Рафаель Тсу

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Перейти до навігації Перейти до пошуку
Рафаель Тсу
Народився 1925
Шанхай, Цзянсу[d], Бейянський урядd
Діяльність фізик
Alma mater Університет штату Огайо
Заклад University of North Carolina at Charlotted
National Renewable Energy Laboratoryd
IBM Thomas J. Watson Research Centerd
Bell Laboratories
Energy Conversion Devicesd
Аспіранти, докторанти Armen Seviand[1]
Членство Американське фізичне товариство
Нагороди

Рафае́ль Тсу (англ. Raphael Tsu) — американський науковець китайського походження. Спеціаліст у галузі штучних атомоподібних систем, створених технологічними методами інтегральної електроніки в напівпровідниках. Прізвище Тсу (Tsu) прийняв після переїзду на захід із Китаю, де мав прізвище Жу (Zhu).

Тсу народився в Шанхаї в родині правовірних католиків (його дядько був єпископом). Коли він залишав Шанхай, то його дядько нагадав йому старе китайське прислів'я, що для досягнення успіху в житті необхідно мати правильні знаряддя. Спершу Тсу переїхав на навчання в Англію, а потім в США, де він і отримав ступінь доктора філософії в університеті штату Охіо. Там він зробив визначний вклад в розвиток квантової механіки другої половини 20-го століття, в галузі «штучних квантових систем в твердому тілі» (man-made quantum solids).

Після декількох років праці у відомій корпорації — Bell Labs, де він винайшов ультразвуковий підсилювач, він уже будучи професором, перебрався в IBM. Тут він став асистентом Лео Есакі, винахідника тунельного діода і нобелівського лауреата (1973). Тут і розпочалася його плідна кооперація з Есакі в галузі штучних квантових систем у твердому тілі, таких як: надрешітки та квантові ями.

Своїми чисельними теоретичними розробками професор Тсу доказав, що квантові стани існують і можуть бути визначені в багатошарових напівпровідниках, таких як надрешітки. В порівнянні з періодом природної ґратки в кристалі, період штучної надрешітки може бути набагато більшим, і звідси випливає мала величина хвильового вектора та кристалічного моменту (і енергій також). Він також вперше звернув увагу і передбачив існування "від'ємного диференційного опору" в таких штучних матеріалах.

Див.також[ред. | ред. код]

Література[ред. | ред. код]

  • R. Tsu and L. Esaki (1973). Tunneling in a finite superlattice. Applied Physics Letters. 22: 562. doi:10.1063/1.1654509.

Посилання[ред. | ред. код]

  1. Математичний генеалогічний проєкт — 1997.