Премія Ніка Голоняка
Перейти до навігації
Перейти до пошуку
| Премія Ніка Голоняка | ||||
| Країна |
 США | |||
|---|---|---|---|---|
| Тип | наукова нагорода | |||
| Вручає: | Оптичне товариство (OSA) | |||
| Підстава | За значний внесок в оптику на основі оптичних напівпровідникових пристроїв і матеріалів, у тому числі у фундаментальних наукових і технологічних застосуваннях | |||
| Статус | вручається | |||
| На честь: | Нік Голоняк | |||
| Нагородження | ||||
| Засновано: | 1997 | |||
| Перше: | 1998 | |||
| Нагороджені: | ||||
| Черговість | ||||
| Сайт | Офіційна сторінка | |||
Пре́мія Ні́ка Голоня́ка (англ. Nick Holonyak, Jr. Award) — наукова нагорода від Оптичного товариства (OSA). Вручається за видатні досягнення в галузі оптики з використанням напівпровідникових пристроїв і матеріалів.
Названа на честь американського науковця-фізика і винахідника Ніка Голоняка, який зробив видатний внесок у галузь оптики завдяки розробці напівпровідникових світловипромінювальних діодів та напівпровідникових лазерів[1].
Премія заснована у 1997 році[2][3]. Нагородження проводиться з 1998 року. Нагородою відзначені два лауреати Нобелівської премії.
Лауреати[ред. | ред. код]
| Рік | Лауреат | Обґрунтування нагороди |
|---|---|---|
| 1998 | Магнус Джордж Крафорд [en] | За його новаторський внесок і лідерство в дослідженнях та розробці світлодіодних (LED) матеріалів і пристроїв видимої довжини хвилі, включно з першим жовтим світлодіодом і високояскравими червоно-помаранчево-жовтими світлодіодами InAlGaP, котрі за продуктивністю перевершують лампи розжарювання Оригінальний текст (англ.) «For his pioneering contributions and leadership in the research and development of visible-wavelength light-emitting-diode (LED) materials and devices, including the first yellow LED and high-brightness, red-orange-yellow InAlGaP LEDs that exceed in performance the incandescent lamp» |
| 1999 | Денніс Деппе (англ. Dennis G. Deppe) | За розробку лазера поверхневого випромінювання з вертикальним оксидо-обмеженим резонатором Оригінальний текст (англ.) «For the development of the oxide-confined vertical cavity surface-emitting laser» |
| 2000 |  Жорес Іванович Алфьоров
|
За оригінальні дослідження гетероструктурних інжекційних лазерів і безперервних напівпровідникових лазерів кімнатної температури Оригінальний текст (англ.) «For his original investigations of heterostructure injection lasers and cw room temperature semiconductor lasers» |
| 2001 | Накамура Сюдзі
|
За оригінальну демонстрацію та комерціалізацію напівпровідникових лазерів і світлодіодів на основі GaN Оригінальний текст (англ.) «For original demonstration and commercialization of GaN-based semiconductor lasers and LEDs» |
| 2002 | Паллаб Бхаттачарія (англ. Pallab K. Bhattacharya) | За фундаментальний внесок у розробку та розуміння квантово-точкових лазерів та інших фотонних пристроїв з квантовим обмеженням Оригінальний текст (англ.) «For fundamental contributions to the development and understanding of quantum-dot lasers and other quantum-confined photonic devices» |
| 2003 | Джо Сарлз Кемпбелл (англ. Joe Charles Campbell) | За внесок у розробку високошвидкісних лавинних фотодіодів з низьким рівнем шуму Оригінальний текст (англ.) «For contributions to the development of high-speed, low-noise avalanche photodiodes» |
| 2004 | Петро Георгійович Єлісєєв[4] | За оригінальний і новаторський внесок у фізику та технологію напівпровідникових лазерів, починаючи з гомопереходів, закінчуючи гетероструктурами InGaAsP/InP, InGaAsSb/GaSb і включно з квантово-точковими структурами з ультранизьким порогом Оригінальний текст (англ.) «For original and pioneering contributions to the physics and technology of semiconductor lasers, beginning with homojunctions, progressing to heterostructures of InGaAsP/InP, InGaAsSb/GaSb and including ultra-low-threshold quantum-dot structures» |
| 2005 | Пол Деніел Дапкус (англ. P. Daniel Dapkus) | За основоположний внесок у розробку металоорганічного хімічного осадження з парової фази та його застосування в лазерних пристроях з квантовою ямою Оригінальний текст (англ.) «For seminal contributions to the development of metalorganic chemical vapor deposition and its application to quantum well laser devices» |
| 2006 | Джеймс Коулмен[en] | За внесок у розробку напівпровідникових лазерів із квантовими ямами та напруженими шарами завдяки інноваційним методам епітаксійного зростання та новим конструкціям пристроїв Оригінальний текст (англ.) «For a career of contributions to quantum well and strained-layer semiconductor lasers through innovative epitaxial growth methods and novel device designs» |
| 2007 | Констанс Дж. Чанг-Хаснайн[en] | За внесок в розвиток керування діодними лазерами: масиви поверхнево випромінюючих лазерів з вертикальним резонатором, блокування інжекції та повільне світло
Оригінальний текст (англ.) «For contributions to the control of diode lasers: vertical cavity surface emitting laser arrays, injection locking and slow light» |
| 2008 | Kam Yin Lau | За основоположний внесок у високошвидкісну пряму модуляцію напівпровідникових лазерів завдяки покращенню диференціального оптичного підсилення Оригінальний текст (англ.) «For seminal contributions to high-speed direct modulation of semiconductor lasers through enhanced differential optical gain» |
| 2009 | Джон Боверс[en] | Для фундаментальні і технологічні досягнення в активних гібридних кремнієвих фотонних пристроях, включаючи лазери, модулятори, підсилювачі та кремнієві активні фотонні інтегральні схеми Оригінальний текст (англ.) «For fundamental and technological advances in active hybrid silicon photonic devices including lasers, modulators, amplifiers and silicon based active photonic integrated circuits» |
| 2010 | Двн Ботез (англ. Dan Botez) | За фундаментальний внесок у створення потужних напівпровідникових лазерів, включаючи активні фотонно-кристалічні структури для створення високої когерентної потужності; однопелюсткові лазери з розподіленим зворотним зв'язком; та потужні високоефективні джерела на основі безалюмінієвої технології Оригінальний текст (англ.) «For fundamental contributions to high-power semiconductor lasers including active photonic-crystal structures for high coherent power generation; single-lobe grating-surface-emitting distributed-feedback lasers; and high-power, high-efficiency sources based on aluminum-free technology» |
| 2011 | Ясухіко Аракава[en] | За основоположний внесок у лазери на квантових точках і нанофотонні пристрої Оригінальний текст (англ.) «For seminal contributions to quantum dot lasers and nanophotonic devices» |
| 2012 | Кент Чокетт (англ. Kent D. Choquette) | За внесок у розробку поверхнево-випромінюючих лазерів з вертикальним резонатором Оригінальний текст (англ.) «For contributions to the development of vertical cavity surface-emitting lasers» |
| 2013 | Алессандро Тредікуччі (італ. Alessandro Tredicucci) | За демонстрацію терагерцового квантово-каскадного пристрою, першого компактного інжекційного лазера в далекому інфрачервоному діапазоні Оригінальний текст (англ.) «For demonstrating a terahertz quantum cascade device, the first compact injection laser in the far infrared» |
| 2014 |  Чин Тан[en]
|
За відкриття ефективних тонкоплівкових органічних світловипромінюючих діодів (OLED), що призвело до створення нових дисплеїв і освітлювальних приладів Оригінальний текст (англ.) «For the discovery of efficient thin-film organic light-emitting diodes (OLED), which has led to novel display and lighting products» |
| 2015 | Цін Ху (англ. Qing Hu) | За його піонерський внесок у високоефективні ТГц квантово-каскадні лазери та їх застосування у візуалізації та зондуванні Оригінальний текст (англ.) «For his pioneering contribution to high-performance THz quantum-cascade lasers and their applications in imaging and sensing» |
| 2016 | Ченнупаті Джагадіш[en] | За новаторські та постійні внески в оптоелектронні пристрої з квантовими ямами, квантовими точками та нанодротами та їх інтеграцію Оригінальний текст (англ.) «For pioneering and sustained contributions to quantum-well, quantum-dot and nanowire optoelectronic devices and their integration» |
| 2017 | Ларрі Колдрен (англ. Larry A. Coldren) | За великий внесок у фотонні інтегральні схеми Оригінальний текст (англ.) «For major contributions to photonic integrated circuits» |
| 2018 | Дітер Бімберг[de] | За фундаментальні відкриття щодо росту та фізики напівпровідникових наноструктур, які ведуть до нових нанофотонних пристроїв для інформатики та комунікацій Оригінальний текст (англ.) «For fundamental discoveries on growth and physics of semiconductor nanostructures leading to novel nanophotonic devices for information science and communications» |
| 2019 | Фуміо Кояма (англ. Fumio Koyama) | За фундаментальний внесок у фотоніку та інтеграцію VCSEL (Vertical-cavity surface-emitting lasers — поверхнево випромінюючих лазерів з вертикальним резонатором) Оригінальний текст (англ.) «For seminal contributions to VCSEL photonics and integration» |
| 2020 | Кей Май Лу[en] | За значний внесок у гетероепітаксію складних напівпровідників на кремнії для майбутніх інтегрованих лазерів і розвиток галузі світлодіодних мікродисплеїв Оригінальний текст (англ.) «For significant contributions to hetero-epitaxy of compound semiconductors on silicon for future integrated lasers and advancing the field of light-emitting diode microdisplays» |
| 2021 | Мартін Доусон[en] | За широкий внесок у розробку та застосування III—V напівпровідникових пристроїв, особливо включаючи мікросвітлодіоди на нітриді галію та напівпровідникові лазери з оптичним накачуванням Оригінальний текст (англ.) «For wide-ranging contributions to the development and application of III-V semiconductor devices especially including gallium nitride micro-LEDs and optically-pumped semiconductor lasers» |
| 2022 | Маршалл Натан (англ. Marshall I. Nathan) | За новаторську роботу у створенні діодних лазерів на основі GaAs та винахідницький внесок у складні напівпровідники та лазерну фізику Оригінальний текст (англ.) «For his pioneering work in creating GaAs diode lasers and inventive contributions to compound semiconductors and laser physics» |
Примітки[ред. | ред. код]
- ↑ Nick Holonyak, Jr. Award
- ↑ HKUST - Department of Electronic & Computer Engineering. Архів оригіналу за 20 лютого 2017. Процитовано 19 липня 2015.
- ↑ Hu is selected for OSA 2015 Nick Holonyak Jr. Award | MIT EECS. Архів оригіналу за 8 вересня 2015. Процитовано 19 липня 2015.
- ↑ Editor - Peter G. Eliseev | University of New Mexico (UNM) | 13972. Архів оригіналу за 4 березня 2016. Процитовано 19 липня 2015.