Волтер Гаузер Браттейн

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Перейти до навігації Перейти до пошуку
Нобелівська премія з фізики (1956) Волтер Браттейн
англ. Walter Houser Brattain
Народився10 лютого 1902(1902-02-10)[1][2][…]
Сямень, Fujiand, Династія Цін
Помер13 жовтня 1987(1987-10-13)[1][2][…] (85 років)
Сіетл, США
·хвороба Альцгеймера
КраїнаСША США
Діяльністьфізик, винахідник
Alma materWhitman College[en]
Орегонський університет
Міннесотський університет
Галузьфізика
ЗакладВітмен-коледжd
Науковий керівникJohn Torrence Tate, Sr.d
ЧленствоНаціональна академія наук США
Американська академія мистецтв і наук
AAAS[4]
Американське фізичне товариство[4]
Відомий завдяки:винахід транзистора
БатькоRoss Brattaind[5]
Брати, сестриRobert Brattaind
У шлюбі зKeren Gilmore Brattaind
Emma Jane Millerd
Нагороди
CMNS: Волтер Гаузер Браттейн у Вікісховищі

Волтер Гаузер Браттейн (англ. Walter Houser Brattain; 10 лютого 1902, Сямень, Китай — 13 жовтня 1987, Сіетл) — американський фізик, лауреат Нобелівської премії з фізики в 1956 році «за дослідження напівпровідників і відкриття транзисторного ефекту» (разом з Вільямом Бредфордом Шоклі і Джоном Бардіном).

Біографія

[ред. | ред. код]

Волтер Браттейн народився в родині Росса Р. Браттейна й Оттіль Гаузер у місті Сямень (Амой) у Китаї. Виріс у штаті Вашингтон, США. Ступінь бакалавра здобув у 1924 році в Уїтменському коледжі, ступінь магістра в 1926 році в Орегонському університеті. Після захисту дисертації в 1929 році в Університеті Міннесоти влаштовується на роботу в лабораторії Белла.

У 1935 році Браттейн одружився з Керен Гілмор, яка була хіміком за спеціальністю. У них народився син Вільям Гілмор Браттейн. 10 квітня 1957 року Керен померла.

У 1958 році вдруге одружився з Еммі Міллер. В 1970-х роках він переїхав до Сіетла і жив там до смерті.

Помер від хвороби Альцгеймера 13 жовтня 1987 року у Сіетлі. Похований на міському кладовищі Померой у Вашингтоні.[6]

Наукова діяльність

[ред. | ред. код]

Браттейн займався переважно властивостями поверхонь твердих тіл. Після перших своїх досліджень вольфраму він зайнявся поверхневими ефектами в напівпровідниках, таких як кремній і германій, і зробив суттєвий внесок у їхнє розуміння. Разом із Джоном Бардіном розробив транзистор на точковому p-n переході.

У 1952 році доктор Браттейн здобув ступінь почесного доктора наук у Портлендському університеті.

У 1956 році визнаний гідним, разом з Джоном Бардіном і Вільямом Шоклі, Нобелівської премії з фізики «за дослідження напівпровідників і відкриття транзисторного ефекту».

Доктор Браттейн — член Національної академії наук та Інституту Франкліна, член Американського фізичного товариства[7].

Нагороди

[ред. | ред. код]

Література

[ред. | ред. код]
  • Айзексон, Волтер (2017). Інноватори: Як група хакерів, геніїв та ґіків здійснила цифрову революцію. Київ: Наш Формат. с. 488. ISBN 978-617-7279-81-4.
  • Храмов Ю. А. Браттейн Волтер // Физики: Биографический справочник / Под ред. А. И. Ахиезера. — Изд. 2-е, испр. и дополн. — М.: Наука, 1983. — С. 44. — 400 с.

Примітки

[ред. | ред. код]
  1. ↑ а б Encyclopædia Britannica
  2. ↑ а б SNAC — 2010.
  3. ↑ а б Енциклопедія Брокгауз
  4. ↑ а б NNDB — 2002.
  5. ↑ Geni.com — 2006.
  6. ↑ Walter Houser Brattain (1902-1987) - Find a Grave... www.findagrave.com (англ.). Архів оригіналу за 10 лютого 2022. Процитовано 10 лютого 2022.
  7. ↑ The Nobel Prize in Physics 1956. NobelPrize.org (амер.). Архів оригіналу за 1 лютого 2018. Процитовано 10 лютого 2022.

Посилання

[ред. | ред. код]


науковець Це незавершена стаття про науковця.
Ви можете допомогти проєкту, виправивши або дописавши її.
Отримано з https://uk.wikipedia.org/w/index.php?title=Волтер_Гаузер_Браттейн&oldid=41491814