КМОН

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.

КМОН (К-МОН; комплементарний метал-оксидний-напівпровідник; англ. CMOS, Complementary-symmetry/metal-oxide semiconductor) — технологія побудови логічних електронних схем. У технології КМОН використовуються МДН- транзистори з ізольованим затвором з каналами різної провідності. Основною особливістю схем КМОН в порівнянні з біполярними технологіями (ТТЛ, І²Л та ін.) є дуже мале енергоспоживання в статичному режимі (в більшості випадків можна вважати, що енергія споживається тільки під час перемикання станів) у випадку послідовного їх з'єднання (наприклад, у вигляді інвертора, чи якоїсь іншої логічної схеми). Другою особливістю структури КМОН в порівнянні з іншими МОН-структурами (N-МОН, P-МОН) є наявність як n-, так і p-канальних польових транзисторів на одній напівпровідниковій підкладці; як наслідок, КМОН-схеми мають вищу швидкодію та менше енергоспоживання, проте при цьому характеризуються складнішим технологічним процесом виготовлення і меншою щільністю упаковки.

[ред.] Дивіться також

• Біполярний транзистор
• Польовий транзистор
• МДН- транзистор

[ред.] Література

• Baker, R. Jacob. CMOS: Circuit Design, Layout, and Simulation, Revised Second Edition (2008), Wiley-IEEE. ISBN 978-0-470-22941-5. http://CMOSedu.com/
• Weste, Neil H. E., Harris, David M.. CMOS VLSI Design: A Circuits and Systems Perspective, Third Edition (2005), Pearson/Addison-Wesley. ISBN 0-321-26977-2. http://CMOSvlsi.com/
• Mead, Carver A. and Conway, Lynn. Introduction to VLSI systems (1980), Addison-Wesley. ISBN 0-201-04358-0.
• Жан М. Рабаи, Ананта Чандракасан, Боривож Николич {{{заголовок}}}. — ISBN 0-13-090996-3
• Точчи, Рональд, Дж., Уидмер, Нил, С. {{{заголовок}}}. — ISBN 5-8459-0586-9

Це незавершена стаття з електроніки. Ви можете допомогти проекту, виправивши або дописавши її.

Це незавершена стаття з фізики. Ви можете допомогти проекту, виправивши або дописавши її.