Вакуумне напилення

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Перейти до: навігація, пошук
Модель молекулярного рівня процесу вакуумного напилення
Установка вакуумного напилення
Деталі з покриттям з нітриду титану, отриманим вакуумним напиленням з електродуговим нагріванням

Ва́куумне напи́лення або вакуумно-конденсаційний спосіб нанесення покриття (англ. physical vapour deposition, PVD — напилення конденсацією з парової (газової) фази) — група методів напилення покриттів (тонких плівок) у вакуумі, при яких покриття отримується шляхом прямої конденсації пари матеріалу, що наноситься[1].

З використанням методів вакуумного напилення отримують покриття товщиною від декількох ангстрем до декількох мікронів, зазвичай після нанесення покриття поверхня не потребує додаткового оброблення.

Загальна інформація[ред.ред. код]

Техніка вакуумного (вакуумно-конденсаційного) способу нанесення покриття передбачає використання корпускулярного потоку речовини на рівні атомів, молекул, іонів і взаємодії цього потоку з поверхнею твердого тіла. Наслідком такої взаємодії є конденсація — осадження речовини на поверхню нанесення покриття, або насичення речовиною поверхневого шару — модифікування поверхневого шару легуванням чи імплантацією. Усі процеси відбуваються в умовах вакууму.

В англомовній літературі процеси, які використовують такі фізичні явища, як випаровування металевих матеріалів або катодне їх розпилення у вакуумі, іонізацію пари металів, фізичне осадження корпускулярного потоку речовини на поверхню холодної або дещо підігрітої основи, називаються PVD-процесами (англ. physical vapour deposition processes).

Стадії вакуумного напилення[ред.ред. код]

Розрізняють такі стадії вакуумного напиления:

  1. Створення газу (пари) з частинок матеріалу напилення.
  2. Транспортування пари до поверхні напилення.
  3. Конденсація пари на поверхні напилення й формування покриття;

Класифікація[ред.ред. код]

До групи методів вакуумного напилення належать низка технологій, що класифікуються за такими ознаками[2]:

1) За способом отримання корпускулярного потоку металів та сполук, що напилюються на поверхню виробу:

  • термічним випаровуванням металу або сполуки з безперервною або імпульсною дією джерела нагрівання на розпилюваний матеріал. При цьому можуть використовуватись такі методи нагрівання:
    • резистивне нагрівання;
    • високочастотне індукційне нагрівання;
    • електродугове нагрівання (англ. cathodic arc deposition, Arc-PVD)
    • випаровування електронним променем (англ. electron beam evaporation);
    • випаровування лазерним променем (англ. pulsed laser deposition, pulsed laser ablation).
  • іонним розпиленням металів і сполук.

2) За способом нанесення матеріалу покриття:

  • конденсації з пари або конденсаційний спосіб (англ. evaporation) — нанесення через конденсацію неіонізованих або мало-іонізованих випарів металу або сполуки, які отримуються термічними методами шляхом випаровування[1];
  • іонно-плазмове напилення (англ. ion plating або англ. plasma assisted physical vapor deposition; PA PVD) — нанесення пари металу або сполук випаровуванням та термічною сублімацією дуже іонізованих вакуумною дугою або іншим джерелом іонізації;
  • іонне (плазмоіонне) розпилення (англ. sputtering) полягає у бомбардуванні позитивними іонами твердої мішені (катода) з матеріалу, що наноситься, з подальшим осадженням розпилених частинок на поверхні деталей. Часто цей процес називають катодним розпиленням. Джерелом позитивних іонів є плазма тліючого розряду в середовищі робочого газу (аргону, азоту, оксиду вуглецю) при невисокому тиску в камері (0,1…1 Па):
    • магнетронне розпилення (англ. magnetron sputtering)
    • напилення з іонним асистуванням (англ. ion beam assisted deposition, IBAD)
  • молекулярно-променева епітаксія (англ. molecular beam epitaxy, MBE) — метод епітаксіального росту кристалів в умовах надвисокого (10−8 Па) вакууму.

3) За способами активації процесу нанесення покриття:

  • без активації процесу покриття;
  • реакційним методом, який дозволяє внаслідок реакції газів (азоту, кисню, аміаку, вуглеводневих газів) з парою металів отримати сполуки (нітриди, оксиди, карбіди тощо) на поверхні нанесення покриття.

Застосування[ред.ред. код]

Вакуумне напилення застосовують для створення на поверхні деталей, інструментів і обладнання функціональних покрить — провідних, ізоляційних, зносостійких, корозієстійких, ерозієстійких, антифрикційних, протизадирних, бар'єрних тощо. Процес знайшов застосування при нанесенні декоративних покрить (нанесення позолоти). Є одним з основних процесів мікроелектроніки, де застосовується для нанесення електропровідних шарів (металізації). Вакуумне напилення використовується для отримання оптичних покрить: просвітлювальних, відбивних, фільтрувальних.

Матеріалами для напилення служать мішені з різних матеріалів, металів (титану, алюмінію, вольфраму, молібдену, заліза, нікелю, міді, графіту, хрому), їх сплавів, сполук (SiO2, TiO2, Al2O3). В технологічне середовище може додаватись хімічно активний газ, наприклад ацетилен (для покрить, з вмістом вуглецю); азот, кисень. Хімічна реакція на поверхні підкладки активується нагріванням, або іонізацією та дисоціацією газу тією чи іншою формою газового розряду.

Див. також[ред.ред. код]

Примітки[ред.ред. код]

  1. а б ДСТУ 2491-94 Покриття металеві та неметалеві неорганічні. Терміни та визначення.
  2. Інженерія поверхні, 2007, с. 295

Джерела[ред.ред. код]

  • Інженерія поверхні: Підручник / К. А. Ющенко, Ю. С. Борисов, В. Д. Кузнецов, В. М. Корж. — К. : Наукова думка, 2007. — 559 с. — ISBN 978-966-00-0655-3.
  • Mattox, Donald M. Handbook of Physical Vapor Deposition (PVD) Processing: Film Formation, Adhesion, Surface Preparation and Contamination Control.. Westwood, N.J.: Noyes Publications, 1998. ISBN 0-8155-1422-0.
  • Powell, Carroll F., Joseph H. Oxley, and John Milton Blocher (editors) Vapor Deposition. The Electrochemical Society series. New York: Wiley, 1966.
  • Кузьмичёв А. И. Магнетронные распылительные системы. — К. : Аверс, 2008. — 244 с. — ISBN 966-8934-07-5.

Посилання[ред.ред. код]