Симон Зі

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Перейти до: навігація, пошук
Симон Мін Зі
Народився листопад 1932 року
Тайвань, Китай
Місце проживання США, Тайвань
Громадянство Flag of the United States.svg США
Alma mater National Taiwan University[d]
Галузь наукових інтересів Фізика напівпровідникових приладів
Заклад Тайванський національний університет
Стенфордський університет
Вчене звання Доктор філософії
Науковий ступінь Професор
Відомий завдяки: МДН- транзистори

Доктор Симон Мін Зі (англ. Simon Min Sze; кит. 施敏; *1932) є представник інженерної радіотехнічної науки США. Після закінчення Тайванського національного університету в 1957, він отримав звання магістра в Вашингтонському університеті в 1960 а потім доктарантуру в Стендфордському університеті в 1963. Він працював в Bell Labs до 1990, після чого він повернувся до Тайваню і приєднався до факультету NCTU. Він відомий своїми роботами в фізиці напівпровідників та в прикладних технологіях, включаючи винахід разом з Давоном Кангом транзистора з плавним затвором[1], сьогодні широко використовуваний в комірках пам'яті. Він написав і видав багато книг, включаючи Physics of Semiconductor Devices, одна із найбільш цитованих монографій в галузі напівпровідникових приладів. Зі отримав нагороду the J. J. Ebers Award в 1991 за свій вклад в напівпровідникове приладобудування[2]

Література[ред.ред. код]

Посилання[ред.ред. код]

Виноски[ред.ред. код]

  1. D. Kahng and S. M. Sze, A floating-gate and its application to memory devices, The Bell System Technical Journal, 46, #4 (1967), pp. 1288—1295.
  2. "за фундаментальний та піонерський вклад в широко використовувані науково- технічні тексти та книги в галузі електронного приладобудування". Electron Devices Society J.J. Ebers Award, web page at the IEEE, accessed 11-I-2007.