Лео Есакі
| Лео Есакі | |
| яп. 江 崎 玲 于 奈 | |
| Народився | 12 березня 1925 (91 рік) Осака, Японія |
|---|---|
| Громадянство |  Японія |
| Alma mater | Токійський університет |
| Галузь наукових інтересів | фізика |
| Нагороди |  Нобелівська премія з фізики (1973),Медаль пошани IEEE (1991) |
|
|
|
|
|
|
Ле́о Еса́кі (яп. 江 崎 玲 于 奈 Есакі Реона , відомий також як Рео́на Еса́кі та Лео́на Еса́кі; нар. 12 березня 1925, Осака, Японія) — японський фізик, лауреат Нобелівської премії з фізики в 1973 р. Половина премії, спільно з Айвором Джайевером, «за експериментальні відкриття тунельних явищ в напівпровідниках і надпровідниках». Друга половина присуджена Б. Д. Джозефсона «за теоретичне передбачення властивостей струму, що проходить через тунельний бар'єр, зокрема явищ, загальновідомих нині під назвою ефектів Джозефсона». Лео Есакі також відомий як винахідник діода Есакі, що використовує ефект тунелювання електрона.
Лео Есакі вивчав фізику в Токійському університеті, отримав ступінь бакалавра в 1947 р. , ступінь доктора філософії в 1959 р. Нобелівську премію отримав за дослідження, проведені в 1958 р. під час роботи в компанії Sony. Згодом у 1960 р. переїхав в США і став працювати в дослідницькому центрі фірми IBM, де був удостоєний звання лауреата IBM в 1967 р.
Нагороди[ред. • ред. код]
- Лауреат премії Японії (1998)
Див. також[ред. • ред. код]
- 6920 Есакі — астероїд, названий на честь науковця.
Посилання[ред. • ред. код]
- Інформація з сайту Нобелівського комітету (англ.)
- Л. Есакі. «Подорож в країну тунелювання». Нобелівська лекція , Успіхи фізичних наук, том 116, випуск 4, серпень 1975
- Інформація фірми IBM (англ.)
- Інформація з сайту організації IEEE (англ.)
- Історія відкриття на сайті фірми Sony (англ.)
 |
Це незавершена стаття про науковця. Ви можете допомогти проекту, виправивши або дописавши її. |
