Дислокація (кристалографія)
Дислокація - лінійний дефект у кристалі, додаткова кристалічна площина, вставлена в кристалічну ґратку.
Розрізняють крайові й ґвинтові дислокації, а також дислокації змішаного типу. На границях розділу матеріалів з різною кристалічною структурою можуть утворюватися дислокації невідповідності. В окремих випадках дислокації утворюють дислокаційні петлі.
Кожна дислокація характеризується вектором Бюргерса. Густину дислокацій в кристалі вимірюють на одиницю площі.
Рухом дислокацій пояснюється пластичність матеріалів. Дислокації також грають велику роль в процесі росту кристалів.
Дислокації в матеріалах напівпровідникової електроніки призводять до погіршення властивостей матеріалів, тому кристали намагаються виростити з якомога меншою густиною дислокацій. З іншого боку, дислокації покращують пластичність сталей, тож залізо кують, щоб збільшити густину дислокації у ньому.
- Дислокація (кристалографія) -це лінійний протяжний дефект,який виникає,як границя(край) деякої атомарної площини в кристалі.
Лінія дислокації l - це границя між двома деформованими областями.Вона завжди присутня в кристалі.
Дислокацію оцінюють по зсувах дифракційних картин.
Загальна інформація [ред.]
Дислокація буває:
1. Крайова
Лінія дислокації перпендикулярна зусиллям (формується,як наслідок дії різних зусиль в різних частинах кристала).
2. Гвинтова
Лінія дислокації паралельна зусиллям
Методи дослідження [ред.]
Якщо дислокація присутня,то ніякими штучними методами її не усунеш.Тому існують певні методи аналізу дислокації:
- Вибіркове травлення
Якщо повторний механізм обробки та травлення не змінює положення в просторі ямок травлення,тоді цей дефект називається дислокацією.
- Метод декорування
Поверхня обробляється парами золота(тобто іншою фазою тієї речовини,щоб її було видно в скляному мікроскопі)
- Метод фотопружності
Дислокація-пружні зміни в структурі кристала.Різні ділянки характеризуються різними структурними змінами,тому взаємодія випромінювання буде різна,реакція також.
- Метод електронної мікроскопії
Цей метод полягає в тому,що взаємодія ренгенівського випромінювання зі зміщеними та незмішеними атомами буде відбуватись по-різному
Дислокацію оцінюють по зсувах дифракційних картин.
Див. також [ред.]
 |
Це незавершена стаття з фізики. Ви можете допомогти проекту, виправивши або дописавши її. |
 |
ВікіСховище має мультимедійні дані за темою: Дислокація (кристалографія) |
