Джон Баттіскомб Ґанн

Джон Баттіскомб Ґанн
Джон Баттіскомб Ґанн (посередині), листопад 1969
Народився	13 травня 1928(1928-05-13) Каїр, Єгипет
Помер	2 грудня 2008(2008-12-02) (80 років) Маунт-Кіско, Нью-Йорк, США
Країна	Велика Британія
Діяльність	фізик, інженер
Галузь	напівпровідник
Alma mater	Триніті-коледж (Кембридж), Solebury Schoold і King Alfred Schoold
Знання мов	англійська
Членство	Інститут інженерів з електротехніки та електроніки, Американська академія мистецтв і наук і Національна інженерна академія США
Нагороди	IBM Fellowd премія пам'яті Морріса Лібманна (1969) член Американського фізичного товариства член IEEEd медаль Джона Скотта (1971)

Джон Баттіскомб Ґанн (англ. John Battiscombe Gunn) (13 травня 1928 — 2 грудня 2008) — британський та американський фізик.

З біографії

Джон Ґанн народився в Єгипті, закінчив Триніті-коледж Кембриджського університету зі ступенем з фізики в 1948 році. Його батько був єгиптолог Баттіскомб Ґанн, його зведений брат музикант — Спайк Г'юз, і тітка — шотландська націоналістка Венді Вуд.

Під час роботи у IBM, у 1963 році Джон Ганн винайшов діод Ґанна на основі ефекту Рідлі—Воткінса—Гілсома. Він був членом Національної академії наук США та Американської академії мистецтв і наук, і отримав премію IEEE Морріса М. Лібмана за 1969 рік, медаль Вальдемара Поульсена вид Королівської данської академії наук і літератури, і премію Джона Скотта.

Вибрані публікації

• J. B. Gunn, «Microwave Oscillation of Current in III—V Semiconductors», Solid State Communications, 1 88 (1963). (англ.)