Герберт Кремер
| Герберт Кремер | |
|---|---|
| нім. Herbert Krömer | |
 |
|
| Народився | 25 серпня 1928 (88 років) Веймар, Німеччина |
| Громадянство | Німеччина,  США |
| Alma mater | Геттінгенський університет |
| Науковий керівник | Fritz Sauter[d] |
| Нагороди |  Нобелівська премія з фізики (2000),Медаль пошани IEEE (2002) |
Герберт Кремер (нім. Herbert Krömer; нар. 25 серпня 1928, Веймар, Німеччина) — німецький фізик, лауреат Нобелівської премії з фізики. Половина премії за 2000 р. , спільно з Жоресом Алфьоровим, «за розробку напівпровідникових гетероструктур, використовуваних у високочастотній і опто-електроніці». Друга половина премії була присуджена Джеку Кілбі «за внесок у винахід інтегральних схем».
Біографія[ред. • ред. код]
Після закінчення курсів підготовки до університету (Abitur), Герберт Кремер приступає до вивчення фізики в Йенському університеті, де крім іншого відвідував лекції Фрідріха Гунда. Під час блокади Берліна Кремер перебував на практиці в Берліні і скористався можливістю для втечі на захід. Після цього він продовжив навчання в Геттінгенському університеті. У 1952 р. він захистив дисертацію в галузі теоретичної фізики по темі ефекту гарячих електрон ів в транзистор ах. Після цього Кремер працював «прикладним теоретиком», як він сам себе називав, в технічному центрі радіомовлення німецької федеральної пошти. У 1954 р. він переїхав в США і працював там в різних дослідницьких установах в Прінстоні і Пало Альто. З 1968 по 1976 Кремер викладає в університеті Колорадо як професор, а потім перейшов в Каліфорнійський університет в Санта-Барбарі.
Досягнення[ред. • ред. код]
Герберт Кремер ніколи не працював у «модних» галузях фізики. Він обирав області, значення яких ставало ясним тільки через багато років. Наприклад, він опублікував у 1950-х роках роботи про основи біполярного транзистора на основі гетероструктур, який міг працювати в гігагерцовому діапазоні частот. У 1963 р. він розробив принципи лазерів на подвійних гетероструктурах — основі напівпровідникових лазерів. Обидві ці роботи на багато років випередили свій час, і знайшли застосування тільки в 1980-х роках, з розвитком епітаксії.
Під час перебування в Санта Барбарі він змістив свої інтереси в експериментальну область. Наприклад, в 1970-і роки Кремер брав участь у розробці молекулярної епітаксії, причому він вивчав нові комбінації матеріалів, такі як GaP і GaAs на кремнієвій підкладці. Після 1985 р. інтереси Кремера змістилися до комбінацій InAs, GaSb і AlSb.
У 2000 році йому була присуджена Нобелівська премія з фізики, спільно з Жоресом Алфьоровим і Джеком Кілбі.
Нагороди[ред. • ред. код]
- Нагорода імені Дж. Дж. Еберс, від IEEE, 1973
- Медаль імені Генріха Велкер від міжнародного симпозіуму з GaAs і схожих сполук, 1982
- Заслужений лектор від суспільства електронних пристроїв IEEE, 1983
- Нагорода Джека Мортона від IEEE, 1986
- Дослідницька премія імені Александера фон Гумбольдта, 1994
- Нобелівська премія з фізики, 2000
Див. також[ред. • ред. код]
- 24751 Кремер — астероїд, названий на честь науковця.
Посилання[ред. • ред. код]
- Інформація з сайту Нобелівського комітету (англ.)
- Г. Кремер. "Квазіелектріческое поле і розриви зон. Навчання електронів новим фокусів ". Нобелівська лекція , УФН, том 172, випуск 9, вересень 2002
- Домашня сторінка Герберта Кремера на сайті Каліфорнійського університету в Санта-Барбарі (англ.)
|
