EEPROM

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Перейти до: навігація, пошук

EEPROM (англ. Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) — постійний запам'ятовувальний пристрій, що програмується та очищується за допомогою електрики, один з видів енергонезалежної пам'яті. Пам'ять такого типу може очищуватися та заповнюватися інформацією декілька десятків тисяч разів. Використовується в твердотільних накопичувачах. Одним з різновидів EEPROM є флеш-пам'ять (англ. Flash Memory).

Принцип дії[ред.ред. код]

EEPROM - постійний запам'ятовувальний пристрій, що програмується та очищується за допомогою електрики, один з видів енергонезалежної пам'яті. Пам'ять такого типу може очищуватися та заповнятися інформацією декілька десятків тисяч разів. Використовується в твердотільних накопичувачах. Одним з різновидів EEPROM є флеш-пам'ять.

Принцип роботи EEPROM оснований на зміні та реєстрації електричного сигналу в ізольованій області (кишені) напівпровідникової структури.

Зміна заряду ("запис" та "стирання") виконується поданням між затвором і витоком великого потенціалу, щоб напруженість електричного поля в тонкому діелектрику між каналом транзистора і кишенею виявилася достатньою для виникнення тунельного ефекту. Для посилення ефекту тунелювання електронів у кишеню при записі застосовується невелике прискорення електронів шляхом пропускання струму через канал польового транзистора. Читання виконується польовим транзистором, для якого кишеня виконує роль затвора. Потенціал плавного затвора змінює порогові характеристики транзистора, що і реєструється ланцюгами читання.

Основна особливість класичної осередку EEPROM - наявність другого транзистора, який допомагає управляти режимами запису і стирання. Деякі реалізації виконувалися у вигляді одного трьохзатворного польового транзистора (один затвор плаваючий і два звичайних). Ця конструкція забезпечується елементами, які дозволяють їй працювати у великому масиві таких же осередків. З'єднання виконується у вигляді двовимірної матриці, в якій на перетині стовпців і рядків знаходиться одна клітинка. Оскільки осередок EEPROM має третій затвор, то крім підкладки до кожної клітинки підходять 3 провідника (один провідник стовпців і 2 провідника рядків).

Список виробників EEPROM[ред.ред. код]