Верхній затвор (графен)
Верхній затвор — затвор зверху над графеном та підкладкою з протилежного боку від підкладки. Термінологія склалася в цей час в технології, пов'язаної з графеном для того, щоб відрізняти від затвора, яким служить високолегована підкладка з кремнію. Ситуація з назвами протилежна в графені та МДН-транзисторах, оскільки в останніх оберненого затвору просто немає.
Графен знаходиться на поверхні SiO2/Si, причому зверху нічим не обмежений. Тому для створення верхнього затвора спершу наносять діелектричний шар, а потім напилюють метал. В першій статті[прояснити] використовували як діелектрик SiO2.[1] Вибір діелектрика може впливати на рухливість носіїв струму в графені завдяки зарядам або дефектам в його структурі. Серед інших матеріалів, використаних як діелектрик існують: PMMA[2], Al2O3[3], HfO2[4].
В ідеальному випадку можна, звичайно, обійтися взагалі без діелектрика і використовувати підвішений верхній затвор, який не впливає на рухливість[5][6].
Посилання[ред. | ред. код]
- ↑ Lemme M. C. et. al. A Graphene Field-Effect Device IEEE Electron Dev. Lett. 28, 282 (2007) http://dx.doi.org/10.1109/LED.2007.891668
- ↑ Huard B. et. al. Transport Measurements Across a Tunable Potential Barrier in Graphene Phys. Rev. Lett. 98, 236803 (2007) DOI:10.1103/PhysRevLett.98.236803
- ↑ Williams J. R. et. al. Quantum Hall Effect in a Gate-Controlled p-n Junction of Graphene Science 317, 638 (2007) DOI:10.1126/science.1144657
- ↑ Ozyilmaz B. et. al. Electronic transport in locally gated graphene nanoconstrictions Appl. Phys. Lett. 91, 192107 (2007) DOI:10.1063/1.2803074
- ↑ Gorbachev R. V. et. al. Conductance of p-n-p Graphene Structures with «Air-Bridge» Top Gates Nano Lett., 8, 1995 (2008) DOI:10.1021/nl801059v
- ↑ Fabrication of graphene p-n-p junctions with contactless top gates Appl. Phys. Lett. 92, 203103 (2008) DOI:10.1063/1.2928234
 | На цю статтю не посилаються інші статті Вікіпедії. Будь ласка розставте посилання відповідно до прийнятих рекомендацій. |