Алфьоров Жорес Іванович

Жорес Іванович Алфьоров
Народився	15 березня 1930 (82 роки) Вітебськ
Відомий	Нобелівська премія з фізики, 2000
Діяльність	фізика гетероструктур

Жоре́с Іва́нович Алфьо́ров (біл. Жарэс Алфёраў; *15 березня 1930, Вітебськ) — радянський та російський фізик, лауреат Нобелівської премії з фізики 2000 року за розробку напівпровідникових гетероструктур та створення швидких опто- та мікроелектронних компонент, академік РАН. Його дослідження мали велику роль в інформатиці. Депутат державної думи РФ. Є ректором-організатором Академічного фізико-технологічного університету.

Біографія

Жорес Іванович Алфьоров народився 15 березня 1930 року у Вітебську.

Він вступив до Ленінградського електротехнічного інституту ім. В. І. Леніна((«ЛЕТІ»)), на факультет електроніки, за фахом електровакуумна техніка. Закінчив інститут у 1952 році.

З 1953 року Жорес Алфьоров працює у фізико-технічному інституті РАН ім. А. Ф. Йоффе, очоливши його в 1987 році.

У 1961 році Алфьоров одержав ступінь кандидата технічних наук. У 1970 році він одержує ступінь доктора фізико-математичних наук.

У 1972 році Жорес Іванович Алфьоров став професором ЛЕТІ. З 1973 року став завідувачем кафедри оптоелектроніки цього інституту.

У період з 1990 до 1991 року Жорес Алфьоров посідав посаду віце-президента АН СРСР і голови президії Ленінградського наукового центру.

У 1988 році Жорес Алфьоров став деканом фізико-технічного факультету Ленінградського політехнічного інституту.

З 1991 року Жорес Іванович Алфьоров — віце-президент РАН і голова президії Санкт-Петербурзького наукового центру РАН.

Жорес Алфьоров працює у області фізики напівпровідників, квантової і напівпровідникової електроніки, технічної фізики.

Алфьоров та Путін

Жорес Іванович брав участь в створенні перших радянських транзисторів, фотодіодів і потужних германієвих випрямлячів.

Жорес Алфьоров відкрив явище надінжекції в гетероструктурах. Він показав, що в гетероструктурах можна принципово інакше управляти світловими і електронними потоками. Жорес Іванович Алфьоров відкрив перші («ідеальні») гетероструктури: арсенід алюмінію — арсенід галію (Al As — Ga As).

Жорес Іванович Алфьоров створив напівпровідникові лазери на основі подвійних гетероструктур, реалізував безперервний режим генерації при кімнатній температурі.

В результаті роботи Алфьорова з'явився новий напрям — фізика гетероструктур, а також оптоелектроніка і електроніка на їх основі.

Жорес Алферьов — головний редактор журналу («Листи у Журнал технічної фізики»).

Алфьоров — автор більше 50 винаходів і 500 наукових робіт, зокрема трьох монографій.

Жорес Іванович нагороджений орденами Жовтневої Революції, Леніна («Знак Почета»), Трудового Червоного Прапора («За заслуги перед Отечеством») 3 ступеня, різними медалями СРСР і Російської Федерації, японською премією Кіото (Kyoto Prize) за 2001 рік.

Жорес Іванович Алфьоров разом з Гербертом Кремером удостоєний Нобелівської премії з фізики за 2000 рік. Вони разом відкрили швидкі опто- і мікроелектронні компоненти на базі багатошарових напівпровідникових структур (напівпровідникових гетероструктур). На базі цих технологій були створені швидкі транзистори і лазерні діоди.

В 2004 році Ж. Алфьорова було визнано почесним членом Національної Академії наук Азербайджану.