Гетероструктури: відмінності між версіями

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Перейти до навігації Перейти до пошуку
[неперевірена версія][неперевірена версія]
Вилучено вміст Додано вміст
Немає опису редагування
Немає опису редагування
Рядок 1: Рядок 1:
[[File:Heterojunction types.png|thumb|Три типи гетероструктур в залежності від взаємного розташування зон]]
'''Гетеростуктури''' - [[напівпровідник]]ові структури, що складаються з шарів різнорідних напівпровідників із [[гетероперехід|гетеропереходами]] між ними.
'''Гетеростуктури''' - [[напівпровідник]]ові структури, що складаються з шарів різнорідних напівпровідників із [[гетероперехід|гетеропереходами]] між ними.



Версія за 16:19, 22 березня 2012

Три типи гетероструктур в залежності від взаємного розташування зон

Гетеростуктури - напівпровідникові структури, що складаються з шарів різнорідних напівпровідників із гетеропереходами між ними.

Одним із типів гетероструктур є квантова яма.

Гетероструктури використовуються в напівпровідникових пристроях: транзисторах, резонансних тунельних діодах тощо.