Арсенід алюмінію
Арсенід алюмінію | |
---|---|
![]() | |
Ідентифікатори | |
Номер CAS | 22831-42-1 |
PubChem | 89859 |
Номер EINECS | 245-255-0 |
SMILES | [Al]#[As] |
InChI | 1/Al.As/rAlAs/c1-2 |
Властивості | |
Молекулярна формула | AlAs |
Молярна маса | 101,9031 г/моль |
Зовнішній вигляд | помаранчеві кристали |
Густина | 3,72 г/см³ |
Тпл | 1740 °C (2013 K) |
Показник заломлення (nD) | 3 (ІЧ) |
Структура | |
Кристалічна структура | цинкової обманки |
T2 d-F-43m | |
Координаційна геометрія |
тетраедрична |
Пов'язані речовини | |
Інші (напівпровідник) | Арсенід галію, арсенід індію, антимонід алюмінію, арсенід бору |
Якщо не зазначено інше, дані наведено для речовин у стандартному стані (за 25 °C, 100 кПа) | |
Інструкція з використання шаблону | |
Примітки картки |
Арсенід алюмінію (AlAs) — непрямозонний напівпровідник.
Арсенід алюмінію має майже однаковий період кристалічної ґратки з арсенідом галію, але має більшу ширину забороненої зони. Завдяки збігу періодів ґратки арсенід галію, арсенід алюмінію та їхні сплави добре утворюють гетеропереходи й гетероструктури, а тому широко використовується в напівпровідниковій електроніці.
Примітки
Література
- Отфрид Маделунг, «Физика полупроводниковых соединений элементов ІІІ и V групп» (перевод с англ.), М. «Мир» — 1967, 478 с.
- Курносов А. И. (1980). Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. Москва: Высшая школа.
![]() |
Це незавершена стаття з фізики. Ви можете допомогти проєкту, виправивши або дописавши її. |
![]() |
Це незавершена стаття про неорганічну сполуку. Ви можете допомогти проєкту, виправивши або дописавши її. |