Дислокація (кристалографія)

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Перейти до: навігація, пошук
Крайова дислокація
Вектори Бюргерса для крайової та гвинтової дислокації

Дислокація - лінійний дефект у кристалі, додаткова кристалічна площина, вставлена в кристалічну ґратку.

Розрізняють крайові й гвинтові дислокації, а також дислокації змішаного типу. На границях розділу матеріалів з різною кристалічною структурою можуть утворюватися дислокації невідповідності. В окремих випадках дислокації утворюють дислокаційні петлі.

Кожна дислокація характеризується вектором Бюргерса. Густину дислокацій в кристалі вимірюють на одиницю площі.

Рухом дислокацій пояснюється пластичність матеріалів. Дислокації також грають велику роль в процесі росту кристалів.

Дислокації в матеріалах напівпровідникової електроніки призводять до погіршення властивостей матеріалів, тому кристали намагаються виростити з якомога меншою густиною дислокацій. З іншого боку, дислокації покращують пластичність сталей, тож залізо кують, щоб збільшити густину дислокації у ньому.

Методи дослідження[ред.ред. код]

Якщо дислокація присутня,то ніякими штучними методами її не усунеш. Тому існують певні методи аналізу дислокації:

  • Вибіркове травлення
    Якщо повторний механізм обробки та травлення не змінює положення в просторі ямок травлення,тоді цей дефект називається дислокацією.
  • Метод декорування
    Поверхня обробляється парою золота (або іншою фазою тієї речовини, щоб її було видно в скляному мікроскопі)
  • Метод фотопружності
    Дислокації - пружні зміни в структурі кристала. Різні ділянки характеризуються різними структурними змінами,тому взаємодія випромінювання буде різна, реакція також.
  • Метод електронної мікроскопії
    Цей метод полягає в тому,що взаємодія ренгенівського випромінювання зі зміщеними та незмішеними атомами буде відбуватись по-різному.

Див. також[ред.ред. код]


Фізика Це незавершена стаття з фізики.
Ви можете допомогти проекту, виправивши або дописавши її.