Власенко Наталія Андріївна

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Перейти до навігації Перейти до пошуку

Наталія Андріївна Власенко
Народилася3 січня 1929(1929-01-03) (95 років)
Харків, Українська СРР, СРСР
КраїнаСРСР СРСРУкраїна Україна
Діяльністьфізикиня
Alma materХНУ ім. В. Н. Каразіна
Галузьфізика
ЗакладІнститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України
ХНУ ім. В. Н. Каразіна
Науковий ступіньдоктор фізико-математичних наук
Нагороди

Наталія Андріївна Власенко (нар. 3 січня 1929(19290103), Харків) — вчена-фізик, доктор фізико-математичних наук, професор.

Біографія

[ред. | ред. код]

Наталія Андріївна Власенко народилась 3 січня 1929 року в місті Харків. У 1952 році закінчила Харківський університет.

Трудова діяльність

[ред. | ред. код]

Після закінчення Харківського університету з 1952 року до 1960 Наталія Андріївна працювала в цьому ж університеті. Від 1960 року працювала в Інституті фізики напівпровідників НАН України (Київ): старшим науковим співробітником, від 1966 до 1995 року — завідувачем відділу електролюмінесценції, від 1995 року — провідним науковим співробітником.

Наукові дослідження

[ред. | ред. код]

Власенко Н. А. проводила дослідження в області електролюмінесценції, фотолюмінесценції та оптики тонких напівпровідникових плівок. Зробила вагомий внесок у розвиток фізичних уявлень про механізми збудження та старіння в тонкоплівкових електролюмінесцентних структурах (ТПЕЛС), роль інтерференційних і магнітних ефектів, фізичну модель власної пам'яті та природу просторово неоднорідних динамічних станів у світінні.

Досягнення. Відзнаки

[ред. | ред. код]

Наукові праці

[ред. | ред. код]
  1. Исследование электролюминесценции сублимат-фосфора ZnS: Mn // Оптика и спектроскопия. 1960. — Т. 8. — № 1. (рос.) (співавторство)
  2. Physical Processes in Thin-Film Electroluminescent MSM, MSIM and MISIM Structures // Acta Polytechnica Scandinavica. Appl. Phys. Ser. 1990. № 170. (англ.)
  3. On nature of centers responsible for inherent memory in ZnS: Mn thin-film electroluminescent devices // J. Crystal Growth, 2000. — Т. 216. (англ.) (співавторство)
  4. On origin of rapid portion of luminance-voltage dependence of ZnS: Mn TFEL devices and its aging behaviour // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2002. — Т. 5. — № 1 (англ.) (співавторство)
  5. Self-Organization Patterns in Electroluminescence of Bistable ZnS: Mn Thin-Film Structures // Там само. 2004. — T. 7. — № 2. (англ.) (співавторство)

Джерела

[ред. | ред. код]