Дислокація (кристалографія)

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Перейти до: навігація, пошук
Крайова дислокація
Вектори Бюргерса для крайової та гвинтової дислокації

Дислока́ція — лінійний дефект у кристалі, додаткова кристалічна площина, вставлена в кристалічну ґратку.

Загальний опис[ред.ред. код]

Дефект у кристалічних ґратках, що порушує регулярне чергування атомних (кристалографічних) площин, зосереджений у малій області в кристалі. Здатний пересуватися в кристалі внаслідок послідовного переміщення атома з положення, яке він займає, в сусіднє. Через те, що енергія активації такого процесу звичайно невелика, дислокації можуть переміщатись швидко. Переважно зустрічаються в твердих кристалах.

Розрізняють крайові й гвинтові дислокації, а також дислокації змішаного типу. На границях розділу матеріалів з різною кристалічною структурою можуть утворюватися дислокації невідповідності. В окремих випадках дислокації утворюють дислокаційні петлі.

Кожна дислокація характеризується вектором Бюргерса. Густину дислокацій в кристалі вимірюють на одиницю площі.

Рухом дислокацій пояснюється пластичність матеріалів. Дислокації також грають велику роль в процесі росту кристалів.

Дислокації в матеріалах напівпровідникової електроніки призводять до погіршення властивостей матеріалів, тому кристали намагаються виростити з якомога меншою густиною дислокацій. З іншого боку, дислокації покращують пластичність сталей, тож залізо кують, щоб збільшити густину дислокації у ньому.

Методи дослідження[ред.ред. код]

Якщо дислокація присутня, то ніякими штучними методами її не усунеш. Тому існують певні методи аналізу дислокації:

  • вибіркове травлення — якщо повторний механізм обробки та травлення не змінює положення в просторі ямок травлення, тоді цей дефект називається дислокацією;
  • метод декорування — поверхня обробляється парою золота (або іншою фазою тієї речовини, щоб її було видно в скляному мікроскопі);
  • метод фотопружності. Дислокації — пружні зміни в структурі кристала. Різні ділянки характеризуються різними структурними змінами, тому взаємодія випромінювання буде різна, реакція також;
  • метод електронної мікроскопії — метод полягає в тому, що взаємодія ренгенівського випромінювання зі зміщеними та незмішеними атомами буде відбуватись по-різному.

Див. також[ред.ред. код]

Джерела[ред.ред. код]

  • Глосарій термінів з хімії // Й. Опейда, О. Швайка. Ін-т фізико-органічної хімії та вуглехімії ім. Л. М. Литвиненка НАН України, Донецький національний університет — Донецьк: «Вебер», 2008. — 758 с. — ISBN 978-966-335-206-0.
Фізика Це незавершена стаття з фізики.
Ви можете допомогти проекту, виправивши або дописавши її.