Ковалюк Захар Дмитрович

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Перейти до навігації Перейти до пошуку
Ковалюк Захар Дмитрович
Народився 6 березня 1940(1940-03-06) (78 років)
с. Мамаївці, нині Кіцманський район Чернівецька область Україна
Громадянство Україна Україна
Національність українець
Діяльність фізик
Відомий завдяки фізика, матеріалознавство, нанотехнології
Alma mater Чернівецький університет
Науковий ступінь доктор фізико-математичних наук
Нагороди Державна премія України в галузі науки і техніки
Звання професор

Ковалюк Захар Дмитрович (нар. 6 березня 1940, с. Мамаївці) — відомий український науковець в галузі фізики, матеріалознавства та нанотехнологій, доктор фізико-математичних наук (1984), професор (1987), лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки (2001).

Керівник Чернівецького відділення Інституту проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України[1].

Біографія[ред. | ред. код]

  • 1956 р. – закінчив середню школу №9 в Чернівцях.
  • 1961 р. – закінчив Чернівецький університет (кафедра фізики напівпровідників).
  • 1961-1964 рр. – працював інженер-технологом на Запорізькому заводі напівпровідникових приладів п/c № 77 (Запоріжжя, УРСР).
  • 1964–1969 рр. – викладач на кафедрі фізики Чернівецького медичного інституту.
  • З 1969 р. – науковий співробітник Чернівецького відділення Інституту проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича.
  • 1971 р. – захистив кандидатську дисертацію «Дослідження стану домішок в напівпровідниках низької симетрії», Чернівецький університет.
  • 1984 р. – захистив докторську дисертацію «Електронно-іонні процеси в шаруватих кристалах», Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича, Київ, УРСР.
  • 1987 – присвоєно вчене звання професора фізики твердого тіла, ВАК СРСР, Москва.
  • з 1990 – керівник Чернівецького відділення Інституту проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України[2].
  • водночас з 1999-2014 рр. – професор кафедри електроніки та енергетики Чернівецього національного університету імені Юрія Федьковича[3].
  • 2000-2001 рр. – за сумісництвом завідувач кафедри комп’ютерних систем та мереж Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича.
  • 2001 р. – лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки.

Наукова діяльність[ред. | ред. код]

З науковою діяльність Ковалюка Захара Дмитровича пов'язаний розвиток такого актуального напрямку матеріалознавства як технологія матеріалів з шаруватою структурою. Він вперше в Україні започаткував фундаментальні і прикладні дослідження наноструктурних матеріалів на основі шаруватих кристалів, розробив оригінальні методи синтезу наноутворень та нанопорошків на основі цих об'єктів.

До наукових інтересів ученого належать: технологія вирощування шаруватих кристалів, їх інтеркаляція і деінтеркаляція, створення катодних матеріалів для літієвих джерел струму, радіаційно стійкі шаруваті матеріали й гетеропереходи на їх основі, вуглецеві матеріали рослинного походження для електродів суперконденсаторів, наноструктури на базі шаруватих матеріалів, матеріали для спінтроніки тощо.

Під його керівництвом вперше отримані нанопорошкові матеріали для катодів літієвих джерел живлення, які за своїми параметрами відповідають світовому рівню. Синтезовані біовуглецеві матеріали рослинного походження з великою розвиненою внутрішньою поверхнею, які є дешевим і високоякісним матеріалом для суперконденсаторів надвеликої ємності. Суттєве місце в дослідженнях Ковалюка З.Д. займають роботи присвячені інтеркалюванню шаруватих кристалів воднем, які можуть служити акумуляторами водню.Створені та вивчені гомо- та гетеропереходи на основі шаруватих кристалів, які є елементною базою для фотоелектричних пристроїв, досліджено їх поведінку під дією високоенергетичних випромінювань і доведена можливість експлуатації в умовах високої радіації.Вперше отримані нанопорошкові матеріали катодних матеріалів Ві23, TiS2, CuBiSe2, Cu4Bi5S10 для літієвих джерел живлення, які по своїх енергетичних параметрах знаходяться на рівні світових досягнень.

Наукові дослідження Ковалюка Захар Дмитровича принесли йому міжнародне визнання, вони опубліковані в багатьох міжнародних рейтингових наукових журналах, в тому числі Nature Nanotechnology[4], Advanced Materials[5][6], Scientific Reports[7], Advanced Optical Materials[8], 2D Materials[9], Physical Review B[10][11][12], Applied Physics Letters[13][14], Nanotechnology[15][16] та ін.

На даний час, одним з пріоритетних напрямків наукової діяльності вченого є дослідження високоактуальних двовимірних (2D) графено-подібних кристалів.

Автор понад 800 наукових публікацій, із них 88 патентів і винаходів, в тому числі патенти СРСР, України, США, Росії, Польщі, International Patents, European Patents.

Окрім цього, він веде активну педагогічну діяльність: підготував 27 кандидатів фізико-математичних та технічних наук, один з яких захистив докторську дисертацію.

Примітки[ред. | ред. код]

  1. Статус в НАН України. http://www.nas.gov.ua. 
  2. Чернівецьке відділення Інституту проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича Національної академії наук України. 
  3. Ковалюк Захар Дмитрович. // Кафедра електроніки і енергетики Чернівецького національного університету ім. Юрія Федьковича. 
  4. D. A. Bandurin, A. V. Tyurnina, G. L. Yu, A. Mishchenko, V. Zólyomi, S. V. Morozov, R. Krishna Kumar, R. V. Gorbachev, Z.R. Kudrynskyi, S. Pezzini, Z.D. Kovalyuk, U. Zeitler, K.S. Novoselov, A. Patanè, L. Eaves, I. V. Grigorieva, V. I. Fal'ko, A.K. Geim, Y. Cao. High electron mobility, quantum Hall effect and anomalous optical response in atomically thin InSe. // Nature Nanotechnology (2016). 
  5. G.W. Mudd, S.A. Svatek, L. Hague, O. Makarovsky, Z.R. Kudrynskyi, C.J. Mellor, P.H. Beton, L. Eaves, K.S. Novoselov, Z.D. Kovalyuk, E.E. Vdovin, A.J. Marsden, N.R. Wilson, and A. Patanè. High Broad-Band Photoresponsivity of Mechanically Formed InSe–Graphene van der Waals Heterostructures. // Advanced Materials. Vol. 27, No. 25, pp. 3760–3766 (2015). 
  6. G.W. Mudd, S.A. Svatek, T. Ren, A. Patanè, O. Makarovsky, L. Eaves, P.H. Beton, Z.D. Kovalyuk, G.V. Lashkarev, Z.R. Kudrynskyi, A.I. Dmitriev. Tuning the Bandgap of Exfoliated InSe Nanosheets by Quantum Confinement. // Advanced Materials. Vol. 25, No. 40, pp. 5714–5718 (2013). 
  7. R. Beardsley, A.V. Akimov, J.D. G. Greener, G.W. Mudd, S. Sandeep, Z.R. Kudrynskyi, Z.D. Kovalyuk, A. Patanè and A.J. Kent. Nanomechanical probing of the layer/substrate interface of an exfoliated InSe sheet on sapphire. // Scientific Reports 6, p. 26970 (2016). 
  8. N. Balakrishnan, Z.R. Kudrynskyi, M.W. Fay, G.W. Mudd, S.A. Svatek, O. Makarovsky, Z.D. Kovalyuk, L. Eaves, P.H. Beton, A. Patanè. Room temperature electroluminescence from mechanically formed van der Waals III–VI homojunctions and heterojunctions”. // Advanced Optical Materials. Vol. 2, No. 11, pp. 1064–1069 (2014). 
  9. N. Balakrishnan, C.R. Staddon, E.F. Smith, J. Stec, D.Gay, G.W. Mudd, O. Makarovsky, Z.R. Kudrynskyi, Z.D. Kovalyuk, L. Eaves, A. Patanè and P.H. Beton. “Quantum confinement and photoresponsivity of β-In2Se3 nanosheets grown by physical vapour transport”. // 2D Materials. Vol. 3, No. 2, p. 025030 (2016). 
  10. P. Dey, J. Paul, N. Glikin, Z.D. Kovalyuk, Z.R. Kudrynskyi, A.H. Romero, D. Karaiskaj. Mechanism of excitonic dephasing in layered InSe crystals. // Physical Review B. Vol. 89, No. 12, pp. 125128 (2014). 
  11. L. Plucinski, R. L. Johnson, B. J. Kowalski, K. Kopalko, B. A. Orlowski, Z. D. Kovalyuk, and G. V. Lashkarev. Electronic band structure of GaSe(0001):  Angle-resolved photoemission and ab initio theory. // Phys. Rev. B 68, 125304 (2003). 
  12. V. V. Slyn’ko, A. G. Khandozhko, Z. D. Kovalyuk, V. E. Slyn’ko, A. V. Zaslonkin, M. Arciszewska, and W. Dobrowolski. Ferromagnetic states in the In1−xMnxSe layered crystal. // Phys. Rev. B 71, 245301 (2005). 
  13. G.W. Mudd, A. Patanè, Z.R. Kudrynskyi, M.W. Fay, O. Makarovsky, L. Eaves, Z.D. Kovalyuk, V. Zolyomi, and V. Falko. Quantum confined acceptors and donors in InSe nanosheets. // Applied Physics Letters. Vol. 105, No. 22, p. 221909 (2014). 
  14. A. V. Velichko, Z. R. Kudrynskyi, D. M. Di Paola, O. Makarovsky, M. Kesaria, A. Krier, I. C. Sandall, C. H. Tan, Z. D. Kovalyuk, and A. Patanè. Highly-mismatched InAs/InSe heterojunction diodes. // Applied Physics Letters Vol. 109, No. 18, p. 182115 (2016). 
  15. V.V. Brus, P.D. Maryanchuk, Z.D. Kovalyuk, S.L. Abashyn. 2D nanocomposite photoconductive sensors fully dry drawn on regular paper. // Nanotechnology. Vol. 26, No. 25, p. 255501 (2015). 
  16. Z.R. Kudrynskyi, A.P. Bakhtinov, V.N. Vodopyanov, Z.D. Kovalyuk, M.V. Tovarnitskii and O.S. Lytvyn. Fabrication and characterization of PbSe nanostructures on van der Waals surfaces of GaSe layered semiconductor crystals. // Nanotechnology. Vol. 26, No. 46, p. 465601 (2015). 

Джерела[ред. | ред. код]