Гетероструктури: відмінності між версіями
Перейти до навігації
Перейти до пошуку
[неперевірена версія] | [неперевірена версія] |
Вилучено вміст Додано вміст
Немає опису редагування |
Немає опису редагування |
||
Рядок 1: | Рядок 1: | ||
[[File:Heterojunction types.png|thumb|Три типи гетероструктур в залежності від взаємного розташування зон]] |
|||
'''Гетеростуктури''' - [[напівпровідник]]ові структури, що складаються з шарів різнорідних напівпровідників із [[гетероперехід|гетеропереходами]] між ними. |
'''Гетеростуктури''' - [[напівпровідник]]ові структури, що складаються з шарів різнорідних напівпровідників із [[гетероперехід|гетеропереходами]] між ними. |
||
Версія за 16:19, 22 березня 2012
Гетеростуктури - напівпровідникові структури, що складаються з шарів різнорідних напівпровідників із гетеропереходами між ними.
Одним із типів гетероструктур є квантова яма.
Гетероструктури використовуються в напівпровідникових пристроях: транзисторах, резонансних тунельних діодах тощо.
Це незавершена стаття з фізики. Ви можете допомогти проєкту, виправивши або дописавши її. |