняються за принципами дії й призначенням. Вони називаються активними тому, що їхнє функціонування пов'язане зі споживанням енергії від зовнішніх джерел живлення. Як правило, у радіоелектронних пристроях - це електрична енергія. Напруга таких джерел може бути постійною або змінною. Постійною напругою забезпечується живлення анодних і сіткових ланцюгів електровакуумних приладів, емітерних, колекторних та інших ланцюгів транзисторних схем. Цим створюється заданий режим роботи активних приладів. Джерела постійної (високої) напруги використовуються для живлення електронних приладів надвисоких частот, телевізійних і осцилографічних трубок. Джерела змінної напруги застосовуються для підігріву катодів електровакуумних приладів, перетворювачів напруги, випрямлячів.[1]
Типовим активним компонентом є генератор, транзистор або інтегральна схема. Неактивний компонент називається пасивним компонентом. Він споживає енергію і не має можливості підвищити потужність. Основні пасивні компоненти включають конденсатори, резистори та індуктори.
Властивості[ред. | ред. код]
Для активних компонентів характерні специфічні властивості, завдяки яким можливе створення генераторів коливань, підсилювачів потужності, модуляторів, пристроїв обробки сигналів та ін. Серед цих властивостей треба насамперед відзначити властивості невзаємності й нелінійності.
Щоб зрозуміти властивість невзаємності, уявимо, що активний елемент відіграє роль керованого електричного клапана, що дозує надходження у вихідний ланцюг електричної енергії, але не від вхідного керуючого джерела, а від зовнішнього джерела постійної напруги. При цьому витрата енергії на керування істотно менше керованої енергії (від джерела постійної напруги).
Властивість нелінійності пов'язують з непропорційністю вихідного ефекту вхідному впливу – кілька окремих одночасних впливів викликають ефект, нееквівалентний сумі окремих ефектів. Властивість нелінійності використовується при створенні пристроїв, що перетворять форму коливань (наприклад, детекторів, перетворювачів частоти, модуляторів).[1]
Структурний поділ[ред. | ред. код]
Усі активні елементи поділяють на дискретні прилади й інтегральні схеми (ІС).
Серед дискретних елементів радіоелектронної апаратури виділяють: електровакуумні прилади (ЕВП) з високим розрідженням повітря в балоні (залишковий тиск – приблизно 10-6 Па); газорозрядні прилади (ГРП) (найчастіше балон, заповнений інертним газом під тиском – від часток до тисяч паскалів залежно від призначення приладу); напівпровідникові прилади (НПП).
Особливою групою активних приладів є інтегральні схеми (ІС) – мікроелектронні вироби, що виконують певну функцію перетворення й обробки сигналів і мають високу щільність електрично з'єднаних елементів. Схемне й конструктивне об'єднання великої кількості елементів в одному кристалі, тобто їх «інтеграція», привело до появи терміна «інтегральні» схеми (точніше й логічніше було б назвати їх «інтегрованими ланцюгами»). Одна ІС може містити від сотень до мільйонів елементів. За конструктивно-технологічними ознаками ІС поділяють на напівпровідникові й гібридні.[1]
Перелік[ред. | ред. код]
Цей список є не повним. Запрошуємо доповнити його.
Транзистори[ред. | ред. код]
- Польові транзистори (англ. FET):
- МОН (метал-оксид-напівпровідник) транзистор (англ. MOSFET):
- МОН транзистор з затвором p-типу (англ. PMOS (p-type MOS));
- МОН транзистор з затвором n-типу (англ. NMOS (n-type MOS));
- Комплиментарний МОН (англ. complementary MOS);
- Силові МОН транзистори (англ. Power MOSFET):
- Горизонтальний МОП-транзистор, виготовлений методом подвійної дифузії (англ. LDMOS(lateral diffused MOSFET));
- Мультизатворний польовий транзистор (англ. MuGFET (multi-gate field-effect transistor)):
- Полові транзистори з fin-затвором (англ. FinFET (fin field-effect transistor));
- Тонкоплі́вковий транзи́стор (англ. TFT (thin-film transistor));
- Половий транзистор з керуючим p-n переходом (англ. JFET (junction field-effect transistor)):
- Статиноіндукований транзистор (англ. SIT (static induction transistor));
- Метал-напівпровідник польовий транзистор (англ. MESFET (metal semiconductor FET));
- Транзистор з високою рухливістю електронів (англ. HEMT (high-electron-mobility transistor));
- МОН (метал-оксид-напівпровідник) транзистор (англ. MOSFET):
- Композитні транзистори:
- Біполярний комплиментарний МОН транзистор (англ. BiCMOS (bipolar CMOS));
- Біполярний транзистор із ізольованим затвором (англ. IGBT (Insulated-gate bipolar transistor));
- Інші типи транзисторів:
- Біполярний транзистор (англ. BJT, or simply "transistor"):
- Фототранзистор або фотодетектор;
- Транзистор Дарлінгтона:
- Фототранзистор Дарлінгтона;
- Пара Шиклаї;
- Біполярний транзистор (англ. BJT, or simply "transistor"):
Тиристори[ред. | ред. код]
- Тиристор (англ. Silicon-controlled rectifier (SCR));
- Тріак (англ. TRIAC (TRIode for Alternating Current));
- Одноперехідний транзистор (англ. Unijunction transistor (UJT));
- Програмований однопровідниковий транзистор (англ. Programmable Unijunction Transistor (PUT));
- Статичноіндукований тиристор (англ. SITh (static induction thyristor));
Діоди[ред. | ред. код]
- Випрямляючий діод, діодний міст;
- Діод Шоткі;
- Діод Зенера або стабілітрон;
- Трансил, супрессор, TVS-діод (TVS), однополярний або біполярний;
- Варікап, варактор;
- Лазерний діод;
- Світлодіод (LED);
- Фотодіод:
- Лавинний фотодіод;
- Сонячна комірка, фотоелектрична комірка, фотомагнітна батарея або панель;
- Діак (DIAC), тригерний діод (SIDAC);
- Діод постійного струму;
- Тунельний діод;
Інтегральні схеми[ред. | ред. код]
- Інтегральна схема або мікросхема (англ. ІС):
- Цифрова інтегральна схема;
- Аналогова інтегральна схема:
- Датчик Холла;
- Датчик струму;
Оптоелектричні пристрої[ред. | ред. код]
- Оптоізолятор, оптопара, фотопара, твердотільне реле (англ. SSR)
- Оптичний перемикач, оптичний вимикач;
- Дисплей світлодіодний;
Пристрої відображення[ред. | ред. код]
- Індикатор на лампах розжарювання;
- Вакуумно-люмінесцентний індикатор (англ. VFD);
- Електронно-променева трубка (англ. CRT);
- Рідкокристалічний дисплей;
- Неоновий 7-сегментний дисплей;
- Світлодіодний індикатор;
- Перекидне табло (англ. split-flap display);
- Плазмовий дисплей;
- Світлодіодний дисплей (англ. OLED);
- Мікросвітлодіодний дисплей (англ. mOLED);
- 7-сегментний дисплей з лампами розжарювання;
- Газорозрядний індикатор;
- Декатрон;
- Магічне око індикатор;
- Пенетрон;
Вакуумні лампи
- Діод
- Підсилювачі:
- Тріод
- Тетрод
- Пентод
- Гексод
- Пентагрид
- Октод
- Лампа біжної хвилі
- Клістрон
- Осцилятори:
- Магнетрон
- Клістрон
- Канцеротрон
- Лампа фотодіод - ламповий еквівалент напівпровідникового фотодіоду
- Лампа фотопомножувач
- Рентгенівська лампа
Газорозрядні пристрої
- Газова розрядна трубка;
- Ігнітрон;
- Тиратрон;
- Ртутний випрямляч;
- Трубка регулятора напруги;
Джерела живлення
- Акумулятор;
- Паливна камера;
- Блок живлення;
- Сонячна панель;
- Термоелектричний генератор;
- Електричний генератор;
- П'єзоелектричний генератор;
- Генератор Ван де Граафа;
Джерела[ред. | ред. код]
- ↑ а б в В.П. Олійник, Р.В. Колесник, С.М. Куліш, М.В. Долженков (2009). ПАСИВНІ ЕЛЕКТРОРАДІОЕЛЕМЕНТИ (елементна база радіоелектронних апаратів) Навчальний посібник (укр.) . Харків «ХАІ»: Національний аерокосмічний університет ім. М.Є. Жуковського "Харківський авіаційний інститут".
|