Вільям Бредфорд Шоклі

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Перейти до: навігація, пошук
Вільям Бредфорд Шоклі
William Shockley, Stanford University.jpg
Вільям Шоклі
Народився 13 лютого 1910(1910-02-13)
Лондон, Велика Британія
Помер 12 серпня 1989(1989-08-12) (79 років)
Стенфорд, США
Громадянство Сполучені Штати Америки
Національність американець
Галузь наукових інтересів фізика напівпровідників
Заклад Bell Labs, Стенфордський університет
Alma mater Каліфорнійський технологічний інститут, Массачусетський технологічний інститут
Науковий керівник Слейтер Джон
Відомий завдяки: відкриття транзистора
Нагороди Nobel prize medal.svg Нобелівська премія з фізики (1956)
Nobel prize medal.svg

Ві́льям Бре́дфорд Шо́клі (англ. William B. Shockley; *13 лютого 1910, Лондон — †12 серпня 1989) — фізик, дослідник напівпровідників і транзисторів.

Біографічні відомості[ред.ред. код]

Вільям Шоклі народився 13 лютого 1910 року в Лондоні, Великобританія. Його батько Вільям Гілман Шоклі був гірничим інженером з Массачусетса, а його дружина, Мері (уродженка Бредфорду) була заступником маркшейдера у Неваді.

Родина повернулася в Сполучені Штати в 1913 році, і Вільям-молодший у 1932 році одержав диплом бакалавра наук в Інституті технологій штату Каліфорнія. В Інституті технологій штату Массачусетс він навчався під керівництвом професора Дж. С. Слетера і захистив докторську роботу в 1936 році на тему «Енергетична зонна структура хлориду натрію». У тому ж році Шоклі влаштувався до Bell Telephone Laboratories, працюючи в групі, яку очолював доктор С.Дж. Девісон і проробив там (з короткою перервою під час війни) до 1955 року. Він пішов зі своєї посади директора відділу фізики транзисторів, щоб стати директором Shockley Semi-conductor Laboratory в корпорації Beckman Instruments, Inc., розташованої в Маунтейн В'ю, штат Каліфорнія. Там він зайнявся дослідженням і розробкою нових транзисторів та інших напівпровідникових пристроїв. У 1963 році був рекомендований Олександром М. Понятовим, професором машинобудування в Стенфордському університеті, де Шоклі став професором машинобудування та прикладних наук.

Під час Другої світової війни Шоклі був директором дослідницької групи, яка займалася питаннями боротьби з підводними човнами, а потім служив експертом при військовому міністрі (Secretary of War). Двічі читав лекції: у 1946 році в Принстонському університеті, та у 1954 році в Каліфорнійському інституті технологій. Один рік (1954–1955) він проробив заступником директора та керівника досліджень Weapons System Evaluation Group у Департаменті оборони.

Був двічі одружений. Мав троє дітей від першого шлюбу з Джин (уроджена Бейлі). Але цей союз розпався, і його другою дружиною стала Еммі Ленінг.

Помер 12 серпня 1989 року.

Дослідження[ред.ред. код]

Бардін, Шоклі та Браттейн в лабораторії. Рекламне фото 1948 року. До цього часу відносини Шоклі та Бардіна були безповоротно зіпсовані

Дослідження Шоклі були спрямовані на вивчення: енергетичних зон твердих тіл, упорядкування та розпорядкування в сплавах, теорії вакуумних приладів (ламп), самодифузії міді, теорії дислокації, експериментів і теорії феромагнетних доменів, експериментів з фотоелектронами в хлориді срібла, різних напрямків у фізиці транзисторів і дослідження операції із залежності зарплати і продуктивності праці в дослідницьких лабораторіях.

Із 1936 року до початку війни займався проблемою практичної реалізації МДН- транзистора на поверхні германію, управляючий електрод якого розділявся за допомогою слюдяної пластинки. Хоч ефект поля і підтвердився експериментально проте до практичної реалізації справа так і не дійшла. До речі, і після війни він продовжував дану тематику уже як керівник, в розпорядженні якого були Джон Бардін та Вальтер Бреттейн, які в той час займалися тривіальною справою вимірювання поверхневої провідності германію чотирьохзондовим методом. Ось так просто, під час одного із вимірювань і бів відкритий т.з. транзисторний, або біполярний ефект. За розробку теорії цього ефекту шляхом формального введення квазіпотенціалів Фермі для умови статичної квазірівноваги йому і була присуджена Нобелівська премія з фізики.

Відзнаки і нагороди[ред.ред. код]

Його роботи були відзначені багатьма нагородами. Шоклі був нагороджений медаллю за заслуги в 1946 році за роботу в департаменті війни, премією Морріса Лайбмана Інститутом Радіоконструкторів у 1952 році, а в наступному році премією Олівера Баклі у фізиці твердих тіл від Американського фізичного товариства, а роком пізніше — премія Сайруса Комстока від Національної академії наук. І найбільше визнання — Нобелівська премія з фізики, була вручена йому в 1956 році разом із двома його колишніми колегами по Bell Telephone Laboratories, Джоном Бардіном і Вальтером Бреттейном.

У 1963 році він отримав медаль Голі від Американського товариства інженерів-механіків. Також доктор Шоклі з 1951 року був членом Наукової консультативної групи армії США, а з 1958 року — працював у Науковому консультативному комітеті військово-повітряних сил США. У 1962 році його було призначено до Наукового консультативного комітету при Президенті США. Також Шоклі отримав почесний ступінь доктора наук від Університету Пенсільванії, Університету Ратджерс і Коледжу імені Густавуса Адольфуса (Міннесота). Крім численних статей в наукових і технічних журналах Шоклі написав «Електрони в напівпровідниках р-типу» (1950) і редагував «Вади майже ідеальних кристалів» (1952). Також за свої винаходи він отримав більше 50 патентів у США.

Патенти Шоклі[ред.ред. код]

Шоклі отриав понад 90 патентів США. Деякі відомі є:

  • US Patent #2502488 Semiconductor Amplifier. Applied for on Sept. 24, 1948; Його перший напівпровідниковий транзистор.
  • US patent #2655609 Bistable Circuits. Applied for on July 22 1952; Використовувався в комп'ютерах.
  • US patent #2787564 Forming Semiconductive Devices by Ionic Bombardment. Applied for on Oct. 28, 1954; Дифузійний процес для імплантації домішок.
  • US patent #3031275 Process for Growing Single Crystals. Applied for on Feb. 20, 1959; Покрашення технології виробництва основних напівпровідникових матеріалів.
  • US patent #3053635 Method of Growing Silicon Carbide Crystals. Applied for on Sept. 26, 1960; Використання інших напівпровідників, а не тільки германію.

Праці Шоклі[ред.ред. код]

  • Shockley, William — Electrons and holes in semiconductors, with applications to transistor electronics, Krieger (1956) ISBN 0-88275-382-7.
  • Shockley, William — Mechanics Merrill (1966).
  • Shockley, William and Pearson, Roger — Shockley on Eugenics and Race: The Application of Science to the Solution of Human Problems Scott-Townsend (1992) ISBN 1-878465-03-1.

Книги про Шоклі[ред.ред. код]

  • Joel N. Shurkin; Broken Genius: The Rise and Fall of William Shockley, Creator of the Electronic Age. New York: Palgrave Macmillan. 2006. ISBN 1-4039-8815-3
  • Michael Riordan and Lillian Hoddeson; Crystal Fire: The Invention of the Transistor and the Birth of the Information Age. New York: Norton. 1997. ISBN 0-393-31851-6 pbk.

Посилання[ред.ред. код]