Корсунська Надія Овсіївна

Корсунська Надія Овсіївна
Народилася	10 вересня 1939(1939-09-10) (84 роки) Київ, УРСР, СРСР
Місце проживання	Київ, Україна
Країна	СРСР →  Україна
Діяльність	фізик
Alma mater	Чернівецький університет
Галузь	фізика
Заклад	Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України
Посада	провідний науковий співробітник відділу фотоелектричних явищ у напівпровідни­­ках
Вчене звання	професор
Науковий ступінь	доктор фізико-математичних наук
Нагороди

Надія Овсіївна Корсунська (10 вересня 1939, Київ) — українська фізик, доктор фізико-математичних наук, професор, лауреатка Державної премії України в галузі науки і техніки.

Життєпис

Після закінчення у 1954 Чернівецького університету почала працювати в Інституті фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України. З 1989 року — провідний науковий співробітник відділу фотоелектричних явищ у напівпровідниках.

Науковий ступінь доктора фізико-математичних наук отримала у 1986 році, вчене звання професора — у 1996.

Наукова діяльність

Галузі наукових інтересів: нерівнова­­жні електронні процеси, реакції дефектів та дифузія в об'ємних і нанорозмірних напівпровідниках A^IIB^VI і Si. Встановила механізми процесів перетворення дефектів ґратки у напівпровідниках A^IIB^VI під дією випромінювання та ультразвуку.

Нагороди

Облікова картка Лауреата Державної премії УРСР Корсунської Надії Овсіївни

• Державна премія УРСР в галузі науки і техніки (1983) — за цикл робіт «Фізичні основи управління властивостями матеріалів та приладів твердотільної електроніки дією радіації» (спільно з Добролежем Сергієм Олександровичем, Горіним Борисом Михайловичем, Александровим Олександром Павловичем, Ківом Аріком Юхимовичем, Ясковцем Іваном Івановичем, Давидовою Надією Олександрівною, Шаховцовим Валерієм Івановичем, Вінецьким Валентином Львовичем і Бугаєм Олександром Аркадійовичем).

Праці

• Фотохимические реакции в по­­лупроводниках А2В6 // Физика со­еди­нений А2В6. Москва, 1986 (рос.) (у спів­авторстві).
• Ultrasound stimulated defect reactions in semi­­con­­ductors // Defect Interaction and Clus­­tering in Semiconductors. Zürich, 2002 (англ.) (у спів­авторстві).
• Mobile point defects in wide-band gap II—VI semiconductors as a factor of their instability // New Developments in Con­­densed Matter Physics. New York, 2006 (англ.) (у спів­авторстві).
• Structure and optical properties of mag­­netron-sputtered SiOx layers with silicon nanoparticles // Defect and Diffusion Fo­­rum. Zürich, 2010. Vol. 303—304 (англ.) (у спів­авторстві).
• Н. О. Корсунська, І. В. Маркевич, Т. Р. Стара, Л. В. Борковська, С. Р. Лаворик, Л. Ю. Мельничук, О. В. Мельничук. Кореляція між фотолюмінесцентними та фотоелектричними властивостями ZnO, легованого Mn // Український фізичний журнал. — 2018. — Т. 63, № 7. — С. 658-662. Архівовано з джерела 15 квітня 2022. Процитовано.
• І. В. Венгер, Є. Ф. Венгер, Н. О. Корсунська, Л. Ю. Мельничук, О. В. Мельничук, Л. Ю. Хоменкова. Фізичний експеримент як основа підготовки майбутнього фахівця за спеціальністю «Прикладна фізика та наноматеріали» // Вісник Чернігівського національного педагогічного університету. — 2018. — № 153. — С. 16-23. Архівовано з джерела 6 березня 2022. Процитовано.
• Н. О. Корсунська, Л. Ю. Мельничук, О. В. Мельничук, Л. Ю. Хоменкова. Психолого-педагогічні методи розвитку творчого мислення для студентів ВНЗ // Наукові записки Ніжинського державного університету ім. Миколи Гоголя. — 2018. — № 3. — С. 108-116. Архівовано з джерела 25 березня 2022. Процитовано.

Джерела

• Л. В. Борковська. Корсунська Надія Овсіївна // Енциклопедія сучасної України / ред. кол.: І. М. Дзюба [та ін.] ; НАН України, НТШ. — К. : Інститут енциклопедичних досліджень НАН України, 2014. — Т. 14 : Кол — Кос. — 767 с. — ISBN 978-966-02-7304-7.