Пеленський Роман Андрійович

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Перейти до навігації Перейти до пошуку
Пеленський Роман Андрійович
Діяльність педагог
Alma mater Національний університет «Львівська політехніка»
Заклад Національний університет «Львівська політехніка»
Науковий ступінь доктор технічних наук

Пеленський Роман Андрійович — професор, доктор технічних наук, Національний університет «Львівська політехніка», кафедра теоретичної та загальної електротехніки.

Біографічні відомості[ред. | ред. код]

Досліджено електромагнітні поля у наноприладах. Розкрито механізми впливу поверхневих явищ на електромагнітні процеси у наноплівках. Дисертаціія на тему: Теорія внутрішніх електричних і теплових полів мікроелектронних і термоелектричних приладів — автореферат дисертації, 1992. Спеціальність ВАК РФ: 05.11.04 — Прилади і методи вимірювання теплових величин

Наукові напрямки досліджень[ред. | ред. код]

  • Гамола О. Є., Пеленська І. Р., Пеленський Р. А. Моделювання електрофізичних процесів у субмікро- та наноструктурах. Національний університет «Львівська політехніка», кафедра теоретичної та загальної електротехніки. 2010.
  • Пеленський Р. А. Моделювання кремнієвих та вуглецевих наноприладів. / Р. А. Пеленський, О. Є. Гамола // Електроенергетичні та електромеханічні системи : збірник наукових праць / відп. ред. О. Ю. Лозинський. — Л. : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2010. — 148 с.

Журнальні публікації[ред. | ред. код]

Бурак Я И., Галапац Б. П.. Пеленский P.A. Диф ур- я термодинамическим процессов в собственны": полупроводника" // Математические методы и ф-мех поля . к., 1975 Вып. 2

Бурак Я. И., Пеленский P.A. Теоретические осиоьы расчета распределения объем,, ах и поверхностный эарядо" & микроэлек-•тронхыя и термоэлектрических устройствах //Теоретическая электротехника Л мол, J976. Вып. 20.

Метод измерения плотности заряда, захваченного на поверхностные уро"ин // Контрольно-измерительная техника. Лью®, 1985. Вып. 37.

Граничные условия электродинамики энергетически неоднородных сред // Зестк. Л. политехи, нн-та. 1982. № 159.

Пеленскнй P.A. Динамика контактных электрических слоев заряд" // Физическая элек оонккг: Респ. мегавед. науч.-техн.сб., Львов. 1931. Вып. 23. .

Пеленскнй P.A.Диффузионное поле континуума основных носителей заряда //' Вести. «1Гьэоа. политехи. и.ч-та. 1981. W» 152

Исследование граничных условий для расчета распределения объемный зарядоз в элемента" микроэлектроники // Теоретическая техн. , 1979. Вып.27.

Контроль яачестаа и оптимизация некоторых териологических проаессоа производстве интегральных схем // Тез. докл. ,Казань, 12-17 окт. 1980 г. Казань, 1981.

Методика исследования контактов // «Физика и технология тонких пленок сложных полупроводников» , Ужгород. 30 сент- 2окт 198! г Ужгород, 198).

Пеленский РА Метод построения полевых моделей выпрямителей // Вести. Львов политехи кн-га 1983 К? 174.

Пеленскнй Р.А Моделирование монополярных структур К , 1987 Рукопись деп в УкрИИИИТИ, № 486 Ук-87 Леп

Пеленскнй Р.А Моделирование процессов" двухконтннуумной системе свободны* заряженных частиц // Тез. докл. Всесоюз конф, "Проблемы нелинейной электротехники " Киев. 23-25 сент 1981 г К., 1981 Ч 3.

Пеленскнй Р А Моделирование процессов микроэлектронных устройств // Моделирование электрофизических и электроэнергетических систем н устройств Сб. научи _тр К , 1983

Пеленскнй P.A. Моделирование процессов перенос заряда н энергии в микроэлектронных структура// Тез докл 1 Всесоюз науч -техн коиф. по теоретической электротехнике Ташкент 17-19 сеит 1987 г Ташкент. 1987.

Пеленскнй P.A. Новый метод построения полевых моделей транзисторов // Теоретическая электротехника. Львов. 1983. Вып 35

Пеленскнй Р А О контактных электрическ слоях // Электричество 1982. К; 6.

Пеленский Р А О перспективах применения полевых моделей полупроводниковых приборов в энергетике н электромеханике // Вести Львов, политехи ин-та.1985 № 194.

Пеленскнй P.A. Основы математического моделирования процессов токо- и теплопереноса в неоднородн средах // Электроэнергетические а электромеханические системы Вестннк ЛПИ, Вып. 224, 1988.

Расширенные математические модели шшрэздечтрои-ныя структур // Известия вузов — Электромеханика, Kt В, 19S1.

Свойства сосредоточенного контактного электрического слоя // Вести. Льеов. политехи, ин-та. 1981.

Сандулова А.В., Заганяч Ю. И., Пеленеский P.A. Точность преобразователей механических величин на основе полупроводниковых тенэорезисторов // Тез. докл. Всесоюз. конф. «Состояние н перспективы развития электро-теизометрнк», Ленинград, 22-24 апр. 1973 г. Л., 1973.

Сандулова A.B., Марьямова И. И., Заганяч Ю. И., Пеленский P.A. Технолога 1 создания и исследование свойств контактов на полупроводниковых тензодатчиках // Полупроводниковая тензометрия: Тр. Всесоюз. совещания. Новосибирск, 1968. Т. 1.

Сандулова А.В, Пеленский P.A., Заганяч Ю. И. Стабильность полупроводниковых тензорезисторов // Приборы и системы управления. 1973.

Бібліографія[ред. | ред. код]

  • Пеленський Р. А. Елементи теорії наномагнетизму / Національний університет «Львівська політехніка», кафедра ТЗЕ.

Джерела[ред. | ред. код]