Герберт Кремер

|Ім?я=

Герберт Кремер
нім. Herbert Krömer
Німецький фізик, лауреат Нобелівської премії
Народився	25 серпня 1928(1928-08-25) (89 років) Веймар, Німеччина
Громадянство	Німеччина,  США
Діяльність	фізик, викладач університету
Alma mater	Геттінгенський університет Єнський університет
Науковий керівник	Fritz Sauter
Член	Academy of Useful Science, Національна академія наук США, Національна інженерна академія США і Американське фізичне товариство
Нагороди	Нобелівська премія з фізики (2000), Медаль пошани IEEE (2002)
Герберт Кремер у Вікісховищі?

Герберт Кремер (нім. Herbert Krömer; нар. 25 серпня 1928, Веймар, Німеччина) — німецький фізик, лауреат Нобелівської премії з фізики. Половина премії за 2000 р. , спільно з Жоресом Алфьоровим, «за розробку напівпровідникових гетероструктур, використовуваних у високочастотній і опто-електроніці». Друга половина премії була присуджена Джеку Кілбі «за внесок у винахід інтегральних схем».

Біографія

Після закінчення курсів підготовки до університету (Abitur), Герберт Кремер приступає до вивчення фізики в Йенському університеті, де крім іншого відвідував лекції Фрідріха Гунда. Під час блокади Берліна Кремер перебував на практиці в Берліні і скористався можливістю для втечі на захід. Після цього він продовжив навчання в Геттінгенському університеті. У 1952 р. він захистив дисертацію в галузі теоретичної фізики по темі ефекту гарячих електрон ів в транзистор ах. Після цього Кремер працював «прикладним теоретиком», як він сам себе називав, в технічному центрі радіомовлення німецької федеральної пошти. У 1954 р. він переїхав в США і працював там в різних дослідницьких установах в Прінстоні і Пало Альто. З 1968 по 1976 Кремер викладає в університеті Колорадо як професор, а потім перейшов в Каліфорнійський університет в Санта-Барбарі.

Досягнення

Герберт Кремер ніколи не працював у «модних» галузях фізики. Він обирав області, значення яких ставало ясним тільки через багато років. Наприклад, він опублікував у 1950-х роках роботи про основи біполярного транзистора на основі гетероструктур, який міг працювати в гігагерцовому діапазоні частот. У 1963 р. він розробив принципи лазерів на подвійних гетероструктурах — основі напівпровідникових лазерів. Обидві ці роботи на багато років випередили свій час, і знайшли застосування тільки в 1980-х роках, з розвитком епітаксії.

Під час перебування в Санта Барбарі він змістив свої інтереси в експериментальну область. Наприклад, в 1970-ті роки Кремер брав участь у розробці молекулярної епітаксії, причому він вивчав нові комбінації матеріалів, такі як GaP і GaAs на кремнієвій підкладці. Після 1985 р. інтереси Кремера змістилися до комбінацій InAs, GaSb і AlSb.

У 2000 році йому була присуджена Нобелівська премія з фізики, спільно з Жоресом Алфьоровим і Джеком Кілбі.

Нагороди

• Нагорода імені Дж. Дж. Еберс, від IEEE, 1973
• Медаль імені Генріха Велкер від міжнародного симпозіуму з GaAs і схожих сполук, 1982
• Заслужений лектор від суспільства електронних пристроїв IEEE, 1983
• Нагорода Джека Мортона від IEEE, 1986
• Дослідницька премія імені Александера фон Гумбольдта, 1994
• Нобелівська премія з фізики, 2000

Див. також

• 24751 Кремер — астероїд, названий на честь науковця.

Посилання

• Інформація з сайту Нобелівського комітету (англ.)
• Г. Кремер. "Квазіелектріческое поле і розриви зон. Навчання електронів новим фокусів ". Нобелівська лекція , УФН, том 172, випуск 9, вересень 2002
• Домашня сторінка Герберта Кремера на сайті Каліфорнійського університету в Санта-Барбарі (англ.)